- Однополярное питание 5 В для всех операций: чтение, стирание, программирование
- Малое время доступа и, соответственно, высокая скорость работы
- Гибкая структура секторов памяти: цифровое поле разделено на сектора объемом 8, 16, 32, 64 кбайт (у микросхем, имеющих загрузочный сектор) или N - секторов одинакового объема (у микросхем без загрузочного сектора), при этом возможны операции полного стирания содержимого памяти, посекторного стирания/записи и адресной защиты секторов от нежелательного изменения содержащейся в них информации
- Две модификации расположения загрузочного сектора: в начале адресного пространства или в конце (у микросхем, имеющих загрузочный сектор)
- Встроенные гибкие автоматы стирания и программирования позволяют существенно уменьшить программный код разработчика
- Малое потребление мощности
- Гарантируется сохраняемость данных при минимуме в 100 000 циклов записи на сектор, в течение 20 лет
- Совместимы по выводам и программному обеспечению со стандартными ППЗУ
- Программно-аппаратная защита данных от стирания (программная - наличие специальных <разблокирующих> циклов при записи информации, аппаратная - встроенный детектор для контроля напряжения питания)
- Программные и аппаратные возможности для контроля завершения операций чтения/записи
- Возможность аппаратной перезагрузки микросхемы
- Диапазон рабочих температур: коммерческий (0…+70°С) и промышленный (-40…+85°С)
Фирмы "AMD"
| Наименование | Организация | Время доступа, нс | Iпотр.макс. (активный режим, Ft=5 МГц), мА |
Iпотр.макс. (режим программирования), мА |
Iпотр.макс. (режим покоя), мА |
Загру-зочный сектор |
Корпус |
| Напряжение питания - 5 В | |||||||
| AM29F002BT | 256Kx8 | 55/70/90/120 | 20 | 30 | 1 | + | PLCC32 |
| AM29F010 | 128Kx8 | 45/55/70/90/120 | 30 | 50 | 25 | PLCC32,TSOP32 | |
| AM29F010B | 128Kx8 | 45/55/70/90/120 | 12 | 30 | 1 | DIP32 | |
| AM29F040B | 512Kx8 | 55/70/90/120/150 | 20 | 30 | 1 | PLCC32, DIP32, TSOP32 | |
| AM29F200BT | 256Kx8 или 128Kx16 | 45/50/70/90/120 | 20 | 30 | 1 | + | SO44, TSOP48 |
| AM29F080 | 1Mx8 | 85/90/120/150 | 30 | 60 | 1 | TSOP40 | |
| AM29F080В | 1Mx8 | 55/70/120/150 | 25 | 30 | 1 | SOP44, TSOP40 | |
| AM29F016 | 2Mx8 | 75/90/12/150 | 40 | 60 | 1 | TSOP48 | |
| Напряжение питания - 3 В | |||||||
| Am29LV010B | 128Kx8 | 45/55/70/90 | 7 | 15 | 200 нА | PLCC32,TSOP32 | |
| Am29LV040B | 512Kx8 | 60/70/90/120 | 7 | 15 | 200 нА | PLCC32,TSOP32 | |
Фирмы "ATMEL"
| Наименование | Организация | Время доступа, нс | Iпотр.макс. (активный режим, Ft=5 МГц), мА |
Iпотр.макс. (режим покоя, уровни ТТЛ/КМОП), мА |
Загрузочный сектор |
Корпус |
| Напряжение питания - 5±10% В, сектора малого объема | ||||||
| AT29C256 | 32Kx8 | 70/90/120 | 50 | 3/0,3 | PLCC32, DIP28 | |
| AT29C512 | 64Kx8 | 70/90 | 50 | 3/0,3 | PLCC32, DIP32 | |
| AT29C010A | 128Kx8 | 70/90/120 | 50 | 3/0,3 | PLCC32, DIP32 | |
| AT29C020 | 256Kx8 | 70/90/120 | 40 | 3/0,3 | PLCC32, DIP32 | |
| AT29C040A | 512Kх8 | 90/120/150 | 40 | 3/0,3 | PLCC32, DIP32 | |
| AT29C1024 | 64Kx16 | 70/90/120/150 | 60 | 3/0,2 | PLCC44, TSOP48 | |
| Напряжение питания - 3,3±10% В, сектора малого объема | ||||||
| AT29LV256 | 32Kx8 | 150/200/250 | 15 | 1/0,04 | PLCC32, DIP28, TSOP32 | |
| AT29LV512 | 64Kx 8 | 150/200/250 | 15 | 1/0,04 | PLCC32, TSOP32 | |
| AT29LV010A | 128K x 8 | 150/200/250 | 15 | 1/0,04 | + | PLCC32, TSOP32 |
| AT29LV1024 | 64х16 | 150/200/250 | 15 | 1/0,05 | PLCC44, TSOP44 | |
| AT29LV020 | 256K x 8 | 200/250 | 15 | 1/0,04 | + | PLCC32, TSOP32 |
| AT29LV040A | 512Kx8 | 200/250 | 15 | 1/0,04 | + | PLCC32, TSOP32 |
| Напряжение питания - 2,7…3,6 В, сектора малого объема | ||||||
| AT29BV010A | 128K x 8 | 200/250/300 | 15 | 1/0,04 | + | PLCC32, TSOP32 |
| AT29BV020 | 256K x 8 | 250/350 | 15 | 1/0,04 | + | PLCC32, TSOP32 |
| AT29BV040A | 512Kx8 | 250/350 | 15 | 1/0,04 | + | TSOP32 |
| Напряжение питания - 5±10% В, сектора большого объема | ||||||
| AT49F512 | 64Kx 8 | 50/70/90 | 40 | 3/0,3 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49F001(N)(T)1 | 128K x 8 | 55/70/90/120 | 50 | 3/0,3 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49F002A(N)(T)1 | 256K x 8 | 55 | 25 | 3/0,1 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49F002(N)(T)(NT)1 | 256K x 8 | 55/70/90/120 | 50 | 3/0,3 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49F040 | 512Kx8 | 55/70/90/120 | 50 | 3/0,3 | + | PLCC32, DIP32 |
| AT49F008A(T)2 | 1Mx 8 | 90 | 50 | 3/0,1 | + | TSOP40 |
| AT49F8192A(T)2 | 512Кх16 | 90 | 50 | 3/0,1 | + | SOIC44, TSOP48 |
| Напряжение питания - серия BV:2,7…3,6 В, серия LV:3,3±10% В, сектора большого объема | ||||||
| AT49BV002A(N)(T)2 | 256K x 8 | 70/90/120 | 25 | 1/0,5 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49BV512 | 64Kx8 | 120/150 | 25 | 1/0,5 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49BV/LV001(N)(T)3 | 128K x 8 | 70/90/120 | 25 | 3/0,5 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49BV/LV002(N)(T)3 | 256K x 8 | 70/90/120 | 25 | 3/0,5 | + | PLCC32, DIP32, TSOP32 |
| AT49BV/LV040 | 512Kx8 | 70/90/120 | 25 | 1/0,5 | + | PLCC32, TSOP32 |
| AT49BV/LV008A(T)3 | 1Mx 8 | 90/120 | 25 | 0,5/0,05 | + | TSOP40 |
| AT49BV/LV8192A(T)3 | 512Кх16 | 90/100/110 | 25 | 0,5/0,05 | + | TSOP48 |
| AT49LV1024/1025 | 64Kx16 | 70/90 | 25 | 0,5/0,13 | + | VSOP40/PLCC44 |
| AT49BV/LV1024A | 64Kx16 | 45/55/70 | 20 | 0,5/0,05 | + | VSOP40 |
| AT49BV/LV2048A | 256Kx 8 или 128Kx16 | 70/90/120 | 25 | 0,5/0,05 | + | SOIC44, TSOP48 |
| AT49BV/LV2048B | 128Kx16 | 45/55/70 | 25 | 0,5/0,05 | + | TSOP48 |
| Напряжение питания - серия BV:2,7…3,6 В, серия LV:3,3±10% В, сектора большого объема | ||||||
| AT49BV/LV4096A | 512Kx8 или 256Kx16 | 70/90/120 | 25 | 0,5/0,05 | + | SOIC44, TSOP48 |
| AT49BV/LV8011(T)4 | 512Kx16 или 1Mx8 | 90/120 | 30 | 1/0,01 | TSOP48 | |
| AT49BV/LV160(T)5 | 1Mx16 | 90/70 | 30 | 1/0,01 | TSOP48 | |
| AT49BV/LV161(T)5 | 1Mx16 или 2Mx8 | 90/70 | 30 | 1/0,01 | TSOP48 | |
| AT49BV320A(T)5 | 2Mx16 | 70/80 | 25 | -/0,25 | TSOP48 | |
| AT49BV322A(T)5 | 2Mx16 или 4Mx8 | 70/80 | 25 | -/0,25 | TSOP48 | |
2 Аналогично 1: загрузочный блок расположен в нижней (AT49FХХХ) или в верхней (AT49FХХХT) части цифрового поля и при активации программной защиты от его дальнейшей модификации может быть перепрограммирован путем подачи повышенного напряжения программирования (12,5 В) на вывод RESET.
3 Аналогично 2, только возможна поставка модификаций с рабочим напряжением (3,3+10%) В - серия LV
4 Адресное поле разделено на две области (для обеспечения операции одновременной записи/считывания). У микросхем с индексом (Т) большая область памяти размещена в верхней части адресного пространства, без индекса - в нижней части адресного пространства
5 У микросхем с индексом (Т) сектора большого объема (64К/32К) сосредоточены в верхней части адресного пространства, без индекса - в нижней части адресного пространства