MOSFET/IGBT-драйверы ON Semiconductor оптом и в розницу

FOD8320R2 Оптопара драйвер затвора 5кВ 5SOP Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP5 Число каналов: 1 Напр. изоляции: 5000Vrms Устойчивость к выбросам напр.: 35kV/ µs Задержка распространения: 400ns, 400ns Макс. искажение длины импульса: 100ns Время нарастания/спада: 60ns, 60ns Выходной ток high, low: 2A, 2A Пиковый выходной ток: 3A Напр. питания: 16 V ~ 30 V

Сообщить о поступлении

FOD8320R2V Оптопара драйвер затвора 5кВ 5SOP Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP5

Сообщить о поступлении

FOD8321R2 Оптопара драйвер затвора 5кВ 5SOP Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP5 Число каналов: 1 Напр. изоляции: 5000Vrms Устойчивость к выбросам напр.: 20kV/ µs Задержка распространения: 500ns, 500ns Макс. искажение длины импульса: 300ns Время нарастания/спада: 60ns, 60ns Выходной ток high, low: 2A, 2A Пиковый выходной ток: 3A Напр. питания: 16 V ~ 30 V

Сообщить о поступлении

FOD8332 Оптопара драйвер затвора 4.243кВ 16SO Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16 Число каналов: 1 Напр. изоляции: 4243Vrms Устойчивость к выбросам напр.: 35kV/ µs Задержка распространения: 250ns, 250ns Макс. искажение длины импульса: 100ns Время нарастания/спада: 50ns, 50ns Выходной ток high, low: 2.5A, 2.5A Пиковый выходной ток: 3A Напр. питания: 3 V ~ 15 V

Сообщить о поступлении

FOD8384 Оптопара драйвер затвора 5кВ 5SOP Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP5 Число каналов: 1 Напр. изоляции: 5000Vrms Устойчивость к выбросам напр.: 35kV/ µs Задержка распространения: 210ns, 210ns Макс. искажение длины импульса: 65ns Время нарастания/спада: 35ns, 25ns Выходной ток high, low: 2.5A, 2.5A Пиковый выходной ток: 3A Напр. питания: 15 V ~ 30 V

Сообщить о поступлении

FOD8384R2 Optocoupler Drive Push-Pull 1-CH 30V 1500V 5-Pin SOP W T/R Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP5

Сообщить о поступлении

Новинка

FOD8384V Оптоизолятор 5кВ с полевым транзистором 5SOP Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOP5Long Число каналов: 1 Напр. изоляции: 5000Vrms Устойчивость к выбросам напр.: 35kV/ µs Задержка распространения: 210ns, 210ns Макс. искажение длины импульса: 65ns Время нарастания/спада: 35ns, 25ns Выходной ток high, low: 2.5A, 2.5A Пиковый выходной ток: 3A Напр. питания: 15 V ~ 30 V

Сообщить о поступлении

H11F1M Оптоизолятор 7.5кВ фотоэлектрический с полевым транзистором 6-DIP Производитель: ON Semiconductor Корпус: DIP-6

Сообщить о поступлении

H11F1SM Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-SMD Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMDIP-6

Сообщить о поступлении

H11F1SR2M Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-SMD Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMDIP-6

Сообщить о поступлении

H11F3M Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-DIP Производитель: ON Semiconductor Корпус: DIP-6

Сообщить о поступлении

H11F3SM Оптоизолятор 7.5кВ полевой фототранзистор 6-SMD Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMDIP-6

Сообщить о поступлении

H11G1M Опто транзистор darlington x1 5.3kV 100V 0.06A Кус=100-1000% Производитель: ON Semiconductor Корпус: DIP-6

Сообщить о поступлении

H11G1SM Оптоизолятор 7.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6SMD Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMDIP-6

Сообщить о поступлении

H11G1SR2M Оптоизолятор 7.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6SMD Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMDIP-6

Сообщить о поступлении

H11G2SR2M Оптоизолятор 7.5кВ транзистор Дарлингтона c выводом базы 6SMD Производитель: ON Semiconductor Корпус: SMDIP-6

Сообщить о поступлении