Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
Акция MMBTA28-7-F Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 10000 Тип монтажа: Поверхностный
MMBTA42-7-F Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
79 349 шт
Цена от:
от 1,33
MMBTA55-7-F TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3
MMBTA56-7-F Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
6 877 шт
Цена от:
от 1,10
MMBTA92-7-F Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
313 972 шт
Цена от:
от 1,45
MMDT3904-7-F Биполярный транзистор сборка 2 NPN 40В 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 0.2W
MMDT3906-7-F TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA
MMDT3946-7-F TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT363 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-363 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 0.2W
MMST2222A-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
MMST2907A-7-F TRANS PNP 60V 0.6A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
MMST3904-7-F Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
MMST4401-7-F TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
MMST5401-7-F Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 60 Тип монтажа: Поверхностный
MMST5551-7-F Биполярный транзистор NPN 160В 0.2A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 80 Тип монтажа: Поверхностный
MMSTA42-7-F Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 300V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 40 Тип монтажа: Поверхностный
SXTA42TC Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 1000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3
ZTX458 Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400V Ток коллектора Макс.: 300mA Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
ZTX549 TRANS PNP 30V 1A E-LINE Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
ZTX550 Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
ZTX550STZ Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
На странице: