RD16HHF1-501, Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C
Field-effect transistor, radio frequency, 30 MHz, 56.8 W
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C
Полевой транзистор N-канальный радиочастотный 50В 5А 56,8Вт 30МГц Tch=150°C
Производитель:
Mitsubishi Electric
Артикул:
RD16HHF1-501
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.83 г.
Описание RD16HHF1-501
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | - |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 16 |
Крутизна характеристики, S | - |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 5 |
Сообщите мне о поступлении товара