B8S, Диодный мост 0.5А 800В
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Мост 0.5А, 800V
DIODE BRIDGE 0.5A 800V MBS
Диодный мост 0.5А 800В
Диодный мост 0.5А 800В
Производитель:
Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Артикул:
B8S
Документы:
Описание B8S
Характеристики
| Максимальное постоянное обратное напряжение,В | 800 |
|---|---|
| Максимальное импульсное обратное напряжение,В | 960 |
| Максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,А | 0.5 |
| Максимальный допустимый прямой импульсный ток,А | 30 |
| Максимальный обратный ток,мкА | 5 |
| Максимальное прямое напряжение,В | 1.1 |
| при Iпр.,А | 0.5 |
| Максимальное время обратного восстановления,мкс | - |
| Общая емкость Сд,пФ | - |
| Рабочая температура,С | -65…+150 |
| Способ монтажа | smd |
| Корпус | db-1ms |
| Количество фаз | 1 |
Полные аналоги
Сообщите мне о поступлении товара