SI2318CDS-T1-GE3, Транзистор полевой N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23
Транзистор полевой N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Транзистор полевой N-канальный 40В 5.6А 1.25Вт
Производитель:
Vishay
Артикул:
SI2318CDS-T1-GE3
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-23
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание SI2318CDS-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Length | 3.04mm |
| Transistor Configuration | Single |
| Brand | Vishay |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.6 A |
| Package Type | SOT-23 |
| Maximum Power Dissipation | 2.1 W |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Width | 1.4mm |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Height | 1.02mm |
| Maximum Drain Source Resistance | 51 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Pin Count | 3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 5.8 nC @ 10 V |
| Transistor Material | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара