Новое поступление продукции Infineon Technologies на склад "Промэлектроники"

Infineon Technologies AG (FWB: IFXGN, NYSE: IFX) — немецкая компания, крупный производитель микросхем для телекоммуникаций.

Ранее компания была подразделением Siemens AG Semiconductor Group. В результате реформирования компании Siemens AG в 1997 - 2001 году произошло выделение Siemens Semiconductors в отдельную компанию Infineon Technologies AG, однако тесные связи между компаниями сохраняются до сих пор.

International Rectifier — американский разработчик и производитель электронных компонентов. Специализируется на изделиях для систем электропитания: силовые транзисторы, импульсные стабилизаторы, микросхемы управления импульсными преобразователями, электродвигателями, люминесцентными лампами. Номенклатура изделий International Rectifier (с префиксами IR, IRF) стала стандартом силовой электроники и широко используется независимыми производителями.

В 2015 году - официально стала частью Infineon Technologies.

Среди новых поступлений продукции Infineon Technologies AG – диоды Шоттки BAT60AE6327.

Кремниевые диоды Шоттки уже давно стали привычными компонентами. Их основные преимущества – сниженное, по сравнению с простыми кремниевыми диодами, прямое падение напряжения и отсутствие накопления заряда, задерживающего выключение диода (т.е. потенциально лучшие частотные свойства). Первое преимущество оборачивается меньшими тепловыми потерями и большими возможными прямыми токами при соразмерном нагреве, а второе – лучшими частотными свойствами.

При выборе диодов Шоттки нужно четко различать две группы областей применения – относительно низкочастотную коммутацию (cуммирование напряжений, выпрямление 50/60 Гц с минимальными потерями), где нужны минимальные потери от прямого падения напряжения и/или токов утечки, и применение в высокочастотных импульсных преобразователях, где важна минимальная величина общих потерь, то есть нужен минимум суммы статических и динамических потерь.

Диоды, оптимизированные для первой группы применений – это диоды с минимальными прямыми падениями напряжения, получаемыми, как правило, за счет больших площадей переходов (больших емкостей), или специальные микросхемы с использованием управляемого МОП-транзистора, внешне выглядящие как диод, но с чрезвычайно малым падением напряжения. 

Что же касается диодов Шоттки для применения в DC/DC-конверторах, то минимальные общие потери совершенно необязательно обеспечит диод с минимальным прямым падением напряжения, особенно при широком диапазоне нагрузок, когда нужно учитывать потери не только от прямого падения напряжения, но и от токов утечки – их величина экспоненциально зависит не только от температуры, но и от частоты. Связано это с тем, что за снижение прямого падения напряжения приходится платить либо ростом площади перехода (и емкости диода, что приводит к росту коммутационных потерь, пропорциональных fґСдU2/2), либо резким ростом тока утечки (когда для минимизации прямого падения напряжения выбрано практически нулевое пороговое напряжение за счет подбора материала контакта металл-полупроводник). 
Поэтому хотелось бы предостеречь от распространенной ошибки – попытки использования диодов Шоттки «на пределе» по току, особенно в схемах с «жестким» переключением токов. Это крайне нежелательно с точки зрения динамических потерь, поскольку при больших токах (соответствующих падениям напряжения более 0,6…0,9 В в зависимости от типа диода) в структуре диодов Шоттки начинает работать параллельно включенный p-n переход. 

Новое поступление Infineon Technologies на склад "Промэлектроники":