8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные биполярные транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Напряжение Колл-Эмитт. Макс

Ток коллектора Макс.

Мощность Макс.

Коэффициент усиления hFE

Граничная частота

Напряжение насыщения КЭ

Тип монтажа


1234>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораНапряжение Колл-Эмитт. МаксТок коллектора Макс.Мощность Макс.Коэффициент усиления hFEГраничная частотаНапряжение насыщения КЭТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
2N6045G 2N6045G   ONS TO-220 от 24.69 руб 102 25   от 22.63 руб. 6200 454 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А75 Вт10002 ВСквозной
2N6388G 2N6388G   ONS TO-220 - - -   от 73.74 руб. 1100 150 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 АNPN, составной80 В10 А2 Вт10003 ВСквозной
BDV64BG BDV64BG   ONS TO-247-3 от 71.00 руб 180 -   от 64.48 руб. 1830 60 30 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125WPNP, составной100 В10 А125 Вт10002 ВСквозной
BDV65BG BDV65BG   ONS TO-247-3 от 79.30 руб 80 2   от 63.88 руб. 5010 60 30 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 10 А, 125 ВтNPN, составной100 В10 А125 Вт10002 ВСквозной
BDW42G BDW42G   ONS TO-220 - - -   от 26.48 руб. 4200 400 50 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 15 АNPN, составной100 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
BDW46G BDW46G   ONS TO-220 - - -   от 30.81 руб. 3050 350 50 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 80 В, 15 АPNP, составной80 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
BDW47G BDW47G   ONS TO-220 - - -   от 30.91 руб. 1050 350 50 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 15 АPNP, составной100 В15 А85 Вт10004 МГц3 ВСквозной
KSH127TF KSH127TF   ONS DPAK/TO252 - - -   от 15.33 руб. 8000 2000 2000 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 АPNP, составной100 В8 А1.75 Вт10004 ВПоверхностный
MJ11015G MJ11015G   ONS TO-3 от 180.40 руб 134 6   от 165.65 руб. 1000 2 100 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200WPNP, составной120 В30 А200 Вт10004 МГц4 ВСквозной
MJ11016G MJ11016G  ONS TO-3 от 197.11 руб 48 10   от 182.76 руб. 400 2 100 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 ВтNPN, составной120 В30 А200 Вт10004 МГц4 ВСквозной
MJ11032G MJ11032G  ONS TO-3 от 488.80 руб 54 5   от 451.96 руб. 400 1 100 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 50 А, 350 ВтNPN, составной120 В50 А300 Вт10003.5 ВСквозной
MJ11033G MJ11033G  ONS TO-3 от 524.92 руб 5 -   от 472.92 руб. 1200 100 7 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 120 В, 50 АPNP, составной120 В50 А300 Вт10003.5 ВСквозной
MJD112-1G MJD112-1G   ONS IPAK - - -   от 28.71 руб. 1319 358 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВСквозной
MJD112G MJD112G   ONS DPAK/TO252 от 15.55 руб 47 10   от 13.40 руб. 9075 750 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112RLG MJD112RLG   ONS DPAK/TO252 - - -   от 15.76 руб. 5400 1800 1800 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112T4 MJD112T4   STM DPAK/TO252 от 15.52 руб 4339 50   от 11.94 руб. 15449 208 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 ВтNPN, составной100 В2 А20 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD112T4G MJD112T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 13.03 руб. 62500 2500 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 2 АNPN, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117G MJD117G   ONS DPAK/TO252 от 17.29 руб 480 20   от 15.59 руб. 1125 1050 75 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 А, 20 ВтPNP, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117T4 MJD117T4   STM DPAK/TO252 от 16.33 руб 245 -   от 11.97 руб. 10312 222 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 АPNP, составной100 В2 А20 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD117T4G MJD117T4G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 14.59 руб. 45000 2500 2500 Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 2 АPNP, составной100 В2 А1.75 Вт100025 МГц3 ВПоверхностный
MJD122G MJD122G   ONS DPAK/TO252 - - -   от 15.43 руб. 37650 600 75 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD122T4 MJD122T4   STM DPAK/TO252 от 14.02 руб 1004 -   от 21.37 руб. 32500 2500 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А20 Вт10004 ВПоверхностный
MJD122T4G MJD122T4G   ONS DPAK/TO252 от 16.88 руб 1100 60   от 14.15 руб. 20000 2500 2500 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 5 А, 20 ВтNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 МГц4 ВПоверхностный
MJD122TF MJD122TF   ONS DPAK/TO252 - - -   от 36.90 руб. 38000 2000 2000 Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 АNPN, составной100 В8 А1.75 Вт10004 ВПоверхностный

1234>>>

сообщение об ошибке