Одиночные биполярные транзисторы NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (571)
PBSS5250X,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1W Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5260QAZ TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3 Производитель: NEXPERIA Корпус: 3-DFN (1.1x1) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1.7A Мощность Макс.: 325mW Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5320D,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 750mW Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5320X,135 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5330PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5330X,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5350D,115 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 750mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5350X,135 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5350Z,135 Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5360PASX Транзистор общего применения биполярный PNP 60В 3A 3-Pin DFN-D EP лента на катушке Производитель: NEXPERIA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 3A
PBSS5360ZX Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 3 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 650mW Коэффициент усиления hFE: 120 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5440D,115 Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 1.1W Коэффициент усиления hFE: 175 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5480X,135 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5520X,135 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 1.6W Коэффициент усиления hFE: 250 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5560PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 5 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5580PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 140 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5620PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 20 В, 6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 6A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 190 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS5630PA,115 Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 6 А Производитель: NEXPERIA Корпус: HUSON3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 6A Мощность Макс.: 2.1W Коэффициент усиления hFE: 190 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS8110D,115 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23-6 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 700mW Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
PBSS8110T,215 Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 480mW Коэффициент усиления hFE: 150 Тип монтажа: Поверхностный
На странице: