IRGPS60B120KDP, Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Obsolete
IGBT Chip N-CH 1200V 105A
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 105 А
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
IRGPS60B120KDP
Документы:
Описание IRGPS60B120KDP
Характеристики
Структура | n-канал |
---|---|
Максимальное напряжение кэ ,В | 1200 |
Максимальный ток кэ при 25 гр. С,A | 105 |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.5 |
Управляющее напряжение,В | 5 |
Мощность макс.,Вт | 595 |
Крутизна характеристики, S | 34.4 |
Температурный диапазон,С | -55…150 |
Дополнительные опции | - |
Корпус | super247 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара