AP4511GM, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт
field-effect transistor assembly, N+P-channel, 35V -6.1/7A 2W
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт
Производитель:
Advanced Power Electronics Corp.
Артикул:
AP4511GM
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка1000 шт
-
Вес брутто0.13 г.
-
Тип транзистора
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание AP4511GM
Характеристики
Структура | n/p-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 35/-35 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7/-6.1 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 25/40 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 9/9 |
Корпус | so8 |
Сообщите мне о поступлении товара