IRF830PBF, Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 500V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220-1

Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом
Код товара: 37531
Дата обновления: 25.04.2024 04:35
Доставка IRF830PBF , Транзистор полевой N-канальный 500В 4.5А 74Вт, 1.5 Ом в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220AB
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт
  • Вес брутто
    2.76 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF830PBF

The IRF830PBF is a 500V N-channel SMPS MOSFET with low gate charge Qg results in simple drive requirement. It operates at high frequency with hard switching application. Suitable for SMPS, uninterruptable power supply and high speed power switching.

• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• 150°C Operating temperature
• Easy to parallel
• Simple drive requirement

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.5 ом при 2.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт74
Крутизна характеристики, S2.5
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе2…4
Вес, г2.5

Функциональные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец