MMBFJ112, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Код товара: 220006
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
MMBFJ112
Производитель:
Описание Eng:
JFET N-CH 35V 350mW SOT-23
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-23
Напряжение Сток-Исток Макс:
35 В
Проводимость (N/P):
N-канальный
Напряжение отсечки (при токе):
1 В
Мощность Макс.:
350 мВт
Цена от:
16,79 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание MMBFJ112
N-channel JFET, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Емкость исток-затвор | 28пФ |
| Запирающий ток сток-исток Idss | min. 5mA |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Емкость сток-затвор | 28пФ |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.3 |
| Высота | 0.93мм |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 50 Ом |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 35V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.92 x 1.3 x 0.93мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | 35 В |
| Вес, г | 0.05 |
Документы и сертификаты
Документация
J111.pdfСпособы доставки в Калининград
Доставка MMBFJ112 , Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761 ₽
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670 ₽
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 4 раб. дней
от 1363 ₽
СДЭК
от 12 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара