KTD998-O, Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 10 А, 80 Вт, (Комплементарная пара KTB778)
Bipolar transistor, NPN, 120 V, 10 A, 80 W, (Complementary pair KTB778)
Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 10 А, 80 Вт, (Комплементарная пара KTB778)
Биполярный транзистор, NPN, 120 В, 10 А, 80 Вт, (Комплементарная пара KTB778)
Производитель:
Korea Electronics
Артикул:
KTD998-O
Документы:
Описание KTD998-O
Характеристики
Структура | npn |
---|---|
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 150 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
Корпус | to126 |
Полные аналоги
-
KTD998 Bipolar transistor, NPN, 120 V, 10 A, 80 W, (Complementary pair KTB778)KECTO-3PF
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара