MMBFJ112, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт

Код товара: 220006

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
MMBFJ112
Производитель:
Описание Eng:
JFET N-CH 35V 350mW SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение Сток-Исток Макс:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт

Технические параметры

Напряжение Сток-Исток Макс

35 В

Проводимость (N/P)

N-канальный

Напряжение отсечки (при токе)

1 В

Мощность Макс.

350 мВт

Вес брутто

0.03 г.

Описание MMBFJ112

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

Максимальная рабочая температура+150 °C
Длина2.92мм
Transistor ConfigurationОдинарный
Емкость исток-затвор28пФ
Запирающий ток сток-исток Idssmin. 5mA
ПроизводительON Semiconductor
Емкость сток-затвор28пФ
Тип корпусаSOT-23
Тип монтажаSurface Mount
Минимальная рабочая температура-55 °C
Ширина1.3
Высота0.93мм
Максимальное сопротивление сток-исток50 Ом
Максимальное напряжение сток-затвор35V
Число контактов3
Размеры2.92 x 1.3 x 0.93мм
КонфигурацияОдинарный
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток35 В
Вес, г0.05

Документы и сертификаты

Документация

Способы доставки в Калининград

Доставка MMBFJ112 , Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.