Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (59)

BC846BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 65 В, 0.1 А, 0.38W Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

35 975 шт

Цена от:

от 1,77₽

BC846BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 65В, 0,1А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

BC847BDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.25 Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

23 570 шт

Цена от:

от 1,62₽

BC847BDW1T3G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

BC847BPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45В, 0,1А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

BC847BPDW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

BC847BPDW1T3G TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SC88 Производитель: ON Semiconductor Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45V Ток коллектора Макс.: 100mA

Сообщить о поступлении

BC847BPDXV6T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 357 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

Новинка

BC847BS Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 210 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

214 142 шт

Цена от:

от 1,92₽

BC847CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420

Сообщить о поступлении

BC847CDXV6T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.1 А, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420

Сообщить о поступлении

BC847S Биполярный транзистор NPN/NPN, 45 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363

Сообщить о поступлении

BC848CDW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420

Сообщить о поступлении

BC848CPDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 250 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420

Сообщить о поступлении

Акция

BC856BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, -65 В, -0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Сообщить о поступлении

BC856BDW1T3G Биполярный транзистор PNP/PNP, 65 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 65 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Сообщить о поступлении

BC857BDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А, 0.38Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 (SC-88) Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 220

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

30 000 шт

Цена от:

от 1,57₽

BC857CDW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 45 В, 0.1 А, 0.38 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 45 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420

Сообщить о поступлении

BC858CDXV6T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, 30 В, 0.1 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-563-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 500 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 420

Сообщить о поступлении

CPH5506-TL-E Биполярный транзистор NPN/PNP, 30 В, 1.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: 5-CPH Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30 В Ток коллектора Макс.: 1.5 А Мощность Макс.: 1.2 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении