STGW30NC60WD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
IGBT Chip N-CH 600V 60A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGW30NC60WD
Документы:
Описание STGW30NC60WD
IGBT Discretes, STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Length | 15.75mm |
Transistor Configuration | Одинарный |
Brand | STMicroelectronics |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 60 A |
Package Type | TO-247 |
Maximum Power Dissipation | 200 W |
Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Width | 5.15mm |
Height | 20.15mm |
Pin Count | 3 |
Dimensions | 15.75 x 5.15 x 20.15mm |
Switching Speed | 1МГц |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Channel Type | N |
Вес, г | 7.5 |
Сообщите мне о поступлении товара