Сборки биполярных транзисторов ON Semiconductor

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Сборки биполярных транзисторов (59)

FMB2222A Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

FMB2227A TRANS NPN/PNP 30V 0.5A 6SSOT Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-SSOT Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 30V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 700mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 30 @ 300mA, 10V

Сообщить о поступлении

FMB2907A Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

FMB3904 Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

FMB3906 Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

FMB5551 Биполярный транзистор NPN/NPN, 160 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 160 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 700 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 80

Сообщить о поступлении

HN1B01FDW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 50 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-74 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 380 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 200

Сообщить о поступлении

Акция

MBT2222ADW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SC-88/SC70-6/SOT-363 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MBT3904DW1T1G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А, 0.625Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MBT3906DW1T1G Биполярный транзистор PNP/PNP, -40 В, -0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

Акция

MBT3946DW1T1G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT363-6 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MBT3946DW1T2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-363 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 150 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MC1413DG Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16

Сообщить о поступлении

MMPQ2222A Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16 Тип транзисторной сборки: 4 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MMPQ2907A Массив биполярных транзисторов, PNP, 60 В, 0.6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16 Тип транзисторной сборки: 4 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 60 В Ток коллектора Макс.: 600 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении

MMPQ3904 Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16 Тип транзисторной сборки: 4 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 800 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 75

Сообщить о поступлении

MMPQ6700 Биполярный транзистор 2NPN/2PNP, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16 Тип транзисторной сборки: 2 NPN/2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 1 Вт Коэффициент усиления hFE Мин.: 70

Сообщить о поступлении

NCV1413BDR2G Массив биполярных транзисторов, NPN, 50 В, 0.5 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC16 Тип транзисторной сборки: 7 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В Ток коллектора Макс.: 500 мА Коэффициент усиления hFE Мин.: 1000

Сообщить о поступлении

NSS40302PDR2G Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 3 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOIC8 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 3 А Мощность Макс.: 653 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 180

Сообщить о поступлении

NST3904DP6T5G Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.2 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-963 Тип транзисторной сборки: 2 NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 200 мА Мощность Макс.: 350 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 100

Сообщить о поступлении