NDS351AN, Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 30V 1.4A SSOT3
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4А 0.5Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
NDS351AN
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT23-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание NDS351AN
PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,2 А |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 0.94мм |
| Размеры | 2.92 x 1.4 x 0.94мм |
| Материал транзистора | SI |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 2.92мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Типичное время задержки включения | 3 нс |
| Производитель | ON Semiconductor |
| Типичное время задержки выключения | 16 нс |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.8V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 160 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 3 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 1,3 нКл при 4,5 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 145 пФ при 15 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара