Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PBSS305NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 5.1A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 180 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS305PD,115 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 145 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS305PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS305PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4.5A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS306NZ,135 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 5.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 5.1A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS306PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 3.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 3.7A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS306PZ,135 Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 4.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 4.1A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS3515M,315 Биполярный транзистор, PNP, 15 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 15V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 430mW Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS3540M,315 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 430mW Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4021NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 4.3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 4.3A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4021NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 7A Мощность Макс.: 2.5W Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4021PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3.5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 3.5A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 140 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4032NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2.6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 2.6A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4032NZ,115 TRANS NPN 30V 4.9A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 4.9A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4032PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 2.4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 2.4A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4032PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 4.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 4.2A Мощность Макс.: 2.5W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4032PZ,115 TRANS PNP 30V 4.4A SOT223 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 4.4A
PBSS4041NT,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 3.8 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 3.8A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4041NX,115 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 6.2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 6.2A Мощность Макс.: 2.5W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4041PT,215 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 2.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 2.7A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: