RJP30H2ADPE, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
Bipolar transistor IGBT, 360 V, 35 A
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 35 А
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Артикул:
RJP30H2ADPE
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара