8 800 1000 321 - контакт центр

Сборки биполярных транзисторов

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Тип транзисторной сборки

Напряжение колл.-эмитт. Макс

Ток коллектора Макс.

Мощность Макс.

Коэффициент усиления hFE Мин.

Граничная частота

Напряжение насыщения КЭ Макс.

Тип крепления


12345>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьТип транзисторной сборкиНапряжение колл.-эмитт. МаксТок коллектора Макс.Мощность Макс.Коэффициент усиления hFE Мин.Граничная частотаНапряжение насыщения КЭ Макс.Тип крепления
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
217НТ2 217НТ2    RUS  
1:
18.01

10:
12.01

50:
8.01
20 20   - - - 50 Биоплярный транзистор NPN
BC807DS,115 BC807DS,115   NEX 6-TSOP - - -   111000 2.89 руб. 6000 3000 Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.5 А
2 PNP45 В500 мА600 мВт16080 МГц700 мВПоверхностный
BC817DPN,115 BC817DPN,115   NEX 6-TSOP
1:
6.96

500:
3.90

3000:
3.06
2890 -   90000 2.52 руб. 6000 3000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.5 А
NPN/PNP45 В500 мА600 мВт160100 МГц, 80 МГц700 мВПоверхностный
BC817DS,115 BC817DS,115   NEX 6-TSOP
1:
3.49

500:
3.24

3000:
2.99
2870 -   6000 2.53 руб. 6000 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.5 А
2 NPN45 В500 мА600 мВт160100 МГц700 мВПоверхностный
BC817SUE6327 BC817SUE6327    INF   - - -   93000 6.22 руб. 3000 3000 Биполярные транзисторы
BC817UPNE6327 BC817UPNE6327    INF   - - -   198000 3.34 руб. 3000 3000 Биполярные транзисторы
BC846A - SOT-363 BC846A   DIOTEC SOT-363 - - -   23869 0.55 руб. 7021 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА200 мВт110100 МГц600 мВПоверхностный
BC846BDW1T1G BC846BDW1T1G  ONS SOT363-6
1:
2.85

500:
1.60

3000:
1.26
3354 273   3768097 1.01 руб. 3534 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА380 мВт200100 МГц600 мВПоверхностный
BC846BPDW1T1G BC846BPDW1T1G   ONS SOT363-6
1:
3.37

500:
1.56

3000:
1.17
659 22   2421000 0.99 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А
NPN/PNP65 В100 мА380 мВт200100 МГц600 мВПоверхностный
BC846BPN,115 BC846BPN,115   NEX 6-TSSOP
1:
1.59

500:
1.47

3000:
1.36
6000 -   429000 1.24 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 65 В, 0.1 А
NPN/PNP65 В100 мА300 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный
BC846BS,115 BC846BS,115   NEX 6-TSSOP
1:
1.58

500:
1.47

3000:
1.36
6000 -   87000 1.24 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА300 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный
BC846BS,135 BC846BS,135   NEX 6-TSSOP - - -   270000 1.24 руб. 10000 10000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА300 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный
BC846DS,115 BC846DS,115   NEX 6-TSOP - - -   6000 2.21 руб. 6000 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА250 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный
BC846PNH6327XTSA1 BC846PNH6327XTSA1    INF   - - -   1104000 1.52 руб. 6000 3000 Биполярные транзисторы
BC846S,115 BC846S,115   NEX 6-TSSOP
1:
1.58

600:
1.47

3600:
1.36
6000 -   1314000 1.24 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА300 мВт110100 МГц300 мВПоверхностный
BC846S,125 BC846S,125   NEX 6-TSSOP - - -   90000 1.24 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А
2 NPN65 В100 мА300 мВт110100 МГц300 мВПоверхностный
BC846SH6327XTSA1 BC846SH6327XTSA1    INF   - - -   1095000 1.65 руб. 6000 3000 Биполярные транзисторы
BC847BDW1T1G BC847BDW1T1G  ONS SOT363-6
1:
2.19

500:
1.42

3000:
1.18
6407 65   2274969 1.03 руб. 156 3000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
2 NPN45 В100 мА380 мВт200100 МГц600 мВПоверхностный
BC847BDW1T3G BC847BDW1T3G  ONS SC-88/SC70-6/SOT-363 - - -   550000 1.04 руб. 10000 10000 Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А
2 NPN45 В100 мА380 мВт200100 МГц600 мВПоверхностный
BC847BPDW1T1G BC847BPDW1T1G  ONS SOT363-6
1:
2.60

500:
1.46

3000:
1.15
2257 -   1914000 0.99 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А
NPN/PNP45 В100 мА380 мВт200100 МГц600 мВПоверхностный
BC847BPDXV6T1G - SOT-563 BC847BPDXV6T1G   ONS SOT-563 - - -   8000 3.37 руб. 4000 4000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
NPN/PNP45 В100 мА357 мВт200100 МГц600 мВПоверхностный
BC847BPN,115 BC847BPN,115   NEX SOT363-6
1:
2.55

500:
1.66

3000:
1.37
10310 20   427090 1.24 руб. 113 3000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А
NPN/PNP45 В100 мА300 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный
BC847BPN,125 BC847BPN,125   NEX 6-TSSOP - - -   99000 1.13 руб. 9000 3000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
NPN/PNP45 В100 мА300 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный
BC847BPN,135 BC847BPN,135   NEX 6-TSSOP - - -   4140000 1.13 руб. 10000 10000 Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А
NPN/PNP45 В100 мА300 мВт200100 МГц300 мВПоверхностный

12345>>>

сообщение об ошибке