8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные биполярные транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

Ток коллектора Макс.

Мощность Макс.

Коэффициент усиления hFE

Граничная частота

Напряжение насыщения КЭ

Тип монтажа


123>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораНапряжение Колл-Эмитт. МаксТок коллектора Макс.Мощность Макс.Коэффициент усиления hFEГраничная частотаНапряжение насыщения КЭТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
2N6045G 2N6045G   ONS TO-220 от 23.46 руб 104 27   от 19.14 руб. 1143 170 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А75 Вт10002 ВСквозной
2N6388G 2N6388G   ONS TO-220 - - -   от 25.93 руб. 700 600 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 АNPN, составной80 В10 А2 Вт10003 ВСквозной
BDV64BG BDV64BG   ONS TO-247-3 от 65.05 руб 30 -   от 75.95 руб. 1515 5 30 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 АPNP, составной100 В10 А125 Вт10002 ВСквозной
BDV65BG BDV65BG   ONS TO-247-3 от 84.76 руб 130 2   от 71.35 руб. 1980 60 30 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 ВтNPN, составной100 В10 А125 Вт10002 ВСквозной
BDW42G BDW42G   ONS TO-220 - - -   от 24.95 руб. 6123 129 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 АNPN, составной100 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
BDW46G BDW46G   ONS TO-220 - - -   от 29.02 руб. 7400 300 50 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 15 АPNP, составной80 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
BDW47G BDW47G   ONS TO-220 - - -   от 33.71 руб. 350 300 50 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 15 АPNP, составной100 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
MJ11015G MJ11015G   ONS TO-3 от 181.36 руб 70 8   от 156.03 руб. 609 2 100 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 АPNP, составной120 В30 А200 Вт10004 МГц4 ВСквозной
MJ11016G MJ11016G  ONS TO-3 от 192.12 руб 29 11   от 172.15 руб. 1116 2 100 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 ВтNPN, составной120 В30 А200 Вт10004 МГц4 ВСквозной
MJ11032G MJ11032G  ONS TO-3 от 460.42 руб 57 7   от 488.35 руб. 126 1 100 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 ВтNPN, составной120 В50 А300 Вт10003.5 ВСквозной
MJ11033G MJ11033G  ONS TO-3 от 494.44 руб 5 -   от 628.35 руб. 49 1 7 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 50 АPNP, составной120 В50 А300 Вт10003.5 ВСквозной
MJD112G MJD112G   ONS DPAK/TO252 от 14.64 руб 47 10   от 13.01 руб. 9186 13 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112T4 MJD112T4   STM DPAK/TO252 от 11.69 руб 1863 50   от 11.31 руб. 25158 16 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 ВтNPN, составной100 В2 А20 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112T4G MJD112T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 11.74 руб. 22308 18 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117G MJD117G   ONS DPAK/TO252 от 16.28 руб 490 20   от 14.71 руб. 5759 16 75 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 ВтPNP, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117T4 MJD117T4   STM DPAK/TO252 от 15.38 руб 257 -   от 11.60 руб. 25151 18 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 АPNP, составной100 В2 А20 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117T4G MJD117T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 14.54 руб. 70000 2500 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 АPNP, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD122G MJD122G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 15.61 руб. 30000 600 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD122T4 MJD122T4   STM DPAK/TO252 от 13.30 руб - -   от 11.53 руб. 94018 22 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А20 Вт10004 ВПоверхностный
MJD122T4 MJD122T4   STM DPAK/TO252 от 12.92 руб 1324 -   от 11.63 руб. 93518 22 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А20 Вт10004 ВПоверхностный
MJD122T4G MJD122T4G   ONS DPAK/TO252 от 15.90 руб 908 10   от 13.96 руб. 80709 210 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 ВтNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD122TF MJD122TF   ONS DPAK/TO252 - - -   от 26.00 руб. 2000 2000 2000 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 ВПоверхностный
MJD127G MJD127G   ONS DPAK/TO252 от 15.08 руб 961 77   от 17.58 руб. 17954 146 75 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 ВтPNP, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD127T4G MJD127T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 14.26 руб. 134871 222 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 АPNP, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный

123>>>

сообщение об ошибке