Подробные описания в формате PDF вы можете загрузить напрямую, нажав на ссылку в наименовании компонента.
Расшифровка сокращений:Наименование | Краткое описание | Канал | Конфигурация | Корпус | Uси | Iс | Rds | Rds(10В) | Rds(4,5В) | Rds(2,5В) | Rds(1,8В) | Масса, г | FETBench | Заказать |
FDG6316P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 12 В | 0,7 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 0,36 Ом | 0,65 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | |
FDG330P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC70-6 | 12 В | 2 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,15 Ом | 0,215 Ом | 5 | FETBench | Заказать | |
FDC6318P | Сдвоенный P-канальный 1,8В PowerTrench MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 12 В | 2,5 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,125 Ом | 0,2 Ом | 5,4 | FETBench | Заказать | |
FDN306P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ®MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 12 В | 2,6 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 0,05 Ом | 0,08 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |
FDW2508PB | -12В Сдвоенный P-канальный -1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | TSSOP-8 | 12 В | 6 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,022 Ом | 0,03 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |
FDW2508P | Сдвоенный P-канальный 1,8 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | TSSOP-8 | 12 В | 6 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,022 Ом | 0,03 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |
FDC606P | P-канальный 1 ,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 12 В | 6 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 0,035 Ом | 0,053 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |
FDD306P | -12В P-канальный 1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 12 В | 6,7 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 0,041 Ом | 0,09 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |
FDW258P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET | P | Одиночный | TSSOP-8 | 12 В | 9 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 0,014 Ом | 0,02 Ом | 61 | FETBench | Заказать | |
FDR842P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench MOSFET | P | Одиночный | SSOT-8 | 12 В | 11 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,012 Ом | 0,016 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |
RF3S49092SM9A | 20A/10A, 12V, 0.060/0.140 Ом, с управлением логическими уровнями, Комплементарная пара Power MOSFET | N, P | Сдвоенный Common Drain | 12 В | 20 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 20 | FETBench | Заказать | ||||
FDY101PZ | -20В Одиночный P-канальный (-2,5V) (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC89 | 20 В | 0,15 А | 8000 мОм | 8 Ом | 12 Ом | 15 Ом | 1 | FETBench | Заказать | |
FDY2001PZ | -20В Сдвоенный P-канальный (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SC89 | 20 В | 0,15 А | 8000 мОм | 8 Ом | 12 Ом | 15 Ом | 1 | FETBench | Заказать | |
FDY301NZ | 20В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC89 | 20 В | 0,2 А | 5000 мОм | 5 Ом | 7 Ом | 9 Ом | 0,8 | FETBench | Заказать | |
FDY3001NZ | 20В Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SC89 | 20 В | 0,2 А | 5000 мОм | 5 Ом | 7 Ом | 9 Ом | 0,8 | FETBench | Заказать | |
FDY4001CZ | 20В Комплементарная пара N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Сдвоенный | SC89 | 20 В | 0,2 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 0,007 Ом | 0,009 Ом | 0,8 | FETBench | Заказать | |
FDY2000PZ | -20В Сдвоенный P-канальный (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SC89 | 20 В | 0,35 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 1,6 Ом | 2,7 Ом | 1 | FETBench | Заказать | |
FDY100PZ | -20В Одиночный P-канальный (- 2.5V) (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC89 | 20 В | 0,35 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 1,6 Ом | 2,7 Ом | 1 | FETBench | Заказать | |
FDG6318PZ | Сдвоенный P-канальный, цифровой FET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 20 В | 0,5 А | 780 мОм | 0,78 Ом | 1,2 Ом | 1,08 | FETBench | Заказать | ||
FDG6318P | Сдвоенный P-канальный, цифровой FET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 20 В | 0,5 А | 780 мОм | 0,78 Ом | 1,2 Ом | 0,86 | FETBench | Заказать | ||
FDG6306P | P-канальный 2 ,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 20 В | 0,6 А | 420 мОм | 0,42 Ом | 0,63 Ом | 1,4 | FETBench | Заказать | ||
FDY300NZ | 20В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC89 | 20 В | 0,6 А | 700 мОм | 0,7 Ом | 0,85 Ом | 1,25 Ом | 0,8 | FETBench | Заказать | |
FDY3000NZ | 20В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SC89 | 20 В | 0,6 А | 700 мОм | 0,7 Ом | 0,85 Ом | 1,25 Ом | 0,8 | FETBench | Заказать | |
FDY4000CZ | 20В Комплементарная пара N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Сдвоенный | SC89 | 20 В | 0,6 А | 700 мОм | 0,7 Ом | 0,85 Ом | 1,25 Ом | 0,8 | FETBench | Заказать | |
FDG6308P | Сдвоенный P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 20 В | 0,6 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 0,55 Ом | 0,8 Ом | 1,8 | FETBench | Заказать | |
FDG6332C | 20В N &P - Channel Power Trench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SC70-6 | 20 В | 0,7 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 0,4 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDG6335N | Сдвоенный 20В N-канальный PowerTrench MOSFET | N | Сдвоенный | SC70-6 | 20 В | 0,7 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 0,4 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDG6317NZ | Сдвоенный 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SC70-6 | 20 В | 0,7 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 0,55 Ом | 0,76 | FETBench | Заказать | ||
FDV305N | 20В N-канальный PowerTrench MOSFET | N | Одиночный | SOT-23 | 20 В | 0,9 А | 220 мОм | 0,22 Ом | 0,3 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
NDS332P | P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 0,41 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | ||
FDG312P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,2 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 0,25 Ом | 3,3 | FETBench | Заказать | ||
FDN336P | Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1,2 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 0,27 Ом | 3,6 | FETBench | Заказать | ||
NDS331N | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1,3 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,21 Ом | 3,5 | FETBench | Заказать | ||
FDG328P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,5 А | 145 мОм | 0,145 Ом | 0,21 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | ||
FDG327NZ | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,5 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,1 Ом | 0,14 Ом | 4,2 | FETBench | Заказать | |
FDG327N | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,5 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,1 Ом | 0,14 Ом | 4,5 | FETBench | Заказать | |
FDN308P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1,5 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 0,19 Ом | 3,8 | FETBench | Заказать | ||
FDG329N | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,5 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,115 Ом | 3,3 | FETBench | Заказать | ||
FDG326P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,5 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 0,18 Ом | 0,25 Ом | 4,4 | FETBench | Заказать | |
FDN338P | P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1,6 А | 115 мОм | 0,115 Ом | 0,155 Ом | 4,4 | FETBench | Заказать | ||
FDN335N | N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1,7 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,1 Ом | 3,5 | FETBench | Заказать | ||
NDS335N | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 1,7 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 6,4 | FETBench | Заказать | ||
FDC6306P | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 20 В | 1,9 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 0,25 Ом | 3 | FETBench | Заказать | ||
FDG311N | N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET | N | Одиночный | SC70-6 | 20 В | 1,9 А | 115 мОм | 0,115 Ом | 0,15 Ом | 3 | FETBench | Заказать | ||
FDN340P | -20В Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 2 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,11 Ом | 7,2 | FETBench | Заказать | ||
FDN327N | N-канальный 1,8 В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 2 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,08 Ом | 0,12 Ом | 4,5 | FETBench | Заказать | |
FDN342P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 2 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,13 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | ||
FDMA1027P | -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | MicroFET | 20 В | 2,2 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 0,16 Ом | 0,24 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |
FDC6310P | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 20 В | 2,2 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 0,19 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | ||
FDC6312P | Сдвоенный P-канальный 1,8В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 20 В | 2,3 А | 115 мОм | 0,115 Ом | 0,155 Ом | 0,225 Ом | 4,4 | FETBench | Заказать | |
FDN304PZ | P-канальный 1 ,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 2,4 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,07 Ом | 0,1 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |
FDN302P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 2,4 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,08 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDN304P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 2,4 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,07 Ом | 0,1 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |
FDC6327C | Сдвоенный N и P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 20 В | 2,7 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,12 Ом | 3,25 | FETBench | Заказать | ||
FDC6305N | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 20 В | 2,7 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,12 Ом | 3,5 | FETBench | Заказать | ||
NDH8304P | Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Сдвоенный | SSOT-8 | 20 В | 2,7 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,095 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDJ1027P | -20В P-канальный 1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | FLMP | 20 В | 2,8 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,23 Ом | 0,39 Ом | 3 | FETBench | Заказать | |
FDJ1032C | 20В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | FLMP | 20 В | 2,8 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,23 Ом | 0,39 Ом | 3 | FETBench | Заказать | |
FDC636P | P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 2,8 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 0,18 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
NDS9933A | Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 2,8 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 0,2 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDZ191P | -20В P-канальный 1.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® WL-CSP MOSFET | P | Одиночный | 1.0x1.5 WL-CSP | 20 В | 3 А | 85 мОм | 0,085 Ом | 0,123 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDZ193P | -20В P-канальный 1.7В PowerTrench® WL-CSP MOSFET | P | Одиночный | 1.0x1.5 WL-CSP | 20 В | 3 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,13 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
FDC6420C | 20В N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 20 В | 3 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,095 Ом | 3,3 | FETBench | Заказать | ||
FDN339AN | N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 20 В | 3 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,05 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
FDC6401N | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 20 В | 3 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,095 Ом | 3,3 | FETBench | Заказать | ||
FDMA1029PZ | -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | MicroFET | 20 В | 3,1 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,088 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
FDMA1025P | -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | MicroFET | 20 В | 3,1 А | 155 мОм | 0,155 Ом | 0,22 Ом | 3,4 | FETBench | Заказать | ||
FDJ1028N | 20В N-канальный 2.5В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | FLMP | 20 В | 3,2 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,13 Ом | 2 | FETBench | Заказать | ||
FDR8308P | Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-8 | 20 В | 3,2 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,07 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
SI9933BDY | -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 3,4 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 0,115 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDC634P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench®, MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 3,5 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,11 Ом | 7,2 | FETBench | Заказать | ||
FDS9431A | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 20 В | 3,5 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 0,18 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDMA1028NZ | 20В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | MicroFET | 20 В | 3,7 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 0,05 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FDMA1032CZ | 20В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | MicroFET | 20 В | 3,7 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 0,05 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FDMA1023PZ | -20В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | MicroFET | 20 В | 3,7 А | 72 мОм | 0,072 Ом | 0,095 Ом | 0,13 Ом | 8,6 | FETBench | Заказать | |
FDS9933A | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 3,8 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 0,105 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
FDW2504P | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 3,8 А | 43 мОм | 0,043 Ом | 0,07 Ом | 9,7 | FETBench | Заказать | ||
FDMC6890NZ | 20В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | Power 33 | 20 В | 4 А | 68 мОм | 0,068 Ом | 0,1 Ом | 2,4 | FETBench | Заказать | ||
SI3443DV | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 4 А | 65 мОм | 0,065 Ом | 0,1 Ом | 7,2 | FETBench | Заказать | ||
FDC642P | P-канальный 2 ,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 4 А | 65 мОм | 0,065 Ом | 0,1 Ом | 7,2 | FETBench | Заказать | ||
FDS8934A | Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 4 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,072 Ом | 20 | FETBench | Заказать | ||
FDJ127P | P-канальный -1,8 В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | FLMP | 20 В | 4,1 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,085 Ом | 0,133 Ом | 7,2 | FETBench | Заказать | |
FDJ129P | P-канальный -2,5В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDJ129P_F077 | P | Одиночный | FLMP | 20 В | 4,2 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,12 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FDC6020C | Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDC6020C_F077 | N P | Комплементарная пара | FLMP | 20 В | 4,2 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,082 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
FDW2502P | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 4,4 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,057 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDC638APZ | -20В P-канальный 2.5В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 4,5 А | 43 мОм | 0,043 Ом | 0,068 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
FDC640P | P-канальный 2,5В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 4,5 А | 53 мОм | 0,053 Ом | 0,08 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDC638P | Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 4,5 А | 48 мОм | 0,048 Ом | 0,065 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDW9926A | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 4,5 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,045 Ом | 6,1 | FETBench | Заказать | ||
FDW262P | 20В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TSSOP-8 | 20 В | 4,5 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 0,065 Ом | 0,1 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |
FDZ204P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | P | Одиночный | BGA | 20 В | 4,5 А | 45 мОм | 0,045 Ом | 0,075 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDR8305N | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SSOT-8 | 20 В | 4,5 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,028 Ом | 16,2 | FETBench | Заказать | ||
FDW9926NZ | 20В Common Draв N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный Common Drain | TSSOP-8 | 20 В | 4,5 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,045 Ом | 5,7 | FETBench | Заказать | ||
FDZ291P | -20В P-канальный 1.5 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | P | Одиночный | BGA | 20 В | 4,6 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 0,06 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDZ293P | -20В P-канальный 2.5 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | P | Одиночный | BGA | 20 В | 4,6 А | 44 мОм | 0,044 Ом | 0,07 Ом | 7,5 | FETBench | Заказать | ||
FDC6036P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDC6036P_F077 | P | Сдвоенный | FLMP | 20 В | 5 А | 44 мОм | 0,044 Ом | 0,064 Ом | 0,095 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |
FDS8433A | Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 20 В | 5 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 0,07 Ом | 20 | FETBench | Заказать | ||
FDS9933 | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 5 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,09 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDW2506P | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 5,3 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,033 Ом | 21 | FETBench | Заказать | ||
FDJ128N | N-канальный 2 ,5В Uзи Specified PowerTrench® MOSFET - рекомендуется FDJ128N_F077 | N | Одиночный | FLMP | 20 В | 5,5 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 0,051 Ом | 5 | FETBench | Заказать | ||
FDC604P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 5,5 А | 33 мОм | 0,033 Ом | 0,043 Ом | 0,06 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |
FDC602P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 5,5 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,05 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDW2501NZ | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 5,5 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,025 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDW2521C | Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N, P | Комплементарная пара | TSSOP-8 | 20 В | 5,5 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,035 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDW2503NZ | Сдвоенный - N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 5,5 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,026 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDZ202P | -20 P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | P | Одиночный | BGA | 20 В | 5,5 А | 45 мОм | 0,045 Ом | 0,075 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDW2503N | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 5,5 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,035 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDMA420NZ | 20В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | MicroFET | 20 В | 5,7 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 8,8 | FETBench | Заказать | |||
FDC608PZ | -20В P-канальный 2.5В PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 5,8 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,043 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDW2512NZ | 20В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 6 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FDZ294N | 20В N-канальный 2.5 В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | N | Одиночный | BGA | 20 В | 6 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,034 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
FDS6875 | Сдвоенный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 6 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,04 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
FDT434P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-223 | 20 В | 6 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,07 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FDW2520C | Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N, P | Комплементарная пара | TSSOP-8 | 20 В | 6 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,028 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDW2501N | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 6 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,028 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDMB668P | -20В P-канальный 1,8В с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | MicroFET | 20 В | 6,1 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,05 Ом | 0,07 Ом | 42 | FETBench | Заказать | |
FDC637AN | Одиночный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 20 В | 6,2 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 0,032 Ом | 10,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS9926A | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 6,5 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,043 Ом | 6,2 | FETBench | Заказать | ||
FDS9934C | 20В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N, P | Комплементарная пара | SO-8 | 20 В | 6,5 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,043 Ом | 6,2 | FETBench | Заказать | ||
FDMA291P | -20В Одиночный P-канальный 1.8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | MicroFET | 20 В | 6,6 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 0,058 Ом | 0,0968 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |
FDS6812A | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 6,7 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,035 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDMB506P | -20В P-канальный 1,8В с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | MicroFET | 20 В | 6,8 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,038 Ом | 0,07 Ом | 3,5 | FETBench | Заказать | |
FDC699P | P-канальный 2,5В Power Mosfet® MOSFET рекомендуется FDC699P_F077 | P | Одиночный | FLMP | 20 В | 7 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,03 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FDW2511NZ | 20В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | TSSOP-8 | 20 В | 7,1 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 11,5 | FETBench | Заказать | |||
FDMW2512NZ | 20В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Однокристальный с общим стоком | MLP 2x5 6L | 20 В | 7,2 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 9 | FETBench | Заказать | |||
FDMA520PZ | -20В Одиночный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | MicroFET | 20 В | 7,3 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,053 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDC6000NZ | Сдвоенный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET рекомендуется FDC6000NZ_F077 | N | Сдвоенный | FLMP | 20 В | 7,3 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,028 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
NDS8425 | Одиночный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 20 В | 7,4 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,028 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDS6890A | Сдвоенный N-канальный 2 ,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 7,5 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,022 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
FDS6911 | 20В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 7,5 А | 13 мОм | 0,013 Ом | 0,017 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDZ203N | 20В N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | N | Одиночный | BGA | 20 В | 7,5 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,03 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDS6892A | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 7,5 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,024 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDW2507N | Common Draв N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный Common Drain | TSSOP-8 | 20 В | 7,5 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 0,023 Ом | 20 | FETBench | Заказать | ||
FDS6892AZ | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 7,5 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,024 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDMC3300NZA | 20В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Однокристальный с общим стоком | Power 33 | 20 В | 8 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 0,034 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
FDC697P | P-канальный 1,8В PowerTrench® MOSFET рекомендуется FDC697P_F077 | P | Одиночный | FLMP | 20 В | 8 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,025 Ом | 0,035 Ом | 39 | FETBench | Заказать | |
FDS6375 | Одиночный P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFFET | P | Одиночный | SO-8 | 20 В | 8 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 0,032 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
FDR838P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-8 | 20 В | 8 А | 17 мОм | 0,017 Ом | 0,024 Ом | 30 | FETBench | Заказать | ||
FDS6894A | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench ® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 8 А | 17 мОм | 0,017 Ом | 0,02 Ом | 0,03 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |
FDS6894AZ | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench ® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 8 А | 17 мОм | 0,017 Ом | 0,02 Ом | 0,03 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |
FDM2509NZ | 20В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный Common Drain | MLP 2x5 6L | 20 В | 8,7 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FDW252P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TSSOP-8 | 20 В | 8,8 А | 12 мОм | 0,0125 Ом | 0,018 Ом | 41 | FETBench | Заказать | ||
FDZ201N | 20В N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | N | Одиночный | BGA | 20 В | 9 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,03 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDW254P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TSSOP-8 | 20 В | 9,2 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 0,015 Ом | 0,0215 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |
FDW254PZ | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TSSOP-8 | 20 В | 9,2 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 0,015 Ом | 0,0215 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |
FDS6898A | 20В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 9,4 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,018 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDS6898AZ | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PWM Opitimized PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 20 В | 9,4 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,018 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDR840P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-8 | 20 В | 10 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 0,016 Ом | 41 | FETBench | Заказать | ||
FDR844P | P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-8 | 20 В | 10 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 0,014 Ом | 0,02 Ом | 53 | FETBench | Заказать | |
FDS6575 | Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 20 В | 10 А | 13 мОм | 0,013 Ом | 0,017 Ом | 50 | FETBench | Заказать | ||
FDM3300NZ | сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench ® MOSFET | N | Сдвоенный Common Drain | Power 33 | 20 В | 10 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,028 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDS6576 | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 20 В | 11 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,02 Ом | 43 | FETBench | Заказать | ||
FDZ206P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® BGA MOSFET | P | Одиночный | BGA | 20 В | 13 А | 9 мОм | 0,0095 Ом | 0,0145 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
FDS4465 | P-канальный 1 ,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 20 В | 13,5 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,0105 Ом | 0,014 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |
FDS6570A | Одиночный N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 20 В | 15 А | 7 мОм | 0,0075 Ом | 0,01 Ом | 47 | FETBench | Заказать | ||
FDS6574A | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 20 В | 16 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,007 Ом | 0,009 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |
FDS6572A | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 20 В | 16 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,008 Ом | 57 | FETBench | Заказать | ||
FDB4020P | P-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи), МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 20 В | 16 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,11 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
FDMC8554 | 20В N-канальный Power Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 20 В | 20 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 0,064 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDD6530A | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 20 В | 21 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,047 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS6162N3 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 20 В | 21 А | 4 мОм | 0,0045 Ом | 0,006 Ом | 52 | FETBench | Заказать | ||
FDS6064N3 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 20 В | 23 А | 4 мОм | 0,004 Ом | 0,005 Ом | 0,007 Ом | 70 | FETBench | Заказать | |
FDS6162N7 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 20 В | 23 А | 3 мОм | 0,0035 Ом | 0,005 Ом | 52 | FETBench | Заказать | ||
FDS6064N7 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 20 В | 23 А | 3 мОм | 0,0035 Ом | 0,004 Ом | 0,006 Ом | 70 | FETBench | Заказать | |
NDB6020P | P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 20 В | 24 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,075 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
NDP6020P | -20В P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | TO-220 | 20 В | 24 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,075 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDB6021P | 20В P-канальный 1,8В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 20 В | 28 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,04 Ом | 0,065 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |
FDD8580 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 20 В | 35 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,013 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDD8586 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 20 В | 35 А | 5 мОм | 0,0055 Ом | 0,0085 Ом | 34 | FETBench | Заказать | ||
FDU8586 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 20 В | 35 А | 5 мОм | 0,0055 Ом | 0,0085 Ом | 34 | FETBench | Заказать | ||
FDU8580 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 20 В | 35 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,013 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDD6512A | 20В N-канальный PowerTrench MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 20 В | 36 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,031 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDU6512A | 20В N-канальный PwoerTrench MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 20 В | 36 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,031 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDD3706 | 20В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 20 В | 50 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,011 Ом | 0,016 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |
FDV302P | цифровой FET,P-канальный | P | Одиночный | SOT-23 | 25 В | 0,12 А | 10000 мОм | 10 Ом | 13 Ом | 0,22 | FETBench | Заказать | ||
FDC6302P | цифровой FET, Сдвоенный P-канальный | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 25 В | 0,12 А | 13000 мОм | 10 Ом | 13 Ом | 0,22 | FETBench | Заказать | ||
FDG6302P | Сдвоенный P-канальный цифровой FET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 25 В | 0,14 А | 10000 мОм | 10 Ом | 13 Ом | 0,22 | FETBench | Заказать | ||
FDC6320C | Сдвоенный N и P-канальный, цифровой FET | N P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 25 В | 0,22 А | 5000 мОм | 5 Ом | 0,29 | FETBench | Заказать | |||
FDV301N | N-канальный,цифровой FET | N | Одиночный | SOT-23 | 25 В | 0,22 А | 4000 мОм | 4 Ом | 5 Ом | 0,49 | FETBench | Заказать | ||
FDG6301N | Сдвоенный N-канальный цифровой FET | N | Сдвоенный | SC70-6 | 25 В | 0,22 А | 4000 мОм | 4 Ом | 5 Ом | 0,29 | FETBench | Заказать | ||
FDC6301N | Сдвоенный N-канальный, цифровой FET | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 25 В | 0,22 А | 4000 мОм | 4 Ом | 5 Ом | 0,49 | FETBench | Заказать | ||
FDG6322C | Сдвоенный N и P-канальный цифровой FET | N P | Комплементарная пара | SC70-6 | 25 В | 0,22 А | 4000 мОм | 4 Ом | 5 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDG6320C | Сдвоенный N и P-канальный цифровой FET | N P | Комплементарная пара | SC70-6 | 25 В | 0,22 А | 4000 мОм | 4 Ом | 5 Ом | 0,29 | FETBench | Заказать | ||
FDC6322C | Сдвоенный N и P-канальный, цифровой FET | N, P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 25 В | 0,22 А | 5000 мОм | 5 Ом | 0,49 | FETBench | Заказать | |||
FDG6304P | Сдвоенный P-канальный цифровой FET | P | Сдвоенный | SC70-6 | 25 В | 0,41 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 1,5 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDC6304P | цифровой FET, Сдвоенный P-канальный | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 25 В | 0,46 А | 1500 мОм | 1,1 Ом | 1,5 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDV304P | P-канальный цифровой FET | P | Одиночный | SOT-23 | 25 В | 0,46 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 1,5 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDG6321C | Сдвоенный N и P-канальный цифровой FET | N P | Комплементарная пара | SC70-6 | 25 В | 0,5 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 0,6 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | ||
FDG6303N | Сдвоенный N-канальный цифровой FET | N | Сдвоенный | SC70-6 | 25 В | 0,5 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 0,6 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | ||
FDG6313N | 25В Сдвоенный N-канальный, цифровой FET | N | Сдвоенный | SC70-6 | 25 В | 0,5 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 0,6 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | ||
FDG314P | цифровой FET - P-канальный | P | Одиночный | SC70-6 | 25 В | 0,65 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 1,5 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDV303N | цифровой FET, N-канальный | N | Одиночный | SOT-23 | 25 В | 0,68 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 0,6 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | ||
FDC6303N | цифровой FET, Сдвоенный N-канальный | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 25 В | 0,68 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 0,6 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | ||
FDC6321C | Сдвоенный N и P-канальный, цифровой FET | N P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 25 В | 0,68 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | |||
FDG313N | цифровой FET, N-канальный | N | Одиночный | SC70-6 | 25 В | 0,95 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 0,6 Ом | 1,64 | FETBench | Заказать | ||
FDD8750 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 25 В | 2,7 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 0,06 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDD8780 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 25 В | 35 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,012 Ом | 11,2 | FETBench | Заказать | ||
FDD8796 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 25 В | 35 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,008 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDD8770 | 25В N-канальный PowerTrench®: MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 25 В | 35 А | 4 мОм | 0,004 Ом | 0,0055 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDD8782 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 25 В | 35 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 0,014 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
FDD8778 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 25 В | 35 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,021 Ом | 6,7 | FETBench | Заказать | ||
FDU8796 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 25 В | 35 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,08 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDU8780 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 25 В | 35 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,012 Ом | 11,2 | FETBench | Заказать | ||
FDU8778 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 25 В | 35 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,021 Ом | 6,7 | FETBench | Заказать | ||
FDU8782 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 25 В | 35 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 0,014 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
FDU8770 | 25В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 25 В | 35 А | 4 мОм | 0,004 Ом | 0,0055 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDS8813NZ | 30 Volt N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 0,005 А | 10000 мОм | 28 | FETBench | Заказать | ||||
FDG8850NZ | 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SC70-6 | 30 В | 0,75 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 0,5 Ом | 1,03 | FETBench | Заказать | ||
FDG8842CZ | Q1:30V/Q2: -25В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SC70-6 | 30 В | 0,75 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 0,5 Ом | 1,03 | FETBench | Заказать | ||
FDN352AP | -30В Одиночный P-канальный, Trench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 1,3 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 0,3 Ом | 1,4 | FETBench | Заказать | ||
FDN361BN | 30В N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 1,4 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,16 Ом | 1,3 | FETBench | Заказать | ||
NDS351AN | N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 1,4 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,25 Ом | 1,3 | FETBench | Заказать | ||
FDN358P | Одиночный P-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 1,5 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 0,2 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FDG316P | P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SC70-6 | 30 В | 1,6 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 0,3 Ом | 3,5 | FETBench | Заказать | ||
NDS355AN | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 1,7 А | 85 мОм | 0,085 Ом | 0,125 Ом | 3,5 | FETBench | Заказать | ||
FDC6506P | Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 30 В | 1,8 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 0,28 Ом | 2,3 | FETBench | Заказать | ||
FDN357N | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 1,9 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,09 Ом | 4,2 | FETBench | Заказать | ||
FDN360P | Одиночный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 2 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,125 Ом | 6,2 | FETBench | Заказать | ||
FDG315N | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC70-6 | 30 В | 2 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 0,16 Ом | 2,1 | FETBench | Заказать | ||
FDN337N | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 2,2 А | 65 мОм | 0,065 Ом | 0,082 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
NDC652P | P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 2,4 А | 180 мОм | 0,11 Ом | 0,18 Ом | 10,5 | FETBench | Заказать | ||
FDC6432SH | 12В P-канальный PowerTrench® MOSFET, 30В PowerTrench® SyncFET | N, P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 30 В | 2,4 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,09 Ом | 0,125 Ом | 2,5 | FETBench | Заказать | |
FDC6561AN | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 30 В | 2,5 А | 95 мОм | 0,095 Ом | 0,145 Ом | 2,1 | FETBench | Заказать | ||
FDC6333C | 30В N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 30 В | 2,5 А | 95 мОм | 0,095 Ом | 0,15 Ом | 4,7 | FETBench | Заказать | ||
FDN372S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET | N | SyncFET | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 2,6 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 0,05 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | ||
FDN359BN | 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 30 В | 2,7 А | 46 мОм | 0,046 Ом | 0,06 Ом | 5 | FETBench | Заказать | ||
FDMA2002NZ | 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | MicroFET | 30 В | 2,9 А | 123 мОм | 0,123 Ом | 0,163 Ом | 2,4 | FETBench | Заказать | ||
FDS9953A | Сдвоенный 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 2,9 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 0,2 Ом | 2,5 | FETBench | Заказать | ||
FDR8508P | Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SSOT-8 | 30 В | 3 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,075 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
NDC651N | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 3,2 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,09 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDT458P | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 3,4 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 0,2 Ом | 2,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS9400A | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 3,4 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 0,2 Ом | 2,4 | FETBench | Заказать | ||
FDS6961A | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 3,5 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,14 Ом | 2,1 | FETBench | Заказать | ||
FDC654P | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 3,6 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 0,125 Ом | 6,2 | FETBench | Заказать | ||
SI4532DY | Сдвоенный N и P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 3,9 А | 65 мОм | 0,065 Ом | 0,095 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | ||
FDC658AP | -30В Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 4 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,075 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDS8947A | Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 4 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,08 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDS8333C | 30В N и P-канальный PowerTrench ® MOSFET | N, P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 4,1 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 0,13 Ом | 4,7 | FETBench | Заказать | ||
FDMB3800N | 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | MicroFET | 30 В | 4,8 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 0,051 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FDMA430NZ | 30В Одиночный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench. ®MOSFET | N | Одиночный | MicroFET | 30 В | 5 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 7,3 | FETBench | Заказать | |||
FDT457N | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 5 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,09 Ом | 4,2 | FETBench | Заказать | ||
FDC653N | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 5 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,055 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
NDT452AP | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 5 А | 65 мОм | 0,065 Ом | 0,1 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
FDS4953 | Сдвоенный30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 5 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,095 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDC633N | 30В N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 5,2 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 0,054 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDS9435A | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 5,3 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,08 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDS6984AS | 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-8 | 30 В | 5,5 А | 31 мОм | 0,031 Ом | 0,04 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FDS6930B | 30В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 5,5 А | 38 мОм | 0,038 Ом | 0,05 Ом | 2,7 | FETBench | Заказать | ||
FDS8928A | Сдвоенный N и P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 5,5 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,038 Ом | 19,8 | FETBench | Заказать | ||
FDS8926A | Сдвоенный N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 5,5 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,038 Ом | 19,8 | FETBench | Заказать | ||
NDT454P | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 5,9 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 0,09 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDS6975 | Сдвоенный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 6 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,045 Ом | 14,5 | FETBench | Заказать | ||
FDC655BN | 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 30 В | 6,3 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 0,033 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDS6982AS | 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFet™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-8 | 30 В | 6,3 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 0,035 Ом | 6 | FETBench | Заказать | ||
FDT439N | N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи), МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 6,3 А | 45 мОм | 0,045 Ом | 0,058 Ом | 10,7 | FETBench | Заказать | ||
FDS6986AS | 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-8 | 30 В | 6,5 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,028 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS6630A | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 6,5 А | 38 мОм | 0,038 Ом | 0,053 Ом | 5 | FETBench | Заказать | ||
FDT459N | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 6,5 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,055 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDMA530PZ | -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | MicroFET | 30 В | 6,8 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,065 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDS4935BZ | -30В Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 6,9 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,035 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDS6900AS | 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-8 | 30 В | 6,9 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 0,034 Ом | 6,1 | FETBench | Заказать | ||
FDS6994S | Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-8 | 30 В | 6,9 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,026 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
FDS8984 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 7 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,03 Ом | 5 | FETBench | Заказать | ||
FDS8962C | 30В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 7 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,044 Ом | 10,7 | FETBench | Заказать | ||
FDS8958 | 30В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 7 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 0,04 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDS4935A | Сдвоенный 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 7 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,035 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FDS8958A | Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 7 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 0,04 Ом | 10,7 | FETBench | Заказать | ||
FDS4935 | Сдвоенный 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 7 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,035 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
NDT451AN | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 7,2 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,05 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDS8978 | 30В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 7,5 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,021 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDS6910 | 30В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 7,5 А | 13 мОм | 0,013 Ом | 0,017 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDS6990AS | 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Сдвоенный SyncFET | SO-8 | 30 В | 7,5 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,028 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
NDT456P | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-223 | 30 В | 7,5 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,045 Ом | 47 | FETBench | Заказать | ||
FDW256P | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TSSOP-8 | 30 В | 8 А | 13 мОм | 0,0135 Ом | 0,02 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
FDS9412A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 8 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,025 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDR858P | Одиночный P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-8 | 30 В | 8 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 0,028 Ом | 21 | FETBench | Заказать | ||
FDM2452NZ | 30В сдвоенный с общим стоком, N-канальный 2,5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Однокристальный с общим стоком | MLP 2x5 6L | 30 В | 8,1 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |||
FDW2601NZ | 30В Сдвоенный N-канальный 2.5В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный Common Drain | TSSOP-8 | 30 В | 8,2 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FDS8884 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 8,5 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,03 Ом | 5 | FETBench | Заказать | ||
FDS6984S | Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench® SyncFet™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-8 | 30 В | 8,5 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 0,028 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDS8858CZ | 30В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 8,6 А | 17 мОм | 0,017 Ом | 0,02 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDS6982 | Сдвоенный N-канальный, для источников питания ноутбуков, MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 30 В | 8,6 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 0,02 Ом | 18,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS4435BZ | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 8,8 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,035 Ом | 16,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS6692A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 9 А | 11 мОм | 0,0115 Ом | 0,0145 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
FDD6632 | 30В N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® Trench Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 9 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 0,11 Ом | 2,6 | FETBench | Заказать | ||
FDS4501H | Комплементарная пара PowerTrench® Half-Bridge MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 30 В | 9,3 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,046 Ом | 0,063 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |
FDS6690AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 10 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 0,015 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDS4410A | 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 10 А | 13 мОм | 0,0135 Ом | 0,02 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDS8878 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 10,2 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,017 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDS6675BZ | -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 11 А | 13 мОм | 0,013 Ом | 0,0218 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDQ7238AS | 30В Сдвоенный, для источников питания ноутбуков N-канальный PowerTrench ® в SO-14 корпусе | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | SO-14 | 30 В | 11 А | 13 мОм | 0,0132 Ом | 0,016 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
FDS6690A | Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, Power Trench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 11 А | 12 мОм | 0,0125 Ом | 0,017 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDR4420A | Одиночный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-8 | 30 В | 11 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,013 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
FDM6296 | 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 30 В | 11,5 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 0,015 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDS6680AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 11,5 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,0011 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
FDR6674A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-8 | 30 В | 11,5 А | 9 мОм | 0,0085 Ом | 0,0095 Ом | 33 | FETBench | Заказать | ||
FDS8880 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 11,6 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 0,012 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDC796N | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 30 В | 12,5 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,012 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDS8876 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 12,5 А | 8 мОм | 0,0082 Ом | 0,0102 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FDZ208P | P-канальный 30В PowerTrench® BGA MOSFET | P | Одиночный | BGA | 30 В | 12,5 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 0,0165 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDS6680A | 30В Одиночный N-канальный, с управлением логическими уровнями, Power Trench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 12,5 А | 9 мОм | 0,0095 Ом | 0,013 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDS6298 | 30В N-канальный Fast Switching PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 13 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,012 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDS6679AZ | -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 13 А | 9 мОм | 0,0093 Ом | 0,0148 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
FDS6294 | 30В N-канальный Fast Switching PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 13 А | 11 мОм | 0,0113 Ом | 0,0144 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDS6670A | Одиночный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 13 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,01 Ом | 21 | FETBench | Заказать | ||
FDS6670AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 13,5 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,0115 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FDS7764S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 13,5 А | 7 мОм | 0,0075 Ом | 0,009 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDS8690 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 14 А | 7 мОм | 0,0076 Ом | 0,0114 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDS6682 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 14 А | 7 мОм | 0,0075 Ом | 0,009 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
FDS6676AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 14,5 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,0073 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDS6673BZ | -30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 14,5 А | 7 мОм | 0,0078 Ом | 0,012 Ом | 46 | FETBench | Заказать | ||
FDMC8854 | 30В N-канальный Power Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 30 В | 15 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,0076 Ом | 41 | FETBench | Заказать | ||
FDS8896 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 16 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,0073 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
FDS8874 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 16 А | 5 мОм | 0,0055 Ом | 0,007 Ом | 30 | FETBench | Заказать | ||
FDMS9620S | 30В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | Power 56 | 30 В | 16 А | 21 мОм | 0,0215 Ом | 0,0295 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDS6688 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 16 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,007 Ом | 40 | FETBench | Заказать | ||
FDS6688S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 16 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,0075 Ом | 56 | FETBench | Заказать | ||
FDMC8878 | 30В N-канальный Power Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 30 В | 16,5 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,017 Ом | 18 | FETBench | Заказать | ||
FDS8870 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 18 А | 4 мОм | 0,0042 Ом | 0,0049 Ом | 45 | FETBench | Заказать | ||
FDS6689S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 18,5 А | 5 мОм | 0,0054 Ом | 0,0065 Ом | 31 | FETBench | Заказать | ||
FDS6681Z | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 30 В | 20 А | 4 мОм | 0,0046 Ом | 0,0065 Ом | 105 | FETBench | Заказать | ||
FDS8812NZ | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 20 А | 4 мОм | 0,004 Ом | 0,049 Ом | 49 | FETBench | Заказать | ||
FDS8817NZ | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 20 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 0,01 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDS7288N3 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 30 В | 20,5 А | 4 мОм | 0,0045 Ом | 0,0056 Ом | 26 | FETBench | Заказать | ||
FDS6299S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 21 А | 3 мОм | 0,0039 Ом | 0,0051 Ом | 31 | FETBench | Заказать | ||
FDS6699S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | SO-8 | 30 В | 21 А | 3 мОм | 0,0036 Ом | 0,0045 Ом | 35 | FETBench | Заказать | ||
FDS8670 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 30 В | 21 А | 3 мОм | 0,0037 Ом | 0,005 Ом | 30 | FETBench | Заказать | ||
FDD6630A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 21 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,05 Ом | 5 | FETBench | Заказать | ||
FDS7088N3 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 30 В | 21 А | 4 мОм | 0,004 Ом | 0,0055 Ом | 37 | FETBench | Заказать | ||
FDMS8660S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | Power 56 | 30 В | 25 А | 2 мОм | 0,0024 Ом | 0,0035 Ом | 44 | FETBench | Заказать | ||
FDMS8690 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 30 В | 27 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,0125 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDD6612A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 30 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,028 Ом | 6,7 | FETBench | Заказать | ||
NDP6030PL | P-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | TO-220 | 30 В | 30 А | 42 мОм | 0,025 Ом | 0,042 Ом | 26 | FETBench | Заказать | ||
FDU6612A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 30 В | 30 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,028 Ом | 6,7 | FETBench | Заказать | ||
FDMS8672S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | Power 56 | 30 В | 35 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 0,007 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDD068AN03L | N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 35 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,0068 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDP8878 | 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 40 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 0,019 Ом | 17,1 | FETBench | Заказать | ||
FDD6685 | 30В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 40 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,03 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDD8878 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 40 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 0,0185 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDB6030BL | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 40 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,024 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDP6030BL | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 40 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 0,024 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDU8878 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 30 В | 40 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 0,0185 Ом | 10 | FETBench | Заказать | ||
FDMS8670S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | Power 56 | 30 В | 42 А | 3 мОм | 0,0035 Ом | 0,005 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDB6690S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | TO-263(D2PAK) | 30 В | 42 А | 15 мОм | 0,0155 Ом | 0,023 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDB8878 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 48 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,018 Ом | 17,1 | FETBench | Заказать | ||
FDD6296 | 30В N-канальный Fast Switching PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 50 А | 8 мОм | 0,0088 Ом | 0,0113 Ом | 22,5 | FETBench | Заказать | ||
FDB8880 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 54 А | 11 мОм | 0,0116 Ом | 0,0145 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
FDP8880 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 54 А | 11 мОм | 0,0116 Ом | 0,0145 Ом | 26 | FETBench | Заказать | ||
FDD8882 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 55 А | 11 мОм | 0,0115 Ом | 0,015 Ом | 11,7 | FETBench | Заказать | ||
FDD6680AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | TO-252(DPAK) | 30 В | 55 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 0,013 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDU8882 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 30 В | 55 А | 11 мОм | 0,0115 Ом | 0,015 Ом | 11,7 | FETBench | Заказать | ||
FDD8880 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 58 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,012 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FDU8880 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 30 В | 58 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 0,013 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FDB7030BL | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 60 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,012 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDP7030BL | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 60 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 0,012 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
FDB6670AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | TO-263(D2PAK) | 30 В | 62 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,0105 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
FDD6672A | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 65 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,0095 Ом | 33 | FETBench | Заказать | ||
FDD6670A | 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 66 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,01 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDP8876 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 70 А | 8 мОм | 0,0087 Ом | 0,0105 Ом | 32 | FETBench | Заказать | ||
FDB8876 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 71 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,0103 Ом | 32 | FETBench | Заказать | ||
FDD8876 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 73 А | 8 мОм | 0,0082 Ом | 0,01 Ом | 18 | FETBench | Заказать | ||
ISL9N303AS3 | Одиночный Commercial N-канальный PowerTrench MOSFET, 30V, 75A, 0.0032 Ом @ В Uзи= 10V, TO-262/I2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 30 В | 75 А | 3 мОм | 0,0032 Ом | 0,005 Ом | 61 | FETBench | Заказать | ||
ISL9N302AS3ST | N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, UltraFET® Trench Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 75 А | 2 мОм | 0,0025 Ом | 0,0033 Ом | 200 | FETBench | Заказать | ||
ISL9N302AP3 | N-канальный с управлением логическими уровнями, оптимизирован для PWM, UltraFET® Trench Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 75 А | 2 мОм | 0,0025 Ом | 0,0033 Ом | 110 | FETBench | Заказать | ||
ISL9N303AP3 | N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 75 А | 3 мОм | 0,0032 Ом | 0,005 Ом | 61 | FETBench | Заказать | ||
ISL9N303AS3ST | N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 75 А | 3 мОм | 0,0032 Ом | 0,005 Ом | 151 | FETBench | Заказать | ||
FDD6670AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | TO-252(DPAK) | 30 В | 76 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,0104 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDU6670AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | TO-251(IPAK) | 30 В | 76 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,0104 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDP8860 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 80 А | 2 мОм | 0,0025 Ом | 0,0029 Ом | 81 | FETBench | Заказать | ||
FDB8860 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 80 А | 2 мОм | 0,0023 Ом | 0,0027 Ом | 165 | FETBench | Заказать | ||
FDB8832 | 30В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 80 А | 1 мОм | 0,0019 Ом | 0,0022 Ом | 100 | FETBench | Заказать | ||
FDB8030L | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 80 А | 3 мОм | 0,0035 Ом | 0,0045 Ом | 120 | FETBench | Заказать | ||
FDP8030L | N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 80 А | 3 мОм | 0,0035 Ом | 0,0045 Ом | 120 | FETBench | Заказать | ||
FDD6670AL | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 84 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 0,006 Ом | 37 | FETBench | Заказать | ||
FDD6688 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 84 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 0,006 Ом | 37 | FETBench | Заказать | ||
FDD6688S | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | SyncFET | TO-252(DPAK) | 30 В | 88 А | 5 мОм | 0,0051 Ом | 0,0063 Ом | 31 | FETBench | Заказать | ||
FDD6676AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 90 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,0071 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDU6676AS | 30В N-канальный PowerTrench® SyncFET™ | N | Сдвоенный (MOSFET and SyncFET) | TO-251(IPAK) | 30 В | 90 А | 5 мОм | 0,0058 Ом | 0,0073 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDP8896 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 92 А | 5 мОм | 0,0059 Ом | 0,007 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDB8896 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 93 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,0068 Ом | 48 | FETBench | Заказать | ||
FDD8896 | 30В N-канальный PowerTrench®MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 94 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,0068 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDU8896 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 30 В | 94 А | 5 мОм | 0,0057 Ом | 0,0068 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDP8874 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 114 А | 5 мОм | 0,0053 Ом | 0,0066 Ом | 56 | FETBench | Заказать | ||
FDD8874 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 116 А | 5 мОм | 0,0051 Ом | 0,0064 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDU8874 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 30 В | 116 А | 5 мОм | 0,0051 Ом | 0,0064 Ом | 29 | FETBench | Заказать | ||
FDB8874 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 121 А | 4 мОм | 0,0047 Ом | 0,006 Ом | 56 | FETBench | Заказать | ||
FDP8870 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 30 В | 156 А | 4 мОм | 0,0041 Ом | 0,0046 Ом | 106 | FETBench | Заказать | ||
FDD8870 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 30 В | 160 А | 3 мОм | 0,0039 Ом | 0,0044 Ом | 48 | FETBench | Заказать | ||
FDB8870 | 30В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 30 В | 160 А | 3 мОм | 0,0039 Ом | 0,0044 Ом | 106 | FETBench | Заказать | ||
FDS8960C | 35В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 35 В | 7 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 0,032 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | ||
FDD6637 | -35В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 35 В | 55 А | 11 мОм | 0,0116 Ом | 0,018 Ом | 45 | FETBench | Заказать | ||
FDD6635 | 35В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 35 В | 59 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 0,013 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FDS4895C | 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 40 В | 5,5 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 0,063 Ом | 7 | FETBench | Заказать | ||
FDS8949 | 40В Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 40 В | 6 А | 29 мОм | 0,029 Ом | 0,036 Ом | 7,7 | FETBench | Заказать | ||
FDS4897C | 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 40 В | 6,2 А | 29 мОм | 0,029 Ом | 0,036 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDD4243 | 40В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 6,7 А | 44 мОм | 0,044 Ом | 0,064 Ом | 21 | FETBench | Заказать | ||
FDS4885C | 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 40 В | 7,5 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FDS8449 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 40 В | 7,6 А | 29 мОм | 0,029 Ом | 0,036 Ом | 2,4 | FETBench | Заказать | ||
FDS4685 | 40В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 40 В | 8,2 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 0,035 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDS4480 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 40 В | 10,8 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FDS4675 | 40В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SO-8 | 40 В | 11 А | 13 мОм | 0,013 Ом | 0,017 Ом | 40 | FETBench | Заказать | ||
FDS4672A | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 40 В | 11 А | 13 мОм | 0,013 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FDS4072N7 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 40 В | 12,4 А | 11 мОм | 0,009 Ом | 0,011 Ом | 33 | FETBench | Заказать | ||
FDS4072N3 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 40 В | 12,4 А | 12 мОм | 0,01 Ом | 0,012 Ом | 33 | FETBench | Заказать | ||
FDS4470 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 40 В | 12,5 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FDS8447 | 40В Одиночный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 40 В | 12,8 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 0,0123 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDS4080N3 | 40В N-канальный FLMP PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 40 В | 13 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FDS4080N7 | 40В N-канальный FLMP™ PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 40 В | 13 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FDS4770 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 40 В | 13,2 А | 7 мОм | 0,0075 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDS4070N3 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 40 В | 15,3 А | 7 мОм | 0,0075 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDS4070N7 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 40 В | 15,3 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDD8424H | 40В Сдвоенный N и P-канальный PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | TO-252 DPAK | 40 В | 20 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 0,03 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDD8451 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 28 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 0,03 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FDD4685 | -40В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 32 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 0,035 Ом | 19 | FETBench | Заказать | ||
FDD8444L | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 50 А | 5 мОм | 0,0052 Ом | 0,0065 Ом | 46 | FETBench | Заказать | ||
FDB8447L | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 40 В | 50 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,011 Ом | 20 | FETBench | Заказать | ||
FDD8447L | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 54 А | 8 мОм | 0,0085 Ом | 0,011 Ом | 37 | FETBench | Заказать | ||
FDD8445 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 70 А | 8 мОм | 0,0087 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FDB8444 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 40 В | 70 А | 5 мОм | 0,0055 Ом | 91 | FETBench | Заказать | |||
FDB8445 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 40 В | 70 А | 17 мОм | 0,0172 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FDB8441 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 40 В | 80 А | 2 мОм | 0,0025 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
FDP8441 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 40 В | 80 А | 2 мОм | 0,0027 Ом | 215 | FETBench | Заказать | |||
FDB8442 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 40 В | 80 А | 2 мОм | 0,0029 Ом | 181 | FETBench | Заказать | |||
FDD8444 | 40В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 40 В | 145 А | 5 мОм | 0,0052 Ом | 89 | FETBench | Заказать | |||
BSS84 | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-23 | 50 В | 0,13 А | 10000 мОм | 10 Ом | 0,9 | FETBench | Заказать | |||
BSS138 | 50В N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23 | 50 В | 0,22 А | 3500 мОм | 3,5 Ом | 6 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | ||
NDC7002N | Сдвоенный N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 50 В | 0,51 А | 2000 мОм | 2 Ом | 1 | FETBench | Заказать | |||
SSD2007A | 50В N-канальный Сдвоенный Power MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 50 В | 2 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 0,5 Ом | 11,5 | FETBench | Заказать | ||
FDS5692Z | 50В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 50 В | 5,8 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 0,033 Ом | 18 | FETBench | Заказать | ||
RFD14N05LSM | 14A, 50V, 0,100 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 50 В | 14 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
RFD14N05SM9A | 14A, 50V, 0,100 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 50 В | 14 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
RFD14N05 | 14A, 50V, 0,100 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 50 В | 14 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
RFD16N05SM | 16A, 50V, 0,047 Ом, N-канальный Power, MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 50 В | 16 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
RFD16N05LSM | 16A, 50V, 0 ,047 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 50 В | 16 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 61 | FETBench | Заказать | |||
RFD16N05 | 16A, 50V, 0.047 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 50 В | 16 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
HUF75229P3 | 44A, 50V, 0,022 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 50 В | 44 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
RFP50N05L | 50A, 50V, 0.022 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 50 В | 50 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 140 | FETBench | Заказать | |||
NDP7050L | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-220 | 50 В | 75 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
HUF75307T3ST | 2,6A, 55V, 0,090 Ом, N-канальный UltraFET PowerMOSFET | N | Одиночный | SOT-223 | 55 В | 2,6 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 8,3 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75307T3ST | 2,6A, 55V, 0,090 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | SOT-223 | 55 В | 2,6 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75309T3ST | 3A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | SOT-223 | 55 В | 3 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 10,7 | FETBench | Заказать | |||
HUF75307D3ST | 15A, 55V, 0.099 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 15 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 9 | FETBench | Заказать | |||
HUF75307D3 | 15A, 55V, 0.099 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 55 В | 15 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 9 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75307D3S | 15A, 55V, 0.090 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 15 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 9 | FETBench | Заказать | |||
HUF75309D3S | 19A, 55V, 0,070 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 19 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
HUF75309P3 | 19A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 19 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75309P3 | 19A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 19 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75309D3S | 19A, 55V, 0.070 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 19 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
HUF75321D3S | 20A, 55V, 0,036 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 20 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
HUF75329D3S | 20A, 55V, 0.026 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 20 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
HUF75321D3 | 20A, 55V, 0.036 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 55 В | 20 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75321D3S | 20A, 55V, 0.036 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 55 В | 20 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
HUF75321P3 | 35A, 55V, 0,034 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 35 А | 34 мОм | 0,034 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
HUF75321S3S | 35A, 55V, 0.034 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 35 А | 34 мОм | 0,034 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
HUF75329P3 | 49A, 55V, 0.024 ОмR N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 49 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75329S3S | Одиночный Auto N-канальный UltraFET Power MOSFET, 55V, 49A, 0.024 Ом @ В Uзи= 10В TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 49 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
HUF75329S3S | 49A, 55V, 0.024 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 49 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
HUF75332P3 | 60A, 55V,0,019 Ом, N-канальный UltraFET P ower MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 60 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75332S3S | Одиночный Auto N-канальный UltraFET Power MOSFET, 55V, 60A, 0,019 Ом @ В Uзи= 10V, T0263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 60 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
HUF75332S3S | 55В N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 60 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
HUF75333P3 | 66A, 55V, | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 66 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
HUF75333S3S | 55В N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 66 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
HUF75333S3 | 66A, 55V, 0.016 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 55 В | 66 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
HUF75339P3 | 75A, 55V, 0,012 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
HUF75345P3 | 75A, 55V, 0 ,007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
HUF75344G3 | 75A,55V,0 ,008 ОмR N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 55 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
HUF75343P3 | 75A, 55V, 0,009 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75337S3S | 75A, 55V, 0.014 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75344S3 | 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 55 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
HUF75344P3 | 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
HUF75337P3 | 75A, 55V, 0.014 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
HUF75345G3 | 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 55 В | 75 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
HUF75345S3S | 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
HUF75337S3S | 75A, 55V, 0.014 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
HUF75339G3 | 75A, 55V, 0.012 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 55 В | 75 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
HUF75345S3 | 75A,; 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 55 В | 75 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75345P3 | 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75343S3S | 75A, 55V, 0.009 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75339S3S | 75A, 55V, 0.012 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
HUF75344S3S | 55В N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75344G3 | 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 55 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75344S3S | 75A, 55V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 55 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75345G3 | 75A, 55V, 0.007 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 55 В | 75 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75343P3 | 75A, 55V, 0.009 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 55 В | 75 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
2N7002MTF | 60В N-канальный малосигнальный MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 60 В | 0,115 А | 5000 мОм | 5 Ом | FETBench | Заказать | ||||
2N7002 | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23 | 60 В | 0,12 А | 7500 мОм | 7,5 Ом | 7,5 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | ||
NDS0610 | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-23 | 60 В | 0,12 А | 10000 мОм | 10 Ом | 20 Ом | 1,8 | FETBench | Заказать | ||
NDS0605 | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-23 | 60 В | 0,18 А | 5000 мОм | 5 Ом | 1,8 | FETBench | Заказать | |||
2N7000TA | 60В N-канальный малосигнальный MOSFET | N | Одиночный | TO-92 | 60 В | 0,2 А | 5000 мОм | 5 Ом | FETBench | Заказать | ||||
2N7000 | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-92 | 60 В | 0,2 А | 5000 мОм | 5 Ом | 5,3 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | ||
2N7000BU | 60В N-канальный малосигнальный MOSFET | N | Одиночный | TO-92 | 60 В | 0,2 А | 5000 мОм | 5 Ом | FETBench | Заказать | ||||
NDS7002A | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23 | 60 В | 0,28 А | 2000 мОм | 2 Ом | 3 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | ||
NDC7003P | Сдвоенный P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Сдвоенный | SSOT-6 | 60 В | 0,34 А | 5000 мОм | 5 Ом | 7 Ом | 1,6 | FETBench | Заказать | ||
BS270 | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-92 | 60 В | 0,4 А | 2000 мОм | 2 Ом | FETBench | Заказать | ||||
MMBF170 | N - Channel, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23 | 60 В | 0,5 А | 5000 мОм | 5 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | |||
BS170 | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-92 | 60 В | 0,5 А | 5000 мОм | 5 Ом | FETBench | Заказать | ||||
NDC7001C | Сдвоенный N и P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N P | Комплементарная пара | SSOT-6 | 60 В | 0,51 А | 2000 мОм | 2 Ом | 4 Ом | 1,1 | FETBench | Заказать | ||
FDN5618P | 60В P-канальный PowerTrench® (спецразработка для данного Uзи) MOSFET | P | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 60 В | 1,2 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 0,23 Ом | 8,6 | FETBench | Заказать | ||
FQS4900 | Сдвоенный N-канальный 60В & P-канальный 300В QFET | N, P | Комплементарная пара | SO-8 | 60 В | 1,3 А | 550 мОм | 0,55 Ом | 0,65 Ом | 1,6 | FETBench | Заказать | ||
FDN5630 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-23/SuperSOT-3 | 60 В | 1,7 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 7 | FETBench | Заказать | |||
NDS9948 | Сдвоенный P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Сдвоенный | SO-8 | 60 В | 2,3 А | 250 мОм | 0,25 Ом | 0,5 Ом | 9 | FETBench | Заказать | ||
NDT2955 | P-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | P | Одиночный | SOT-223 | 60 В | 2,5 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 0,5 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FQT13N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | SOT-223 | 60 В | 2,8 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FQT13N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | SOT-223 | 60 В | 2,8 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FDC5614P | 60В P-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | SSOT-6 | 60 В | 3 А | 105 мОм | 0,105 Ом | 0,135 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
SSD2025 | 60В N-канальный Сдвоенный Power MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 60 В | 3,3 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,2 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FDS9945 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 60 В | 3,5 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,2 Ом | 8 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76407DK8T | Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® PowerMOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 60 В | 3,8 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 0,105 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
NDT3055 | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-223 | 60 В | 4 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 9 | FETBench | Заказать | |||
RFD4N06LSM | 4A, 60V, 0.600 Ом, с управлением логическими уровнями, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 4 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FDZ209N | 60В N-канальный PowerTrench® BGA MOSFET | N | Одиночный | BGA | 60 В | 4 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FDC5612 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 60 В | 4,3 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 12,5 | FETBench | Заказать | |||
FDS4559 | 60В Комплементарная пара PowerTrench® MOSFET | N P | Комплементарная пара | SO-8 | 60 В | 4,5 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,075 Ом | 12,5 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76413DK8 | Одиночный Commercial Сдвоенный N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET, 60V, 5,1A, 0.049 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе | N | Сдвоенный | SO-8 | 60 В | 4,8 А | 49 мОм | 0,049 Ом | 0,056 Ом | 18 | FETBench | Заказать | ||
FQPF7P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 60 В | 5,3 А | 410 мОм | 0,41 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQD7P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 5,4 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQU7P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 5,4 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQP7P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 60 В | 6,7 А | 410 мОм | 0,41 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FDS5690 | N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 60 В | 7 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQB7P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 7 А | 410 мОм | 0,41 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQI7P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 7 А | 410 мОм | 0,41 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FDS5682 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 60 В | 7,5 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,0265 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FDS5680 | Одиночный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 60 В | 8 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQPF11P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 60 В | 8,6 А | 175 мОм | 0,175 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQD11P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 9,4 А | 185 мОм | 0,185 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQU11P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 9,4 А | 185 мОм | 0,185 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQPF13N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 9,4 А | 135 мОм | 0,135 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FQPF13N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 10 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 4,8 | FETBenc | Заказать | ||
FDS5670 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 60 В | 10 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 49 | FETBench | Заказать | |||
FQD13N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 10 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 7,5 | FETBench | Заказать | |||
FQU13N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 10 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FDS5170N7 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 60 В | 10,6 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
FDMS5672 | 60В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 60 В | 10,6 А | 11 мОм | 0,0115 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |||
FDD107AN06LA0 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 10,9 А | 91 мОм | 0,091 Ом | 0,107 Ом | 4,2 | FETBench | Заказать | ||
FQA85N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 60 В | 100 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
FQD13N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 11 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FQU13N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 11 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FQP11P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 60 В | 11,4 А | 175 мОм | 0,175 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQB11P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 11,4 А | 175 мОм | 0,175 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQI11P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 11,4 А | 175 мОм | 0,175 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
RFP3055 | 12A, 60V, 0.150 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 12 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FDS5672 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 60 В | 12 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 34 | FETBench | Заказать | |||
FQU17P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 12 А | 135 мОм | 0,135 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQD17P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 12 А | 135 мОм | 0,135 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
RFD3055SM | 12A, 60V, 0,150 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 12 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
HUF76407D3S | 11A,60V, 0.107 Ом, N-Channe, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 12 А | 92 мОм | 0,092 Ом | 0,107 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
FQPF17P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 60 В | 12 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
HUF76407D3 | 11A,60V, 0.107 Ом, N-Channe, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 12 А | 92 мОм | 0,092 Ом | 0,107 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
MTP3055V | 60В N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 12 А | 150 мОм | 0,15 Ом | FETBench | Заказать | ||||
HUFA76407D3S | 11A, 60V, 0.107 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 12 А | 92 мОм | 0,092 Ом | 0,107 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
HUF76407P3 | 12A, 60V, 0.107 Ом, N-канальный, | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 13 А | 92 мОм | 0,092 Ом | 0,107 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
FQP13N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 13 А | 135 мОм | 0,135 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76407P3 | 12A, 60V, 0.107 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 13 А | 92 мОм | 0,092 Ом | 0,107 Ом | 9,4 | FETBench | Заказать | ||
FQI13N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 13 А | 135 мОм | 0,135 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FDMC5614P | -60В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | Power 33 | 60 В | 13,5 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,135 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FQP13N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 13,6 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FQB13N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 13,6 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,14 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FDD5614P | 60В P-канальный PowerTrench® MOSFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 15 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,13 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FQPF20N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 15 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 11,5 | FETBench | Заказать | |||
NDP4060L | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 15 А | 100 мОм | 0,08 Ом | 0,1 Ом | 11 | FETBench | Заказать | ||
FDP070AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mОм | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 15 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
FDB070AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 80A, 7mОм | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 15 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
FQPF20N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 15,7 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,07 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
RFD16N06LESM | Одиночный Commercial N-канальный Power MOSFET, 60V, 16A, 0.047 Ом @ В Uзи= 4,5V, TO-252/DPAK корпусе | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 16 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 51 | FETBench | Заказать | |||
FQD20N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 16,8 А | 63 мОм | 0,063 Ом | 11,5 | FETBench | Заказать | |||
FQU20N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 16,8 А | 63 мОм | 0,063 Ом | 11,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF27P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 60 В | 17 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FQP17P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 60 В | 17 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQB17P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 17 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQI17P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 17 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQU20N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 17,2 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,075 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
FQD20N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 17,2 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,075 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
FQD20N06LE | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET (встроенный диод защиты от ESD) | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 17,2 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 0,075 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
FQA170N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 60 В | 170 А | 5 мОм | 0,0056 Ом | 220 | FETBench | Заказать | |||
RFD12N06RLESM | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET PowerMOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 18 А | 63 мОм | 0,063 Ом | 0,075 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FDD5612 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 18 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 7,5 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76409D3S | 17A, 60V, 0.071 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 18 А | 63 мОм | 0,063 Ом | 0,071 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76409P3 | 17A, 60V, 0.070 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 18 А | 62 мОм | 0,062 Ом | 0,07 Ом | 12 | FETBench | Заказать | ||
FQP20N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 20 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 11,5 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76429D3 | 20A, 60V, 0,027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 20 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,027 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
HUF76429D3S | 20A, 60V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® PowerMOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,027 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
HUF76423D3 | с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 20 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,037 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
HUF76419D3 | 20A, 60V, 0.043 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 20 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 0,043 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
HUF76419D3S | 20A, 60V, 0.043 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 0,043 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
HUF76423D3S | 20A, 60V,0.037 Ом, N-канальный, | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,037 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76429D3S | 20A, 60V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 0,027 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76423D3S | 20A, 60V, 0.037 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 0,037 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76413D3S | 20A, 60V, 0.056 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 49 мОм | 0,049 Ом | 0,056 Ом | 17 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76419D3S | 20A, 60V, 0.043 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 20 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 0,043 Ом | 23 | FETBench | Заказать | ||
FQPF30N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 21 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQP20N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 21 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,07 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
FQB20N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 21 А | 55 мОм | 0,055 Ом | 0,07 Ом | 9,5 | FETBench | Заказать | ||
FQPF30N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 22,5 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,045 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FQD30N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 22,7 А | 45 мОм | 0,045 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQD30N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 24 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 0,047 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FQU30N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 60 В | 24 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 0,047 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FDD45AN06LA0 | 60В N-канальный PowerTrench ®MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 25 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 0,045 Ом | 8,3 | FETBench | Заказать | ||
FQP27P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 60 В | 27 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FQB27P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 27 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FQI27P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 27 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
HUF76419S3S | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями UltraFET® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 29 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,04 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76419P3 | 27A, 60V, 0.040 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 29 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,04 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76419S3S | 27A, 60V, 0.040 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 29 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,04 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
HUF76419P3 | 60V | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 29 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,04 Ом | 22 | FETBench | Заказать | ||
FQP30N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 30 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQPF47P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 60 В | 30 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FDD5690 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 30 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQB30N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 30 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQPF50N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 31 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQB30N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 32 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,045 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FQP30N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 32 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 0,045 Ом | 15 | FETBench | Заказать | ||
FDB5690 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 32 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FDP5690 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 32 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQPF50N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 32,6 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,025 Ом | 24,5 | FETBench | Заказать | ||
FDD5810 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 35 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 0,027 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
HUF76423P3 | 33A, 60V, 0.035 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 35 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,035 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76423S3S | 33A, 60V, 0.035 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 35 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 0,035 Ом | 28 | FETBench | Заказать | ||
FDD26AN06A0 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 36A, 26mO | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 36 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FDP24AN06LA0 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 36 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 0,024 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDD24AN06LA0 | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 36 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 0,024 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDB24AN06LA0 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 36 А | 19 мОм | 0,019 Ом | 0,024 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
FDD5680 | N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 38 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FQAF47P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 60 В | 38 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FQPF65N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 40 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FDP5680 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 40 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FDB20AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 45A, 20 milliОм | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 45 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FDD20AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 45 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FDP20AN06A0 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET 60V, 45A 20mОм | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 45 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQP47P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 60 В | 47 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
HUF76429S3S | 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 47 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,025 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
FQB47P06 | 60В P-канальный MOSFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 47 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76429P3 | 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 47 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,025 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
FQI47P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 47 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
HUF76429P3 | 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 47 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,025 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76429S3S | 44A, 60V, 0.025 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 47 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 0,025 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
NDP6060 | N-канальный, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 48 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 39 | FETBench | Заказать | |||
NDP6060L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 48 А | 25 мОм | 0,02 Ом | 0,025 Ом | 36 | FETBench | Заказать | ||
FDD5670 | 60В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 48 А | 15 мОм | 0,015 Ом | 49 | FETBench | Заказать | |||
FQP50N06 | 60В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 50 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
RFP50N06 | 50A, 60V, 0,022 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 50 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 67 | FETBench | Заказать | |||
FDD14AN06LA0 | N-канальный Power Trench #174 MOSFET, 60V, 50A, 14mОм | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 50 А | 11 мОм | 0,0116 Ом | 0,0146 Ом | 25 | FETBench | Заказать | ||
FDD13AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 50A, 0,0135 | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 50 А | 13 мОм | 0,0135 Ом | 22 | FETBench | Заказать | |||
FQI50N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 50 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FDD10AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 60V, 50A, 0.0105 Ом @ В Uзи= 10V, TO-252/DPAK корпусе | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 60 В | 50 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB50N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 50 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQP50N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 52 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,025 Ом | 24,5 | FETBench | Заказать | ||
FQB50N06L | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 52 А | 21 мОм | 0,021 Ом | 0,025 Ом | 24,5 | FETBench | Заказать | ||
FQPF85N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 53 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
FDPF55N06 | 60В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 60 В | 55 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FDP55N06 | 60В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 55 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQA47P06 | 60В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 60 В | 55 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FQB55N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 55 А | 20 мОм | 0,02 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76432S3S | 55A, 60V, 0.019 Ом, N-канальный | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 59 А | 17 мОм | 0,017 Ом | 0,019 Ом | 44 | FETBench | Заказать | ||
FDB14AN06LA0 | N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 60A, 0.0146 Ом @ В Uзи= 5V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 60 А | 11 мОм | 0,0116 Ом | 0,0146 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDP14AN06LA0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 61A, 0.014 Ом, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 61 А | 11 мОм | 0,0116 Ом | 0,0146 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FDP13AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 0.0135 Ом | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 62 А | 13 мОм | 0,0135 Ом | 22 | FETBench | Заказать | |||
FDB13AN06A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 62A, 0.0135 Ом | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 62 А | 13 мОм | 0,0135 Ом | 22 | FETBench | Заказать | |||
FDP65N06 | 60В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 65 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FQP65N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 65 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQB65N06 | 60В N-канальный QFET Mosfet | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 65 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
RFG70N06 | 70A, 60V, 0.014 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 60 В | 70 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 100 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76443P3 | 75A, 60V, 0.0095 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 0,0095 Ом | 107 | FETBench | Заказать | ||
HUF76445S3S | 75A, 60V, 0.0075 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 75 А | 6 мОм | 0,0065 Ом | 0,0075 Ом | 124 | FETBench | Заказать | ||
HUF76439S3S | 71A, 60V, 0.014Ом, N-канальный, Logic Lvl UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 75 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 0,014 Ом | 70 | FETBench | Заказать | ||
HUF76445P3 | 75A, 60V, 0.0075 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 75 А | 6 мОм | 0,0065 Ом | 0,0075 Ом | 124 | FETBench | Заказать | ||
FDB10AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 75A, 0.0105 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 75 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FDP10AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 75A, 0.0105 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 75 А | 10 мОм | 0,0105 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
HUF76439P3 | 71A, 60V, 0.014Ом, N-канальный, Logic Lvl UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 75 А | 12 мОм | 0,012 Ом | 0,014 Ом | 70 | FETBench | Заказать | ||
FDB5800 | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 80 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,007 Ом | 104 | FETBench | Заказать | ||
FDP5800 | 60В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 80 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 0,007 Ом | 112 | FETBench | Заказать | ||
FDP050AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 80A, 5mОм, TO-220AB | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 80 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 61 | FETBench | Заказать | |||
FDP038AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0 ,0038 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 80 А | 3 мОм | 0,0038 Ом | 95 | FETBench | Заказать | |||
FDI038AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0,0038 Ом @ В Uзи= 10V, TO-262/I2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 60 В | 80 А | 3 мОм | 0,0038 Ом | 95 | FETBench | Заказать | |||
FDB035AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 60V, 80A, 0.0035 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 80 А | 3 мОм | 0,0035 Ом | 95 | FETBench | Заказать | |||
FDB050AN06A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 60V, 80A, 5mОм, TO-263AB | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 60 В | 80 А | 5 мОм | 0,005 Ом | 61 | FETBench | Заказать | |||
FQP85N06 | 60В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 60 В | 85 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
FDSS2407 | 62В N-канальный Сдвоенный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 62 В | 3,3 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 0,132 Ом | 3,3 | FETBench | Заказать | ||
FDD16AN08A0 | Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 75V, 50A, 0.016 Ом @ В Uзи= 10V, TO-252/DPAK корпусе | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 75 В | 50 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FDP16AN08A0 | Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 75V, 58A, 0.016 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 75 В | 58 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FDB16AN08A0 | Одиночный Auto N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 75V, 58A, 0.016 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 75 В | 58 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FDP75N08A | 75В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 75 В | 75 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 80 | FETBench | Заказать | |||
FDP75N08 | 75В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 75 В | 75 А | 11 мОм | 0,011 Ом | 64 | FETBench | Заказать | |||
FDP060AN08A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 75V, 80A, 0,006 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220AB корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 75 В | 80 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 99 | FETBench | Заказать | |||
FDP047AN08A0 | 75В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 75 В | 80 А | 4 мОм | 0,0047 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
FDB060AN08A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench® MOSFET, 75V, 80A, 0.006 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 75 В | 80 А | 6 мОм | 0,006 Ом | 99 | FETBench | Заказать | |||
FDH047AN08A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 75 В | 80 А | 4 мОм | 0,0047 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
FDH038AN08A1 | N-канальный PowerTrench®; MOSFET, 75V, 80A, 3,8 MОм TO-247 корпусе | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 75 В | 80 А | 3 мОм | 0,0038 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
FDI047AN08A0 | 75В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 75 В | 80 А | 4 мОм | 0,0047 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
FDB045AN08A0 | 75В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 75 В | 90 А | 4 мОм | 0,0045 Ом | 92 | FETBench | Заказать | |||
FDC3512 | 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 80 В | 3 А | 77 мОм | 0,077 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FDS3812 | 80В N-канальный Сдвоенный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 80 В | 3,4 А | 74 мОм | 0,074 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FDS3512 | 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 80 В | 4 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FDS3890 | 80В N-канальный Сдвоенный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 80 В | 4,7 А | 44 мОм | 0,044 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FDS3590 | 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 80 В | 6,5 А | 37 мОм | 0,037 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FDS3580 | N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 80 В | 7,6 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 34 | FETBench | Заказать | |||
FDMS3572 | 80В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 80 В | 8,8 А | 16 мОм | 0,0165 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FDS3572 | 80В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 80 В | 8,9 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N08L | 80В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 9,3 А | 210 мОм | 0,21 Ом | 0,23 Ом | 4,7 | FETBench | Заказать | ||
FQB9N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 80 В | 9,3 А | 210 мОм | 0,21 Ом | 5,9 | FETBench | Заказать | |||
FQD17N08L | 80В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 80 В | 12,9 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,115 Ом | 8,8 | FETBench | Заказать | ||
FQB17N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 80 В | 16,5 А | 115 мОм | 0,115 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQP17N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 16,5 А | 115 мОм | 0,115 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQP17N08L | 80В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 16,5 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,115 Ом | 8,8 | FETBench | Заказать | ||
FQI17N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 80 В | 16,5 А | 115 мОм | 0,115 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQD24N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 80 В | 19,6 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQP24N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 24 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQB24N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 80 В | 24 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQP44N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 44 А | 34 мОм | 0,034 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQAF90N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 80 В | 56 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FQP58N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 57 А | 24 мОм | 0,024 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
FQP70N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 70 А | 17 мОм | 0,017 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FQP90N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 71 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
HUF75545S3S | 75A, 80V, 0,010 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 80 В | 75 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
HUF75545P3 | 75A, 80V, 0,010 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 75 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
HUF75542P3 | 75A, 80V, 0.014 Ом, N-канальный, UltraFet Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 80 | FETBench | Заказать | |||
HUF75545S3 | 75A, 80V, 0.010 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET, TO-262/I2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 80 В | 75 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75545P3 | 75A, 80V, 0.010 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 80 В | 75 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
FQA90N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 80 В | 90 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FQA160N08 | 80В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 80 В | 160 А | 7 мОм | 0,007 Ом | 220 | FETBench | Заказать | |||
BSS123 | N-канальный с управлением логическими уровнями, МОП-транзисторы в режиме обогащения | N | Одиночный | SOT-23 | 100 В | 0,17 А | 6000 мОм | 6 Ом | 10 Ом | 1,7 | FETBench | Заказать | ||
FDT461N | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 0,4 А | 2000 мОм | 2 Ом | 2,5 Ом | 2,36 | FETBench | Заказать | ||
FDG361N | N-канальный 100В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SC70-6 | 100 В | 0,6 А | 500 мОм | 0,5 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | |||
FDC3601N | Сдвоенный N-канальный 100В (спецразработка для данного Uзи) PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SSOT-6 | 100 В | 1 А | 500 мОм | 0,5 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | |||
FQT5P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 1 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FDS3601 | 100В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 100 В | 1,3 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | |||
IRLM110A | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET | N | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 1,5 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQT7N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 1,7 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 0,38 Ом | 4,6 | FETBench | Заказать | ||
FQT7N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 1,7 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
IRFM120A | 100В N-канальный A-FET / аналог IRFM120 | N | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 2,3 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FDC3612 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 100 В | 2,6 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 100 В | 2,9 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FDS3912 | 100В Сдвоенный N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 100 В | 3 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |||
FDS3612 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 100 В | 3,4 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |||
FQD5P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 3,6 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FDC3616N | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 100 В | 3,7 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FDT3612 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SOT-223 | 100 В | 3,7 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 14 | FETBench | Заказать | |||
FDM3622 | 100В N-канальный UltraFet Trench.®MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 100 В | 4,4 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FDS3692 | Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 4,5A, 0,060 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе | N | Одиночный | SO-8 | 100 В | 4,5 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FDS3992 | Одиночный Commercial N-канальный PowerTrench MOSFET, 100V, 4,5A, 0,062 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе | N | Сдвоенный | SO-8 | 100 В | 4,5 А | 62 мОм | 0,062 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FQP5P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 100 В | 4,5 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQI5P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 100 В | 4,5 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQB5P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 4,5 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
IRLR110A | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRLR110 | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 4,7 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
IRLU110A | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRLU110 | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 4,7 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF8P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 100 В | 5,3 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
HUF75631SK8 | 5,5A,100V, 0,039 Ом,N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 100 В | 5,5 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 5,5 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 0,38 Ом | 4,6 | FETBench | Заказать | ||
FQPF7N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 5,5 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
IRL510A | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL510 | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 5,6 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
IRLI510A | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 100 В | 5,6 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD7N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 5,8 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 0,38 Ом | 4,6 | FETBench | Заказать | ||
FQD7N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 5,8 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FQU7N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 5,8 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 0,38 Ом | 4,6 | FETBench | Заказать | ||
FDS3682 | Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 6A, 0,035 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе | N | Одиночный | SO-8 | 100 В | 6 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQD8P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 6,6 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQU8P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 6,6 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FDS3170N7 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 100 В | 6,7 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 55 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 7,3 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 0,38 Ом | 4,6 | FETBench | Заказать | ||
FQP7N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 7,3 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FQB7N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 7,3 А | 350 мОм | 0,35 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FDMS3672 | 100В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 100 В | 7,4 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FDS3672 | Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 7,5A, 0,022 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе | N | Одиночный | SO-8 | 100 В | 7,5 А | 22 мОм | 0,022 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP8P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 100 В | 8 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQB8P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 8 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF12P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 100 В | 8,2 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQPF13N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 8,7 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQD12P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 9,4 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQU13N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 10 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 0,2 Ом | 8,7 | FETBench | Заказать | ||
FQD13N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 10 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 0,2 Ом | 8,7 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76609D3S | 10A, 100V, 0.165 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 10 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,165 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FQD13N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 10 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
HUF76609D3S | 10A,100V, 0.165 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 10 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,165 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
HUF76609D3 | 10A,100V, 0.165 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 10 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 0,165 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FQU13N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 10 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF17P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 100 В | 10,5 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQP12P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 100 В | 11,5 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQB12P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 11,5 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQAF17P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 12,4 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQP13N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 12,8 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQP13N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 12,8 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 0,2 Ом | 8,7 | FETBench | Заказать | ||
FQB13N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 12,8 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 0,2 Ом | 8,7 | FETBench | Заказать | ||
FQPF22P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 100 В | 13,2 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQPF19N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 13,6 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQPF19N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 13,6 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,11 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FQD19N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 15,6 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQD19N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 15,6 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,11 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FQP17P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 100 В | 16,5 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQB17P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 16,5 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQPF33N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 18 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQPF33N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 18 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,055 Ом | 30 | FETBench | Заказать | ||
FQA17P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 18 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76619D3S | 18A, 100V, 0.087 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 18 А | 85 мОм | 0,085 Ом | 0,087 Ом | 24 | FETBench | Заказать | ||
FQP19N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 19 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQB19N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 19 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQB19N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 19 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,11 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
FQP19N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 19 А | 100 мОм | 0,1 Ом | 0,11 Ом | 14 | FETBench | Заказать | ||
HUF76629D3S | 20A,100V, 0.054 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 20 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,054 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
HUF76629D3 | 20A,100V, 0.054 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 100 В | 20 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,054 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76629D3S | 20A, 100V, 0.054 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltrFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 20 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,054 Ом | 38 | FETBench | Заказать | ||
FQB22P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 22 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
RFP22N10 | 22A, 100V, 0.080 Ом, N-канальный Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 22 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 58 | FETBench | Заказать | |||
FDD3690 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 22 А | 64 мОм | 0,064 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP22P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 100 В | 22 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQA22P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 24 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FDD3680 | 100В N-канальный PowerTrench ® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 25 А | 46 мОм | 0,046 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQAF33N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 25,8 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQPF44N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 27 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FDD3682 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 100V, 32A, 0,036 Ом | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 32 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 18,5 | FETBench | Заказать | |||
FDB3682 | 100В N-канальный Power Trench® MOSFET 32A, 0.036 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 32 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 18,5 | FETBench | Заказать | |||
FDP3682 | Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 32A, 0.036 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 32 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 18,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP33N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 33 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQB33N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 33 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQP33N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 33 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,055 Ом | 30 | FETBench | Заказать | ||
HUF75631S3S | 100В N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 33 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
HUF75631P3 | 33A, 100V, 0.40 Ом, N-канальный ® UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 33 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQB33N10L | 100В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 33 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 0,055 Ом | 30 | FETBench | Заказать | ||
FQAF44N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 33 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQB34P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 33,5 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FQI34P10 | 100В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 100 В | 33,5 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FDD3670 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 34 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
FQPF55N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 34,2 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FQPF70N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 35 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FQA33N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 36 А | 52 мОм | 0,052 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQP44N10F | 100В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 43,5 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQB44N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 43,5 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQP44N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 43,5 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FDB3672 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 44 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 24 | FETBench | Заказать | |||
FDD3672 | Одиночный Commercial N-канальный UltraFET Trench MOSFET, 100V, 44A, 0.028 Ом @ В Uзи= 10V, TO-252/DPAK корпусе | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 100 В | 44 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 24 | FETBench | Заказать | |||
HUF75637S3S | 44A, 100V, 0.030 Ом,N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 44 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
HUF75637P3 | 44A, 100V, 0.030 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 44 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75637P3 | 44A, 100V, 0.030 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 44 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQA44N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 48 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQH44N10 | 100В N-канальный Q-FET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 48 А | 39 мОм | 0,039 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76639S3S | 50A, 100V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 51 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 0,027 Ом | 71 | FETBench | Заказать | ||
HUF76639S3S | 50A,100V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 51 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 0,027 Ом | 71 | FETBench | Заказать | ||
HUF76639P3 | 50A,100V, 0.027 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 51 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 0,027 Ом | 71 | FETBench | Заказать | ||
FQP55N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 55 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FQB55N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 55 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
HUF75639P3 | 56A, 100V, 0 ,025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 56 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
HUF75639S3 | 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 100 В | 56 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
HUF75639S3S | 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 56 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
HUF75639G3 | 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 56 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75639S3S | 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 56 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75639G3 | 56A, 100V, 0.025 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 56 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 57 | FETBench | Заказать | |||
FQP70N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 57 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FDB3652 | N-канальный Power Trench® MOSFET, 100V, 61A, 0,016 Ом | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 61 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FDP3652 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 0.016 Ом | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 61 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQA55N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 61 А | 26 мОм | 0,026 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FDI3652 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 100V, 61A, 0.016 Ом | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 100 В | 61 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQA70N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 70 А | 25 мОм | 0,025 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FQH70N10 | 100В N-канальный Q-FET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 70 А | 23 мОм | 0,023 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
HUF75645P3 | 75A, 100V, 0,014 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 106 | FETBench | Заказать | |||
HUF75645S3S | 75A, 100V, 0,014 Ом, N-канальный, UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 106 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75645P3 | 75A, 100V, 0.014 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 106 | FETBench | Заказать | |||
HUF76645S3S | 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,015 Ом | 127 | FETBench | Заказать | ||
HUF75652G3 | HUF75652G3 75A,100V,0.008 Ом, N-канальный UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 211 | FETBench | Заказать | |||
HUF76645P3 | 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,015 Ом | 127 | FETBench | Заказать | ||
HUFA75645S3S | 75A, 100V, 0.014 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 106 | FETBench | Заказать | |||
HUFA76645S3S | 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,015 Ом | 127 | FETBench | Заказать | ||
HUFA76645P3 | 75A, 100V, 0.015 Ом, N-канальный, с управлением логическими уровнями UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 75 А | 14 мОм | 0,014 Ом | 0,015 Ом | 127 | FETBench | Заказать | ||
HUFA75652G3 | 75A, 100V, 0.008 Ом, N-канальный UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 75 А | 8 мОм | 0,008 Ом | 211 | FETBench | Заказать | |||
FDP3651U | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 80 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 49 | FETBench | Заказать | |||
FDH3632 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 80 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FDP3632 | 100В N-канальный Trench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 80 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FDB3632 | 100В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 100 В | 80 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FDI3632 | 100В N-канальный Trench® MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 100 В | 80 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 84 | FETBench | Заказать | |||
FQP90N10V2 | 100В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220 | 100 В | 90 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 146 | FETBench | Заказать | |||
FQPF90N10V2 | 100В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220F | 100 В | 90 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 146 | FETBench | Заказать | |||
FQA90N10V2 | 100В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 105 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 26,5 | FETBench | Заказать | |||
FQH90N10V2 | 100В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 105 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 147 | FETBench | Заказать | |||
FQA140N10 | 100В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 140 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 220 | FETBench | Заказать | |||
FQH140N10 | 100В N-канальный Q-FET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 100 В | 140 А | 10 мОм | 0,01 Ом | 220 | FETBench | Заказать | |||
FDP3672 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 105V, 41A, 0,033 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 105 В | 41 А | 33 мОм | 0,033 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF15P12 | 120В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 120 В | 15 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQB15P12 | 120В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 120 В | 15 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQP15P12 | 120В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 120 В | 15 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQPF32N12V2 | 120В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220F | 120 В | 32 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQB32N12V2 | 120В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 120 В | 32 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQP32N12V2 | 120В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220 | 120 В | 32 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQI32N12V2 | 120В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 120 В | 32 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FDC2512 | 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 150 В | 1,4 А | 425 мОм | 0,425 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FDMC2523P | -150В P-канальный QFET® | P | Одиночный | Power 33 | 150 В | 3 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 6,2 | FETBench | Заказать | |||
FDS2070N7 | 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 150 В | 4,1 А | 78 мОм | 0,078 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FDS2070N3 | 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 150 В | 4,1 А | 78 мОм | 0,078 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQD5N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 4,3 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 5,4 | FETBench | Заказать | |||
FDS2582 | Одиночный Commercial N-канальный UltraFET TRENCH MOSFET, 150V, 4 ,5A, 0 ,060 Ом @ В Uзи= 10V, SO-8 корпусе | N | Одиночный | SO-8 | 150 В | 4,5 А | 66 мОм | 0,066 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FDS2572 | 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 150 В | 4,9 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQI5N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 150 В | 5,4 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 5,4 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 6,4 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FDD2512 | 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 6,7 А | 420 мОм | 0,42 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 9 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF14N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 150 В | 9,8 А | 210 мОм | 0,21 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQD14N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 10 А | 210 мОм | 0,21 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQPF16N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 150 В | 11,6 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQD16N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 11,8 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FDD120AN15A0 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 150V, 14A, 0 ,120 Ом | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 14 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 11,2 | FETBench | Заказать | |||
FDP120AN15A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 150V, 14A, 0.120 Ом @ В Uзи= 10V, TO-220 корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 14 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 11,2 | FETBench | Заказать | |||
FQP16N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 16,4 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQB16N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 16,4 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQPF28N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 150 В | 16,7 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
SFH9154 | 150В P-канальный A-FET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 18 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 100 | FETBench | Заказать | |||
FDD2582 | N-канальный PowerTrench® MOSFET 150V, 21A, 0.066 Ом | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 21 А | 66 мОм | 0,066 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FDP2570 | 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 22 А | 80 мОм | 0,08 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQPF46N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 150 В | 25,6 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FDMS2572 | 150В N-канальный UltraFET Trench®MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 150 В | 27 А | 47 мОм | 0,047 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FDD2572 | N-канальный Power Trench® MOSFET, 150V, 29A, 0.054 Ом | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 150 В | 29 А | 54 мОм | 0,054 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |||
FDP2572 | 150В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 29 А | 54 мОм | 0,054 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |||
FDB2572 | 150В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET 29A, 0.056 Ом @ В Uзи= 10V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 29 А | 54 мОм | 0,054 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |||
FDU2572 | N-канальный PowerTrench® MOSFET, 150V, 29A, 0.056 Ом | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 150 В | 29 А | 54 мОм | 0,054 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |||
FQA28N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 33 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
SFH154 | 150В N-канальный A-FET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 34 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FDP42AN15A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 150V, 35A, 0.042 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 35 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FDB42AN15A0 | Одиночный Auto N-канальный PowerTrench MOSFET, 150V, 35A, 0.042 Ом @ В Uзи= 10 V, TO-263/D2PAK корпусе | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 35 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQA36P15 | 150В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 36 А | 90 мОм | 0,09 Ом | 125 | FETBench | Заказать | |||
FDB2552 | 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 37 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FDP2552 | 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 37 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75842P3 | 43A, 150V, 0,042 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 43 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
HUF75842P3 | 43A, 150V, 0.042 Ом, N-канальный,UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 43 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75842S3S | 43A, 150V, 0.042 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 43 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FQAF70N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 44 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 135 | FETBench | Заказать | |||
FQPF45N15V2 | 150В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220F | 150 В | 45 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 72 | FETBench | Заказать | |||
FQP45N15V2 | 150В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 45 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 72 | FETBench | Заказать | |||
FQB45N15V2 | 150В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 45 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 72 | FETBench | Заказать | |||
FQP46N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 45,6 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FQA46N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 50 А | 42 мОм | 0,042 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FDB66N15 | 150В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 66 А | 36 мОм | 0,036 Ом | 49 | FETBench | Заказать | |||
FQA70N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 70 А | 28 мОм | 0,028 Ом | 135 | FETBench | Заказать | |||
HUF75852G3 | 75A, 150V, 0.016 Ом, N-канальный,UltraFET Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 75 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 215 | FETBench | Заказать | |||
HUFA75852G3 | 75A, 150V, 0.016 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 75 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 215 | FETBench | Заказать | |||
FDPF79N15 | 150В N-канальный MOSFET UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 150 В | 79 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 56 | FETBench | Заказать | |||
FDP79N15 | 150В N-канальный MOSFET UniFET™ | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 79 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 56 | FETBench | Заказать | |||
FDA79N15 | 150В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 79 А | 30 мОм | 0,03 Ом | 56 | FETBench | Заказать | |||
FDP2532 | 150В Channel UltraFET Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 150 В | 79 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
FDB2532 | 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 150 В | 79 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
FDI2532 | 150В N-канальный UltraFET Trench MOSFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 150 В | 79 А | 16 мОм | 0,016 Ом | 86 | FETBench | Заказать | |||
FQH90N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 150 В | 90 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 220 | FETBench | Заказать | |||
FQA90N15 | 150В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF/TO-3PN | 150 В | 90 А | 18 мОм | 0,018 Ом | 220 | FETBench | Заказать | |||
FQT3P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | SOT-223 | 200 В | 0,67 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
IRLM210A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET | N | Одиночный | SOT-223 | 200 В | 0,77 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 6,1 | FETBench | Заказать | |||
FQT4N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | SOT-223 | 200 В | 0,85 А | 1350 мОм | 1,35 Ом | 1,4 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
IRFNL210B | 200В N-канальный B-FET TO-92L | N | Одиночный | TO-92L | 200 В | 1 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 7,2 | FETBench | Заказать | |||
FDC2612 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SSOT-6 | 200 В | 1,1 А | 725 мОм | 0,725 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 200 В | 2,2 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQD3P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 2,4 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQP3P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 200 В | 2,8 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQPF4N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 2,8 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 5 | FETBench | Заказать | |||
FQB3P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 2,8 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FDS2170N3 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 200 В | 3 А | 128 мОм | 0,128 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |||
FQD4N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 3 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 5 | FETBench | Заказать | |||
FDS2670 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 200 В | 3 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FDS2170N7 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | FLMP | 200 В | 3 А | 128 мОм | 0,128 Ом | 26 | FETBench | Заказать | |||
FQD4N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 3,2 А | 1350 мОм | 1,35 Ом | 1,4 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
IRL610A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL610 | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 3,3 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 6,1 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 200 В | 3,4 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 3,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 1,25 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FDD2670 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 3,6 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 3,6 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 5 | FETBench | Заказать | |||
FQB4N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 3,6 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 5 | FETBench | Заказать | |||
FQD5P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 3,7 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU5P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 200 В | 3,7 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQD5N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 3,8 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 3,8 А | 1350 мОм | 1,35 Ом | 1,4 Ом | 4 | FETBench | Заказать | ||
FQD5N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 3,8 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 1,25 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FDS2672 | 200В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 200 В | 3,9 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FQE10N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO126 | 200 В | 4 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 4,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 1,25 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FQP5N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 4,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 1,25 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | ||
FQPF7N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 4,8 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQP5P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 200 В | 4,8 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQB5P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 4,8 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FDD2612 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 4,9 А | 720 мОм | 0,72 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 5 А | 750 мОм | 0,75 Ом | 0,78 Ом | 6,8 | FETBench | Заказать | ||
FQPF7P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 200 В | 5,2 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQD7N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 5,3 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQU7N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 200 В | 5,3 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQD7N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 5,5 А | 750 мОм | 0,75 Ом | 0,78 Ом | 6,8 | FETBench | Заказать | ||
FQD7P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 5,7 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQU7P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 200 В | 5,7 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQPF630 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 6,3 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 6,5 А | 750 мОм | 0,75 Ом | 0,78 Ом | 6,8 | FETBench | Заказать | ||
FQP7N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 6,6 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 8 | FETBench | Заказать | |||
FQPF10N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 6,8 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 13,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD630 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 7 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQB7P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 7,3 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQPF12P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 200 В | 7,3 А | 470 мОм | 0,47 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQP7P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 200 В | 7,3 А | 690 мОм | 0,69 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
IRLR230A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 7,5 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 18,6 | FETBench | Заказать | |||
FQD10N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 7,6 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 0,38 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FQU10N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 200 В | 7,6 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 13,5 | FETBench | Заказать | |||
FQU10N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 200 В | 7,8 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQD10N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 7,8 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQD12N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 9 А | 280 мОм | 0,28 Ом | 0,32 Ом | 16 | FETBench | Заказать | ||
IRL630A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL630 | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 9 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 18,6 | FETBench | Заказать | |||
FQU12N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 200 В | 9 А | 280 мОм | 0,28 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQD12N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 9 А | 280 мОм | 0,28 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
IRLW630A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 9 А | 400 мОм | 0,4 Ом | 18,6 | FETBench | Заказать | |||
FDMC2610 | 200В N-канальный UltraFET Trench,®MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 200 В | 9,5 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 12,3 | FETBench | Заказать | |||
FQPF10N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 9,5 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQP10N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 9,5 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQB10N20C | 200В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 9,5 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQI10N20C | 200В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 200 В | 9,5 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
IRLS640A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRLS640 | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 9,8 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FDMC2674 | 220В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 33 | 220 В | 7 А | 336 мОм | 0,336 Ом | 12,7 | FETBench | Заказать | |||
FQP10N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 10 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 13,5 | FETBench | Заказать | |||
FQB10N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 10 А | 360 мОм | 0,36 Ом | 0,38 Ом | 13 | FETBench | Заказать | ||
FQP12P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 200 В | 11,5 А | 470 мОм | 0,47 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQB12P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 11,5 А | 470 мОм | 0,47 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQAF12P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 11,5 А | 470 мОм | 0,47 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQPF19N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 11,8 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQA12P20 | 200В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 12,6 А | 470 мОм | 0,47 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQD18N20V2 | 200В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 200 В | 15 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQAF19N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 15 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQAF19N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 16 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 0,15 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FQPF34N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 17,5 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
IRL640A | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями A-FET / аналог IRL640 | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 18 А | 180 мОм | 0,18 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQPF18N20V2 | 200В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 18 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQP18N20V2 | 200В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 18 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQP19N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 19 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 40,5 | FETBench | Заказать | |||
FDB2670 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 19 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQPF19N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 19 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 40,5 | FETBench | Заказать | |||
FDP2670 | 200В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 19 А | 130 мОм | 0,13 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQB19N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 19 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 40,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP19N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 19,4 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQB19N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 19,4 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQI19N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 200 В | 19,4 А | 150 мОм | 0,15 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
SFH9250L | 200В P-канальный с управлением логическими уровнями A-FET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 19,5 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FDMS2672 | 200В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 200 В | 20 А | 77 мОм | 0,077 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQB19N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 21 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 0,15 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FQP19N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 21 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 0,15 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FQA19N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 21,8 А | 170 мОм | 0,17 Ом | 40,5 | FETBench | Заказать | |||
HUF75939P3 | 22A, 200V, 0.125 Ом, N-канальный, UltraFET® Power MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 22 А | 125 мОм | 0,125 Ом | 64 | FETBench | Заказать | |||
FQA19N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 25 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 0,15 Ом | 27 | FETBench | Заказать | ||
FQB32N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 28 А | 82 мОм | 0,082 Ом | 82,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP32N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 28 А | 82 мОм | 0,082 Ом | 82,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF32N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 28 А | 82 мОм | 0,082 Ом | 82,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP34N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 31 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQB34N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 31 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQB34N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 31 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 0,08 Ом | 55 | FETBench | Заказать | ||
FQP34N20L | 200В N-канальный с управлением логическими уровнями QFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 31 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 0,08 Ом | 55 | FETBench | Заказать | ||
FQA32N20C | 200В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 32 А | 82 мОм | 0,082 Ом | 82,5 | FETBench | Заказать | |||
FQA34N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 34 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FDP39N20 | 200В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 39 А | 66 мОм | 0,066 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FDPF39N20 | 200В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 200 В | 39 А | 66 мОм | 0,066 Ом | 38 | FETBench | Заказать | |||
FQA48N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 48 А | 50 мОм | 0,05 Ом | 100 | FETBench | Заказать | |||
FDB52N20 | 200В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 52 А | 49 мОм | 0,049 Ом | 49 | FETBench | Заказать | |||
FDP52N20 | 200В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 52 А | 49 мОм | 0,049 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FDP61N20 | 200В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 200 В | 61 А | 41 мОм | 0,041 Ом | 58 | FETBench | Заказать | |||
FDB2614 | 200В N-канальный PowerTrench MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 200 В | 62 А | 27 мОм | 0,027 Ом | 76 | FETBench | Заказать | |||
FQA65N20 | 200В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 65 А | 32 мОм | 0,032 Ом | 170 | FETBench | Заказать | |||
FDA70N20 | 200В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 200 В | 70 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 66 | FETBench | Заказать | |||
FQT2P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | SOT-223 | 250 В | 0,55 А | 4000 мОм | 4 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FQT4N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | SOT-223 | 250 В | 0,83 А | 1750 мОм | 1,75 Ом | 4,3 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 250 В | 1,8 А | 4000 мОм | 4 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 2,3 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQP2P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 250 В | 2,3 А | 4000 мОм | 4 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FQB2P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 2,3 А | 4000 мОм | 4 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FDMS2734 | 250В N-канальный UltraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | Power 56 (formerly MLP 5 x 6) | 250 В | 2,8 А | 122 мОм | 0,122 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 2,8 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQD4N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 3 А | 1750 мОм | 1,75 Ом | 4,3 | FETBench | Заказать | |||
FDS2734 | 250В N-канальный UItraFET Trench® MOSFET | N | Одиночный | SO-8 | 250 В | 3 А | 117 мОм | 0,117 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |||
FQD4P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 3,1 А | 2100 мОм | 2,1 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 4 А | 1000 мОм | 1 Ом | 6,6 | FETBench | Заказать | |||
FQP4P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 250 В | 4 А | 2100 мОм | 2,1 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQB4P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 4 А | 2100 мОм | 2,1 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 250 В | 4,2 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FDD6N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 4,4 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 4,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD6N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 4,4 А | 1000 мОм | 1 Ом | 6,6 | FETBench | Заказать | |||
FQD6P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 4,7 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 5,5 А | 1000 мОм | 1 Ом | 6,6 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 5,5 А | 1000 мОм | 1 Ом | 6,6 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 250 В | 6 А | 620 мОм | 0,62 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQP6P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 250 В | 6 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQD8N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 6,2 А | 550 мОм | 0,55 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQAF9P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 7,1 А | 620 мОм | 0,62 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQD9N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 7,4 А | 420 мОм | 0,42 Ом | 15,5 | FETBench | Заказать | |||
FQU9N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 250 В | 7,4 А | 420 мОм | 0,42 Ом | 15,5 | FETBench | Заказать | |||
FQB8N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 8 А | 550 мОм | 0,55 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQB9N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 8,8 А | 430 мОм | 0,43 Ом | 26,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 8,8 А | 430 мОм | 0,43 Ом | 26,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 8,8 А | 430 мОм | 0,43 Ом | 26,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP9P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 250 В | 9,4 А | 620 мОм | 0,62 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQB9P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 9,4 А | 620 мОм | 0,62 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQPF16N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 9,5 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQA9P25 | 250В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 10,5 А | 620 мОм | 0,62 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQAF16N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 11,4 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQPF27N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 14 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
FQI16N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 250 В | 15,6 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 10,2 | FETBench | Заказать | |||
FQPF16N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 15,6 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQP16N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 15,6 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQB16N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 15,6 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQD16N25C | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 250 В | 16 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FQP16N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 16 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQB16N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 16 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQA16N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 17,8 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 41 | FETBench | Заказать | |||
FDPF44N25T | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 18 А | 69 мОм | 0,069 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDPF33N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 20 А | 94 мОм | 0,094 Ом | 36,8 | FETBench | Заказать | |||
FQAF34N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 21,7 А | 85 мОм | 0,085 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQAF40N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 24 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FQP27N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 25,5 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
FQI27N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 250 В | 25,5 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
FQA27N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 27 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
FDPF51N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 250 В | 28 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 55 | FETBench | Заказать | |||
FDB33N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 33 А | 94 мОм | 0,094 Ом | 36,8 | FETBench | Заказать | |||
FDP33N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 33 А | 94 мОм | 0,094 Ом | 36,8 | FETBench | Заказать | |||
FDI33N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220/TO-262(I2PAK) | 250 В | 33 А | 94 мОм | 0,094 Ом | 36,8 | FETBench | Заказать | |||
FDAF69N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 34 А | 41 мОм | 0,041 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FQA34N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 34 А | 85 мОм | 0,085 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQA40N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 40 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 85 | FETBench | Заказать | |||
FDB44N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 44 А | 69 мОм | 0,069 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDB2710 | 250В N-канальный PowerTrench® MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 250 В | 50 А | 42 мОм | 0,0425 Ом | 78 | FETBench | Заказать | |||
FDP51N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 250 В | 51 А | 60 мОм | 0,06 Ом | 55 | FETBench | Заказать | |||
FQA55N25 | 250В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 55 А | 40 мОм | 0,04 Ом | 140 | FETBench | Заказать | |||
FDA59N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 59 А | 49 мОм | 0,049 Ом | 63 | FETBench | Заказать | |||
FQA62N25C | 250В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 62 А | 35 мОм | 0,035 Ом | 100 | FETBench | Заказать | |||
FDA69N25 | 250В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 250 В | 69 А | 41 мОм | 0,041 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FDAF62N28 | 280В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 280 В | 36 А | 51 мОм | 0,051 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FDAF75N28 | 280В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 280 В | 46 А | 41 мОм | 0,041 Ом | 111 | FETBench | Заказать | |||
FDA62N28 | 280В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 280 В | 62 А | 51 мОм | 0,051 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FDA75N28 | 280В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 280 В | 75 А | 41 мОм | 0,041 Ом | 111 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 300 В | 2,1 А | 3700 мОм | 3,7 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | |||
FQI2N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 300 В | 2,1 А | 3700 мОм | 3,7 Ом | 3,7 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 300 В | 3,2 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQI3N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 300 В | 3,2 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQB3N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 300 В | 3,2 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD5N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 300 В | 4,4 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 9,8 | FETBench | Заказать | |||
FQI5N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 300 В | 5,4 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 9,8 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 300 В | 5,4 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 9,8 | FETBench | Заказать | |||
FQP5N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 300 В | 5,4 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 9,8 | FETBench | Заказать | |||
FQD7N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 300 В | 5,5 А | 700 мОм | 0,7 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 300 В | 6 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQB7N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 300 В | 7 А | 700 мОм | 0,7 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQPF14N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 300 В | 8,5 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 300 В | 9 А | 450 мОм | 0,45 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQB14N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 300 В | 9,1 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQP14N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 300 В | 9,1 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQPF22N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 300 В | 12 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDPF14N30 | 300В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 300 В | 14 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FDB14N30 | 300В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 300 В | 14 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQA14N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 300 В | 15 А | 290 мОм | 0,29 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQP22N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 300 В | 21 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 47 | FETBench | Заказать | |||
FDAF59N30 | 300В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 300 В | 34 А | 56 мОм | 0,056 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FQA38N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 300 В | 38,4 А | 85 мОм | 0,085 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FQA44N30 | 300В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 300 В | 43,5 А | 69 мОм | 0,069 Ом | 120 | FETBench | Заказать | |||
FDA59N30 | 300В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 300 В | 59 А | 56 мОм | 0,056 Ом | 77 | FETBench | Заказать | |||
FQB25N33 | 330В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 330 В | 25 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 58 | FETBench | Заказать | |||
FDPF12N35 | 350В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 350 В | 7,5 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQS4901 | 400В Сдвоенный N-канальный QFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 400 В | 0,45 А | 4200 мОм | 4,2 Ом | 5,8 | FETBench | Заказать | |||
FQD2N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 400 В | 1,4 А | 5800 мОм | 5,8 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQD2P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 400 В | 1,6 А | 6500 мОм | 6,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 1,6 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQP2N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 1,8 А | 5800 мОм | 5,8 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FDD3N40 | 400В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 400 В | 2 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 4,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP2P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 400 В | 2 А | 6500 мОм | 6,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQB2P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 2 А | 6500 мОм | 6,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 2,5 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQD4P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 400 В | 2,7 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 3 А | 1600 мОм | 1,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU5N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 400 В | 3,4 А | 1600 мОм | 1,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQD5N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 400 В | 3,4 А | 1600 мОм | 1,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQP4P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 400 В | 3,5 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQI4P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 400 В | 3,5 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQB4P40 | 400В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 3,5 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQD6N40C | 400В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 400 В | 4,5 А | 1000 мОм | 1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQP5N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 4,5 А | 1600 мОм | 1,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 4,5 А | 1600 мОм | 1,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU6N40C | 400В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 400 В | 4,5 А | 1000 мОм | 1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 4,6 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 16,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N40C | 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 6 А | 1000 мОм | 1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N40CF | 400В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 6 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N40CF | 400В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 6 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N40CF | 400В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 6 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 2,3 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N40C | 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 6 А | 1000 мОм | 1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQI6N40C | 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 400 В | 6 А | 1000 мОм | 1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N40C | 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 6 А | 1000 мОм | 1 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF11N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 6,6 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 7 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 16,5 | FETBench | Заказать | |||
IRFS750A | 400В N-канальный A-FET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 8,4 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 101 | FETBench | Заказать | |||
FQAF11N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 8,8 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQPF17N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 9,5 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQP11N40C | 400В N-канальный, новойd QFET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 11 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF11N40C | 400В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 400 В | 11 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB11N40C | 400В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 11 А | 530 мОм | 0,53 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP11N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 11,4 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQB11N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 400 В | 11,4 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
IRFS350A | 400В N-канальный A-FET / аналог IRFS350 | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 11,5 А | 300 мОм | 0,3 Ом | 101 | FETBench | Заказать | |||
FQAF17N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 12,2 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQP17N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 400 В | 16 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA17N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 17,2 А | 270 мОм | 0,27 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA20N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 19,5 А | 220 мОм | 0,22 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQA30N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 30 А | 140 мОм | 0,14 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FQH35N40 | 400В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 35 А | 105 мОм | 0,105 Ом | 110 | FETBench | Заказать | |||
FQA35N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 400 В | 35 А | 105 мОм | 0,105 Ом | 110 | FETBench | Заказать | |||
FQL50N40 | 400В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-264 | 400 В | 50 А | 75 мОм | 0,075 Ом | 160 | FETBench | Заказать | |||
SSM1N45B | 450В N-канальный B-FET | N | Одиночный | SOT-223 | 450 В | 0,5 А | 4250 мОм | 4,25 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
SSN1N45B | 450В N-канальный B-FET | N | Одиночный | TO-92 | 450 В | 0,5 А | 4250 мОм | 4,25 Ом | 6,5 | FETBench | Заказать | |||
FQNL1N50B | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-92L | 500 В | 0,27 А | 9000 мОм | 9 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQNL2N50B | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-92L | 500 В | 0,35 А | 5300 мОм | 5,3 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQS4903 | 500В Сдвоенный N-канальный QFET | N | Сдвоенный | SO-8 | 500 В | 0,37 А | 6200 мОм | 6,2 Ом | 6,3 | FETBench | Заказать | |||
FQN1N50C | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-92 | 500 В | 0,38 А | 6000 мОм | 6 Ом | 4,9 | FETBench | Заказать | |||
FQPF1P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 500 В | 1 А | 10500 мОм | 10,5 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FQD1N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 1,1 А | 9000 мОм | 9 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQU1N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 1,1 А | 9000 мОм | 9 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQD1P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 1,2 А | 10500 мОм | 10,5 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FQP1N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 1,4 А | 9000 мОм | 9 Ом | 4 | FETBench | Заказать | |||
FQB1P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 1,5 А | 10500 мОм | 10,5 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FQP1P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 500 В | 1,5 А | 10500 мОм | 10,5 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FQI1P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 1,5 А | 10500 мОм | 10,5 Ом | 11 | FETBench | Заказать | |||
FQD2N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 1,6 А | 5300 мОм | 5,3 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQU2N50B | Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 1,6 А | 5300 мОм | 5,3 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220F | 500 В | 1,9 А | 4900 мОм | 4,9 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQU3P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 2,1 А | 4900 мОм | 4,9 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQD3P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 2,1 А | 4900 мОм | 4,9 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQP2N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 2,1 А | 5300 мОм | 5,3 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQB2N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 2,1 А | 5300 мОм | 5,3 Ом | 6 | FETBench | Заказать | |||
FQD3N50C | 500В N-канальный, новойd QFET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 2,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU3N50C | 500В N-канальный, новойd QFET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 2,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQD4N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 2,6 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU4N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 2,6 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQP3P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-220 | 500 В | 2,7 А | 4900 мОм | 4,9 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQB3P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 2,7 А | 4900 мОм | 4,9 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQI3P50 | 500В P-канальный QFET | P | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 2,7 А | 4900 мОм | 4,9 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3N50C | 500В N-канальный, новойd QFET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 3 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N50C | 500В N-канальный, новойd QFET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 3 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 3 А | 1800 мОм | 1,8 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 3,4 А | 2700 мОм | 2,7 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 3,6 А | 1300 мОм | 1,3 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQD5N50C | 500В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 4 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQU5N50C | 500В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 4 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQD6N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 4,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N50CF | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 5 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQP5N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 5 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 18,1 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 5 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N50CF | 500В N-канальный C-FET (FRFET) | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 5 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 5 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQI5N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 5 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 18 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 5,3 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N50C | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 5,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 5,5 А | 1300 мОм | 1,3 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQI6N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 5,5 А | 1300 мОм | 1,3 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 5,5 А | 1300 мОм | 1,3 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FDD6N50 | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 500 В | 6 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 12,8 | FETBench | Заказать | |||
FDU6N50 | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 500 В | 6 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 12,8 | FETBench | Заказать | |||
FDPF7N50 | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 7 А | 900 мОм | 0,9 Ом | 12,8 | FETBench | Заказать | |||
FQAF9N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 7,2 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF13N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 7,3 А | 430 мОм | 0,43 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FDP18N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 8 А | 265 мОм | 0,265 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FDPF18N50T | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 8 А | 265 мОм | 0,265 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FDPF18N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 8 А | 265 мОм | 0,265 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQI9N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 9 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9N50CF | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 9 А | 850 мОм | 0,85 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB9N50CF | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 9 А | 850 мОм | 0,85 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 9 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 9 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 9 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB9N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 9 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQI9N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 9 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB9N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 9 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQA9N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 9,6 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF10N50CF | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 10 А | 610 мОм | 0,61 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQPF11N50CF | 500В N-канальный, новойd Q-FET C-серии (FRFET) | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 11 А | 550 мОм | 0,55 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQP11N50CF | 500В N-канальный, новойd Q-FET C-серии (FRFET) | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 11 А | 550 мОм | 0,55 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQAF16N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 11,3 А | 320 мОм | 0,32 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQP13N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 12,5 А | 430 мОм | 0,43 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQPF13N50CF | 500В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 13 А | 540 мОм | 0,54 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQPF13N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 13 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQP13N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 13 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQI13N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 500 В | 13 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQB13N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 13 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FQA13N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 13,4 А | 430 мОм | 0,43 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA13N50C | 500В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 13,5 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
IRFP460C | 500В N-канальный C-FET / аналог SSH20N50, SSH22N50A,IRFP460 | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 14 А | 240 мОм | 0,24 Ом | 87 | FETBench | Заказать | |||
FQA13N50CF | 500В N-канальный C-FET (FRFET) | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF TO-3PN | 500 В | 15 А | 480 мОм | 0,48 Ом | 43 | FETBench | Заказать | |||
FDB15N50 | 15A, 500V, 0.38 Ом, N-канальный SMPS Power MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 500 В | 15 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 33 | FETBench | Заказать | |||
FDPF16N50T | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 16 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |||
FDP16N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 16 А | 390 мОм | 0,39 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |||
FDPF16N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 16 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |||
FDA16N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-3PN | 500 В | 16,5 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 32 | FETBench | Заказать | |||
FDA18N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-3PN | 500 В | 19 А | 265 мОм | 0,265 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FDP20N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220 | 500 В | 20 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 45,6 | FETBench | Заказать | |||
FDPF20N50T | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 20 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 45,6 | FETBench | Заказать | |||
FDPF20N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 500 В | 20 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 45,6 | FETBench | Заказать | |||
FQH18N50V2 | 500В N-канальный, новойd QFET V2 series | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 20 А | 265 мОм | 0,265 Ом | 42 | FETBench | Заказать | |||
FDA20N50 | 500В N-канальный MOSFET, UniFET™ | N | Одиночный | TO-3PN | 500 В | 22 А | 230 мОм | 0,23 Ом | 45,6 | FETBench | Заказать | |||
FQA24N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 24 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FQA24N50F | 500В N-канальный FRFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 24 А | 200 мОм | 0,2 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FDH27N50 | Одиночный Commercial N-канальный SMPS Power MOSFET, 500V, 27A, 0.19 Ом @ В Uзи= 10V, TO-247 корпусе | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 27 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 56 | FETBench | Заказать | |||
FQA28N50F | 500В N-канальный FRFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 28,4 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 110 | FETBench | Заказать | |||
FQA28N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 28,4 А | 160 мОм | 0,16 Ом | 110 | FETBench | Заказать | |||
FQL40N50 | 500В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-264 | 500 В | 40 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 155 | FETBench | Заказать | |||
FQL40N50F | 500В N-канальный FRFET | N | Одиночный | TO-264 | 500 В | 40 А | 110 мОм | 0,11 Ом | 155 | FETBench | Заказать | |||
FDH44N50 | Одиночный Commercial N-канальный SMPS MOSFET, 500V, 44A, 0.120 Ом @ Vgs=10V, TO-247 корпусе | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 44 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 90 | FETBench | Заказать | |||
FDH45N50F | 500В N-канальный MOSFET, FRFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 45 А | 120 мОм | 0,12 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
FDH50N50 | 500В N-канальный UniFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 48 А | 105 мОм | 0,105 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
FDA50N50 | 500В N-канальный UniFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 500 В | 48 А | 105 мОм | 0,105 Ом | 105 | FETBench | Заказать | |||
FQN1N60C | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-92 | 600 В | 0,3 А | 11500 мОм | 11,5 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | |||
FQU1N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 1 А | 11500 мОм | 11,5 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | |||
FQD1N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 1 А | 11500 мОм | 11,5 Ом | 4,8 | FETBench | Заказать | |||
FQD1N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 1 А | 11500 мОм | 11,5 Ом | 5 | FETBench | Заказать | |||
FQU2N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 1,9 А | 4700 мОм | 4,7 Ом | 8,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD2N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 1,9 А | 4700 мОм | 4,7 Ом | 8,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 2 А | 4700 мОм | 4,7 Ом | 8,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP2N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 2 А | 4700 мОм | 4,7 Ом | 8,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 2 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU2N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 2 А | 4700 мОм | 4,7 Ом | 9 | FETBench | Заказать | |||
FQU3N60C | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 2,4 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 10,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD3N60C | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 2,4 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 10,5 | FETBench | Заказать | |||
FQD3N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 2,4 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQU3N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 2,4 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQPF4N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 2,6 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQD5N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 2,8 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 2,8 А | 2000 мОм | 2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQU5N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 2,8 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N60C | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 3 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 10,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 3 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 10 | FETBench | Заказать | |||
FQB3N60C | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 3 А | 3400 мОм | 3,4 Ом | 10,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 3,6 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FCD4N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 3,9 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 12,8 | FETBench | Заказать | |||
FCP4N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 3,9 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 12,8 | FETBench | Заказать | |||
FQD6N60C | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 4 А | 2000 мОм | 2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 4,3 А | 1000 мОм | 1 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 4,4 А | 2200 мОм | 2,2 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 4,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQP5N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 4,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQI5N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 4,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FCD5N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 4,6 А | 950 мОм | 0,95 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FCU5N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 4,6 А | 950 мОм | 0,95 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 5 А | 2000 мОм | 2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 5,5 А | 2000 мОм | 2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 5,5 А | 2000 мОм | 2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQI6N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 5,5 А | 2000 мОм | 2 Ом | 16 | FETBench | Заказать | |||
FQPF12N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 5,8 А | 700 мОм | 0,7 Ом | 42 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 6,2 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 6,2 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQB8N60CF | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 6,26 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQPF8N60CF | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 6,26 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FCP7N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 7 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 25 | FETBench | Заказать | |||
FCI7N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 7 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 25 | FETBench | Заказать | |||
FCPF7N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 7 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 25 | FETBench | Заказать | |||
FCD7N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 600 В | 7 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FCU7N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 600 В | 7 А | 600 мОм | 0,6 Ом | 23 | FETBench | Заказать | |||
FQI7N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 7,4 А | 1000 мОм | 1 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQB7N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 7,4 А | 1000 мОм | 1 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 7,4 А | 1000 мОм | 1 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQPF8N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 7,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQP8N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 7,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQI8N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 7,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB8N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 7,5 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQA7N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 7,7 А | 1000 мОм | 1 Ом | 29 | FETBench | Заказать | |||
FQPF10N60CF | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 9 А | 800 мОм | 0,8 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQPF10N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 9,5 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQP10N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 9,5 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQI10N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 9,5 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQB10N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 9,5 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQA10N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 10 А | 730 мОм | 0,73 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FCB11N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FCI11N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FCP11N60F | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FCB11N60F | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FCPF11N60F | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FCPF11N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FCP11N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 11 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQAF19N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 11,2 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 70 | FETBench | Заказать | |||
FQPF12N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 12 А | 650 мОм | 0,65 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQP12N60C | 600В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 12 А | 650 мОм | 0,65 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQB12N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 12 А | 650 мОм | 0,65 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FQI12N60C | 600В N-канальный, новой QFET C-серии | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 600 В | 12 А | 650 мОм | 0,65 Ом | 48 | FETBench | Заказать | |||
FCP16N60 | 600В N-канальный MOSFET SuperFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 16 А | 260 мОм | 0,26 Ом | FETBench | Заказать | ||||
FCA16N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 600 В | 16 А | 260 мОм | 0,26 Ом | FETBench | Заказать | ||||
FCPF16N60 | 600В N-канальный SuperFET™ | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 16 А | 260 мОм | 0,26 Ом | 50 | FETBench | Заказать | |||
FQA19N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 18,5 А | 380 мОм | 0,38 Ом | 70 | FETBench | Заказать | |||
FCP20N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220 | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FCPF20N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-220F | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FCA20N60 | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FCB20N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FCH20N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FCB20N60F | 600В N-канальный FRFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FCA20N60F | 600В N-канальный FRFET | N | Одиночный | TO-3PN | 600 В | 20 А | 190 мОм | 0,19 Ом | 75 | FETBench | Заказать | |||
FQA24N60 | 600В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 23,5 А | 240 мОм | 0,24 Ом | 110 | FETBench | Заказать | |||
FCH47N60F | 600В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 47 А | 73 мОм | 0,073 Ом | 210 | FETBench | Заказать | |||
FCH47N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 600 В | 47 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 210 | FETBench | Заказать | |||
FCA47N60 | 600В N-канальный SuperFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF TO-3PN | 600 В | 47 А | 70 мОм | 0,07 Ом | 210 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N65C | 650В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 650 В | 7 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FDPF15N65 | 650В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220F | 650 В | 7 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 48,5 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N65C | 650В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 650 В | 7 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQB7N65C | 650В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 650 В | 7 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FQA7N65C | 650В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 650 В | 7 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 28 | FETBench | Заказать | |||
FDP15N65 | 650В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-220 | 650 В | 15 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 48,5 | FETBench | Заказать | |||
FDA15N65 | 650В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 650 В | 16 А | 440 мОм | 0,44 Ом | 48,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2N70 | 700В N-канальный Q-FET | N | Одиночный | TO-220F | 700 В | 2 А | 6300 мОм | 6,3 Ом | 8,1 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N70 | 700В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 700 В | 3,5 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQAF15N70 | 700В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 700 В | 9,5 А | 560 мОм | 0,56 Ом | 70 | FETBench | Заказать | |||
FQD1N80 | Power MOSFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 800 В | 1 А | 20000 мОм | 20 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQU1N80 | Power MOSFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 800 В | 1 А | 20000 мОм | 20 Ом | 5,5 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 1,5 А | 6300 мОм | 6,3 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQD2N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 800 В | 1,8 А | 6300 мОм | 6,3 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 1,8 А | 5000 мОм | 5 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQU2N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 800 В | 1,8 А | 6300 мОм | 6,3 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF4N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 2,2 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQP2N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 2,4 А | 6300 мОм | 6,3 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF3N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 3 А | 4800 мОм | 4,8 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQP3N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 3 А | 4800 мОм | 4,8 Ом | 13 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 3,3 А | 1950 мОм | 1,95 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 3,8 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 3,9 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQB4N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 800 В | 3,9 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQI4N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 800 В | 3,9 А | 3600 мОм | 3,6 Ом | 19 | FETBench | Заказать | |||
FQAF6N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 800 В | 4,4 А | 1950 мОм | 1,95 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQP5N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 4,8 А | 2600 мОм | 2,6 Ом | 25 | FETBench | Заказать | |||
FQAF7N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 800 В | 5 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 5,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 5,5 А | 2500 мОм | 2,5 Ом | 21 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 5,8 А | 1950 мОм | 1,95 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQB6N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 800 В | 5,8 А | 1950 мОм | 1,95 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQAF8N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 800 В | 5,9 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQA6N80 | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 6,3 А | 1950 мОм | 1,95 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQPF7N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 6,6 А | 1900 мОм | 1,9 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 6,6 А | 1900 мОм | 1,9 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQP7N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 6,6 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQI7N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 800 В | 6,6 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQAF10N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 800 В | 6,7 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 55 | FETBench | Заказать | |||
FQA7N80C | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 7 А | 1900 мОм | 1,9 Ом | 27 | FETBench | Заказать | |||
FQA7N80 | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 7,2 А | 1500 мОм | 1,5 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQPF8N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 800 В | 8 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQP8N80C | 800В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 800 В | 8 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQAF13N80 | 800В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 800 В | 8 А | 750 мОм | 0,75 Ом | 68 | FETBench | Заказать | |||
FQA8N80 | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 8,4 А | 1200 мОм | 1,2 Ом | 44 | FETBench | Заказать | |||
FQA8N80C | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 8,4 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQA10N80 | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 9,8 А | 1050 мОм | 1,05 Ом | 55 | FETBench | Заказать | |||
FQA10N80C | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 10 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA13N80 | 800В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 800 В | 12,6 А | 750 мОм | 0,75 Ом | 68 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 1,4 А | 7200 мОм | 7,2 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQU2N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 900 В | 1,7 А | 7200 мОм | 7,2 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQD2N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 900 В | 1,7 А | 7200 мОм | 7,2 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF2NA90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 1,7 А | 5800 мОм | 5,8 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQP2N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 2,2 А | 7200 мОм | 7,2 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQB2N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 900 В | 2,2 А | 7200 мОм | 7,2 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQPF4N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 2,5 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 24 | FETBench | Заказать | |||
FQP2NA90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 2,8 А | 5800 мОм | 5,8 Ом | 15 | FETBench | Заказать | |||
FQPF5N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 3 А | 2300 мОм | 2,3 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQI3N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 900 В | 3,6 А | 4250 мОм | 4,25 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQB3N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 900 В | 3,6 А | 4250 мОм | 4,25 Ом | 20 | FETBench | Заказать | |||
FQPF4N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 4 А | 4200 мОм | 4,2 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 4 А | 4200 мОм | 4,2 Ом | 17 | FETBench | Заказать | |||
FQP4N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 4,2 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 24 | FETBench | Заказать | |||
FQI4N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-262(I2PAK) | 900 В | 4,2 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 24 | FETBench | Заказать | |||
FQB4N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 900 В | 4,2 А | 3100 мОм | 3,1 Ом | 24 | FETBench | Заказать | |||
FQAF7N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 900 В | 5,2 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQB5N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-263(D2PAK) | 900 В | 5,4 А | 2300 мОм | 2,3 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQA5N90 | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 5,8 А | 2300 мОм | 2,3 Ом | 31 | FETBench | Заказать | |||
FQP6N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 6 А | 2300 мОм | 2,3 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQA6N90C | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 6 А | 2300 мОм | 2,3 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQPF6N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 6 А | 2300 мОм | 2,3 Ом | 30 | FETBench | Заказать | |||
FQPF8N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 6 А | 1900 мОм | 1,9 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQP8N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 6 А | 1900 мОм | 1,9 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQA7N90M | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 7 А | 1800 мОм | 1,8 Ом | 40 | FETBench | Заказать | |||
FQAF11N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 900 В | 7,2 А | 1100 мОм | 1,1 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQAF11N90 | 900В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 900 В | 7,2 А | 960 мОм | 0,96 Ом | 72 | FETBench | Заказать | |||
FQA7N90 | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 7,4 А | 1550 мОм | 1,55 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQP9N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220 | 900 В | 8 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA8N90C | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 8 А | 1900 мОм | 1,9 Ом | 35 | FETBench | Заказать | |||
FQPF9N90C | 900В N-канальный, новой Q-FET C-серии | N | Одиночный | TO-220F | 900 В | 8 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA9N90 | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 8,6 А | 1300 мОм | 1,3 Ом | 55 | FETBench | Заказать | |||
FQA9N90C | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 9 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 45 | FETBench | Заказать | |||
FQA11N90C | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 11 А | 1400 мОм | 1,4 Ом | 60 | FETBench | Заказать | |||
FQA11N90 | 900В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-3PN | 900 В | 11,4 А | 960 мОм | 0,96 Ом | 72 | FETBench | Заказать | |||
FQU2N100 | 1000В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-251(IPAK) | 1000 В | 1,7 А | 10000 мОм | 10 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQD2N100 | 1000В N-канальный QFET | N | Одиночный | TO-252(DPAK) | 1000 В | 1,7 А | 9 мОм | 0,009 Ом | 12 | FETBench | Заказать | |||
FQA8N100C | 1000В N-канальный MOSFET | N | Одиночный | TO-247/TO-3P/TO-3PF | 1000 В | 8 А | 1450 мОм | 1,45 Ом | 53 | FETBench | Заказать |