Одиночные биполярные транзисторы ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные биполярные транзисторы (1111)

SBC856BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

SBC856BLT3G Биполярный транзистор, PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SBC856BWT1G TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 65V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SBC857BDW1T1G TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA

Сообщить о поступлении

SBC857BLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SBC857BWT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 150mW Коэффициент усиления hFE: 220 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SBC857CLT1G Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 420 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SBCP53-10T1G TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 63 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SBCP53-16T1G Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1.5A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SBCP56-10T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 63 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

Новинка

SBCP56-16T1G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

93 251 шт

Цена от:

от 5,46₽

SBCP56-16T3G Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

93 251 шт

Цена от:

от 4,01₽

SBCP56T1G TRANS NPN 80V 1A SOT-223 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 40 @ 150mA, 2V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SBCP68T1G Биполярный транзистор, NPN, 20 В, 1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 20V Ток коллектора Макс.: 1A Мощность Макс.: 1.5W Коэффициент усиления hFE: 85 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SCBCP56-10T1G NPN Bipolar Transistor 80V Производитель: ON Semiconductor Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 80V

Сообщить о поступлении

SMMBT2222ALT1G TRANS NPN 40V 0.6A SOT23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 @ 150mA, 10V Тип монтажа: Surface Mount

Сообщить о поступлении

SMMBT2222ALT3G TRANS NPN 40V 0.6A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Сообщить о поступлении

SMMBT2907ALT1G Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

634 314 шт

Цена от:

от 0,93₽

SMMBT2907ALT3G Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-23 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: PNP Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 60V Ток коллектора Макс.: 600mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

634 314 шт

Цена от:

от 0,93₽

SMMBT3904LT1G Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: NPN Напряжение Колл-Эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE: 100 Тип монтажа: Поверхностный

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

610 070 шт

Цена от:

от 0,43₽