Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
Акция 2N4403BU Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N4403G Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N4403TA Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Сквозной
2N4403TF Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3
2N4919G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 30W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N4920G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 30W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N4921G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 30W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N4922G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 30W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N4923G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 30W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N5038G Биполярный транзистор, NPN, 90 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 90V Ток коллектора Макс.: 20A Мощность Макс.: 140W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2N5088G Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 50mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 300 Тип монтажа: Сквозной
Акция 2N5088RLRAG Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А, 0.625 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92/formed lead
2N5190G Транзистор биполярный NPN 40В 4A TO-225AA Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 25 @ 1.5A, 2V Тип монтажа: Through Hole
2N5191G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной
2N5192G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2N5194G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 4 А, 40Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 25 Тип монтажа: Сквозной
2N5195G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 4 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-225AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 4A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2N5210BU Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
2N5210TFR TRANS NPN 50V 0.1A TO-92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Сквозной
2N5302G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 30 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 30A Мощность Макс.: 200W Коэффициент усиления hFE: 15 Тип монтажа: Сквозной
На странице: