Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Коэффициент усиления hFE
Тип монтажа
Одиночные биполярные транзисторы (1111)
2SA1417T-TD-E TRANS PNP 100V 2A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 500 mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный
2SA1552S-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 1.5 А, 1 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA
2SA1774G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 0.1A
2SA1774T1G Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-75 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 0.1A
2SA1943OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO264 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-264 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250V Ток коллектора Макс.: 17A Мощность Макс.: 150 W Коэффициент усиления hFE: 80 @ 1A, 5V Тип монтажа: Through Hole
Наличие:
0 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
811 шт
Цена от:
от 148,10
Акция 2SA1962 R Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 17 А, 130 Вт, (Комплементарная пара 2SC5242) Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 180V Ток коллектора Макс.: 12 A Мощность Макс.: 130 W
2SA1962OTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250V Ток коллектора Макс.: 17A Мощность Макс.: 130 W Коэффициент усиления hFE: 80 @ 1A, 5V Тип монтажа: Through Hole
2SA1962RTU Транзистор биполярный PNP 250В 17A TO-3P Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-3P Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 250V Ток коллектора Макс.: 17A Мощность Макс.: 130 W Коэффициент усиления hFE: 55 @ 1A, 5V Тип монтажа: Through Hole
2SA2039-TL-E TRANS PNP 50V 5A TP-FA Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 5A Мощность Макс.: 800 mW Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
2SA2040-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 8A
2SA2153-TD-E TRANS PNP 50V 2A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 1.3 W Коэффициент усиления hFE: 200 Тип монтажа: Поверхностный
2SA2169-TL-E Транзистор биполярный PNP 50В 10A TP-FA Производитель: ON Semiconductor Корпус: 2-TP-FA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 10A Мощность Макс.: 950 mW Коэффициент усиления hFE: 200 @ 1A, 2V Тип монтажа: Surface Mount
2SA2205-TL-E Транзистор биполярный PNP 100В 2A TP-FA Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 800 mW Коэффициент усиления hFE: 200 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
2SB1123S-TD-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 2A
2SB1202T-TL-E Транзистор биполярный PNP 50В 3A TP-FA Производитель: ON Semiconductor Корпус: 2-TP-FA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 3A Мощность Макс.: 1 W Коэффициент усиления hFE: 200 @ 100mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount
2SB1204S-TL-E Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 8 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 2-TP-FA Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 50V Ток коллектора Макс.: 8A
2SC3646S-TD-E Транзистор биполярный NPN 100В 1A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 500 mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
2SC3647T-TD-E TRANS NPN 100V 2A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 100V Ток коллектора Макс.: 2A Мощность Макс.: 500 mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
2SC3648T-TD-E Транзистор биполярный NPN 160В 0.7A SOT89-3 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-89-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 160V Ток коллектора Макс.: 700mA Мощность Макс.: 500 mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 100mA, 5V Тип монтажа: Surface Mount
2SC3789E Транзистор биполярный NPN 300В 0.1A 1500мВт 3-Pin TO-126ML Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO-126ML
На странице: