Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
2N6045G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 75Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 8A Мощность Макс.: 75W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
2N6052G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 12 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 12A Мощность Макс.: 150W Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
2N6107G Биполярный транзистор, PNP, 70 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70V Ток коллектора Макс.: 7A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N6109G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 7A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N6111G Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 7A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N6284G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 20A Мощность Макс.: 160W Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
2N6287G Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 20 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: PNP, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 20A Мощность Макс.: 160W Коэффициент усиления hFE: 750 Тип монтажа: Сквозной
2N6292G Биполярный транзистор, NPN, 70 В, 7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 70V Ток коллектора Макс.: 7A Мощность Макс.: 40W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N6341G Биполярный транзистор, NPN, 150 В, 25 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 150V Ток коллектора Макс.: 25A Мощность Макс.: 200W Коэффициент усиления hFE: 30 Тип монтажа: Сквозной
2N6387G Транзистор биполярный NPN Дарлингтона 60В 10A TO220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN - Darlington Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 10A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 @ 5A, 3V Тип монтажа: Through Hole
2N6388G Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 10 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN, составной Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 10A Мощность Макс.: 2W Коэффициент усиления hFE: 1000 Тип монтажа: Сквозной
2N6487G Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 15 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220AB Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 15A Мощность Макс.: 1.8W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2N6488G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 15 А, 75 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 15A Мощность Макс.: 1.8W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2N6490G Транзистор биполярный PNP 60В 15A TO-220AB Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 15A Мощность Макс.: 1.8W Коэффициент усиления hFE: 20 @ 5A, 4V Тип монтажа: Through Hole
Акция 2N6491G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 15 А, 75 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-220 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 15A Мощность Макс.: 1.8W Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
Акция 2N6517BU Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.63 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 шт
Цена от:
от 3,41
2N6517TA Биполярный транзистор, NPN, 350 В, 0.5 А, 0.6 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350V Ток коллектора Макс.: 0.5A Мощность Макс.: 0.6W
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
24 шт
Цена от:
от 1,41
2N6520TA Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 350V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 625mW Коэффициент усиления hFE: 20 Тип монтажа: Сквозной
2SA1020RLRAG Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 900mW Коэффициент усиления hFE: 70 Тип монтажа: Сквозной
2SA1416S-TD-E Транзистор биполярный PNP 100В 1A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
На странице: