IRF7103PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт, 0.13 Ом
Obsolete
MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC Tube
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт, 0.13 Ом
Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 50 В, 3 А, 2 Вт, 0.13 Ом
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRF7103PBF
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка95 шт
-
Вес брутто0.147 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание IRF7103PBF
Характеристики
Структура | 2n-канала |
---|---|
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 130 |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
Крутизна характеристики, S | 3.8 |
Корпус | so8 |
Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
Полные аналоги
-
IRF7103TRPBF MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC, 2WНаличие:10499 штМинимум:штЦена от:33,43 ₽INFSO-8
-
IRF7103TRPBF MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC, 2WHottechSO-8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара