Одиночные биполярные транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (316)
BC847BWQ-13-F Производитель: Diodes Incorporated
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
23 898 шт
Цена от:
от 1,01
BC847C-13-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 310mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
229 878 шт
Цена от:
от 0,66
BC847C-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
229 878 шт
Цена от:
от 0,66
BC847CT-7-F TRANS NPN 45V 0.1A SOT-523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
BC847CW-7-F Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
863 758 шт
Цена от:
от 1,22
BC848A-7-F TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 110 Тип монтажа: Поверхностный
BC848BW-7-F Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
BC848C-7-F Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.1A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
1 708 шт
Цена от:
от 0,72
BC848CW-7-F TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный
BC856A-7-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
4 110 шт
Цена от:
от 1,23
BC856AW-7-F TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 125 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
0 шт.

Под заказ:
0 шт.
Аналоги:
6 416 шт.
Цена от:
от 2,92
BC856B-13-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 310W Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
159 312 шт
Цена от:
от 0,63
BC856B-7-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
159 312 шт
Цена от:
от 0,63
BC856BW-7-F Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 200mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
471 801 шт
Цена от:
от 1,26
BC857A-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
43 721 шт
Цена от:
от 0,79
BC857AT-7-F TRANS PNP 45V 0.1A SOT523 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE: 125 Тип монтажа: Поверхностный
BC857B-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
403 688 шт
Цена от:
от 0,65
BC857BFZ-7B TRANS PNP 45V 0.1A X2-DFN060 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0606-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 435mW Тип монтажа: Поверхностный
BC857BLP4-7 Транзистор биполярный PNP 45В 0.1A 3-DFN Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 250mW Коэффициент усиления hFE: 220 @ 2mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
BC857BT-7-F Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: