STGP8NC60KD, Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
IGBT Chip N-CH 600V 7A 65000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 8 А
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STGP8NC60KD
Документы:
Описание STGP8NC60KD
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Number of Elements per Chip | 1 |
Length | 10.4мм |
Transistor Configuration | Одинарный |
Brand | STMicroelectronics |
Package Type | TO-220 |
Maximum Power Dissipation | 65 W |
Mounting Type | Монтаж на плату в отверстия |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Width | 4.6мм |
Maximum Gate Threshold Voltage | 6.5V |
Высота | 15.75мм |
Minimum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Pin Count | 3 |
Typical Gate Charge @ Vgs | 19 |
Channel Mode | Поднятие |
Forward Diode Voltage | 2.1V |
Вес, г | 2.5 |
Сообщите мне о поступлении товара