RJP30H1DPD, Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Bipolar transistor IGBT, 360 V, 30 A, 40 W
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Биполярный транзистор IGBT, 360 В, 30 А, 40 Вт
Производитель:
RENESAS Electronics Corp.
Артикул:
RJP30H1DPD
Документы:
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара