Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
ZTX651 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Тип монтажа: Сквозной
ZTX653 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 2 А, 1Вт Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Тип монтажа: Сквозной
ZTX751 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Тип монтажа: Сквозной
ZTX792ASTZ Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 2 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Сквозной
ZUMT618TA Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1.25A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 1.25A Мощность Макс.: 385mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
ZUMT718TA Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
ZX5T3ZTC Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 5.5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3
ZX5T953GTA TRANS PNP 100V 5A SOT-223 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 5A
ZX5T955ZTA Биполярный транзистор, PNP, 140 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 140V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
ZXT10N50DE6TA Биполярный транзистор NPN 50В 3A SOT23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6
ZXT13N50DE6TA TRANS NPN 50V 4A SOT23-6 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN04120HFFTA Биполярный транзистор NPN Дарлингтона 120В 1A SOT23F-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 120V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 3000 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN07045EFFTA TRANS NPN 45V 4A SOT23F-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 4A
ZXTN08400BFFTA Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23F Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 400V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN2005ZQTA Производитель: Diodes Incorporated
ZXTN2010ZTA Биполярный транзистор NPN 60В 5A SOT89 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 5A
ZXTN2031FTA Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 5 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 1.2W Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN2038FTA TRANS NPN 60V 1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 350mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN25100BFHTA Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 3 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.25W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
ZXTN25100DFHTA TRANS NPN 100V 2.5A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2.5A Мощность Макс.: 1.25W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: