Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PBSS4041PX,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А, 0.6Вт Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 2.5W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4041PZ,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5.7 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 5.7A Мощность Макс.: 2.6W Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4130T,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 480mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4140U,115 100nA 40V 250mW 300@500mA,5V 1A 150MHz 500mV@1A,100mA NPN +150°C@(Tj) SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT ROHS Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323
PBSS4160T,215 Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 400mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4160U,115 TRANS NPN 60V 0.75A SOT323 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 750mA Мощность Макс.: 415mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4160V,115 TRANS NPN 60V 0.9A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 900mA Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4230T,215 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 480mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4240T,215 Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 480mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4240V,115 TRANS NPN 40V 2A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 900mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4240XF TRANS NPN 40V 2A SOT89 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 2A
PBSS4240Y,115 TRANS NPN 40V 2A 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 430mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4250X,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4250X,135 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4320T,215 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 540mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4320X,135 Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4330X,115 Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 270 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4350D,115 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 750mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4350D,125 Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 750mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS4350D,135 TRANS NPN 50V 3A 6TSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 750mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: