8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные биполярные транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

Ток коллектора Макс.

Мощность Макс.

Коэффициент усиления hFE

Граничная частота

Напряжение насыщения КЭ

Тип монтажа


123>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораНапряжение Колл-Эмитт. МаксТок коллектора Макс.Мощность Макс.Коэффициент усиления hFEГраничная частотаНапряжение насыщения КЭТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
2N6045G 2N6045G   ONS TO-220 от 23.78 руб 104 27   от 21.24 руб. 1153 127 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А75 Вт10002 ВСквозной
BDV64BG BDV64BG   ONS TO-247-3 от 68.30 руб 30 -   от 72.93 руб. 1005 6 30 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 АPNP, составной100 В10 А125 Вт10002 ВСквозной
BDV65BG BDV65BG   ONS TO-247-3 от 88.83 руб 130 2   от 70.44 руб. 2010 60 30 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 ВтNPN, составной100 В10 А125 Вт10002 ВСквозной
BDW42G BDW42G   ONS TO-220 - - -   от 16.27 руб. 1084 192 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 АNPN, составной100 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
BDW46G BDW46G   ONS TO-220 - - -   от 32.59 руб. 4600 300 50 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 15 АPNP, составной80 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
BDW47G BDW47G   ONS TO-220 - - -   от 29.52 руб. 1450 300 50 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 15 АPNP, составной100 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
MJ11015G MJ11015G   ONS TO-3 от 189.24 руб 91 10   от 162.41 руб. 544 2 100 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 АPNP, составной120 В30 А200 Вт10004 МГц4 ВСквозной
MJ11016G MJ11016G  ONS TO-3 от 200.41 руб 41 15   от 171.39 руб. 1440 2 100 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 ВтNPN, составной120 В30 А200 Вт10004 МГц4 ВСквозной
MJ11032G MJ11032G  ONS TO-3 от 447.40 руб 59 8   от 440.65 руб. 172 1 100 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 ВтNPN, составной120 В50 А300 Вт10003.5 ВСквозной
MJ11033G MJ11033G  ONS TO-3 от 513.66 руб 7 -   от 505.88 руб. 73 1 7 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 50 АPNP, составной120 В50 А300 Вт10003.5 ВСквозной
MJD112G MJD112G   ONS DPAK/TO252 от 15.56 руб 60 12   от 13.19 руб. 8714 17 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112T4 MJD112T4   STM DPAK/TO252 от 12.45 руб 2435 50   от 10.18 руб. 20258 20 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 ВтNPN, составной100 В2 А20 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112T4G MJD112T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 11.69 руб. 52308 26 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117G MJD117G   ONS DPAK/TO252 от 17.29 руб 490 20   от 14.15 руб. 6925 16 75 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 ВтPNP, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117T4 MJD117T4   STM DPAK/TO252 от 15.59 руб 257 -   от 14.78 руб. 52264 25 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 АPNP, составной100 В2 А20 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117T4G MJD117T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 13.33 руб. 47500 2500 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 АPNP, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD122G MJD122G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 11.11 руб. 18375 600 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD122T4 MJD122T4   STM DPAK/TO252 от 11.25 руб 911 -   от 9.99 руб. 160667 23 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А20 Вт10004 ВПоверхностный
MJD122T4 MJD122T4   STM DPAK/TO252 от 13.41 руб - -   от 9.99 руб. 160667 22 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А20 Вт10004 ВПоверхностный
MJD122T4G MJD122T4G   ONS DPAK/TO252 от 13.42 руб 626 63   от 14.15 руб. 30423 213 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 ВтNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD127G MJD127G   ONS DPAK/TO252 от 16.02 руб 996 79   от 12.87 руб. 10208 189 75 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 ВтPNP, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD127T4 MJD127T4   STM DPAK/TO252 - - -   от 12.36 руб. 160000 2500 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 АPNP, составной100 В8 А20 Вт10004 ВПоверхностный
MJD127T4G MJD127T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 12.94 руб. 66162 221 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 АPNP, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
NJVMJD122T4G NJVMJD122T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 20.68 руб. 12520 14 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 ВПоверхностный

123>>>

сообщение об ошибке