STGB10NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт

Name: STGB10NC60HDT4, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт
Brand: ST Microelectronics
SKU: 126874
Availability: InStock

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

IGBT Chip N-CH 600V 20A 65000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт

Код товара: 126874

Дата обновления: 19.04.2024 08:10

Цена от: 182,26 руб.

Доставка STGB10NC60HDT4 , Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 10 А, 65 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

IGBT Discretes, STMicroelectronics

Технология/семейство	powermesh
Наличие встроенного диода	да
Максимальное напряжение КЭ ,В	600
Максимальный ток КЭ при 25°C, A	20
Импульсный ток коллектора (Icm), А	30
Напряжение насыщения при номинальном токе, В	2.5
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт	65
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс	14.2
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс	72
Рабочая температура (Tj), °C	-55…+150
Корпус	d2-pak
Вес, г	2.5

← STGW30NC120HD STGB10NC60KDT4 →