BSM25GD120DN2E3224BOSA1, Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Биполярный транзистор IGBT, 35 А, 1200 В, N-канальный
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSM25GD120DN2E3224BOSA1
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара