Сборки биполярных транзисторов NEXPERIA

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзисторной сборки
Напряжение колл.-эмитт. Макс
Ток коллектора Макс.
Мощность Макс.
Коэффициент усиления hFE Мин.
Сборки биполярных транзисторов (73)
PEMZ1,115 TRANS NPN/PNP 40V 0.1A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В
PEMZ7,315 TRANS NPN/PNP 12V 0.5A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666 Тип транзисторной сборки: NPN, PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 12V Ток коллектора Макс.: 500mA Мощность Макс.: 300mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 200 @ 10mA, 2V
PHPT610030NKX Транзистор биполярный NPN 100В 3A LFPAK Производитель: NEXPERIA Тип транзисторной сборки: NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.:
PHPT610030PKX Транзистор общего применения биполярный PNP 100В 3A 8-Pin LFPAK-D лента на катушке Производитель: NEXPERIA Напряжение колл.-эмитт. Макс: 100 В Ток коллектора Макс.:
PIMT1,115 Биполярный транзистор PNP/PNP, 40 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: * Тип транзисторной сборки: 2 PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 600 мВт Коэффициент усиления hFE Мин.: 120
PMBT3904RAZ TRANS ARRAY, AEC-Q101, DUAL NPN, 40V; Transistor Polarity:Dual NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:40V; Power Dissipation Pd:480mW; DC Collector Current:200mA; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:DFN1412; No. of Pins:6Pins; Operating Tem Производитель: NEXPERIA
PMBT3904VS,115 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT666 Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT666
PMBT3904YS,115 TRANS 2NPN 40V 0.2A 6TSSOP Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзисторной сборки: 2 NPN (Dual) Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40V Ток коллектора Макс.: 200mA Мощность Макс.: 350mW Коэффициент усиления hFE Мин.: 100 @ 10mA, 1V
PMBT4403YSX TSSOP6/40V, 600 mA double PNP switching transistor Производитель: NEXPERIA Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В
PUMB9,125 TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP Производитель: NEXPERIA
PUMX1,115 Цифровой биполярный транзистор, сборка, 2NPN, 40 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзисторной сборки: 2NPN Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В
PUMZ1,115 Цифровой биполярный транзистор, сборка, NPN/PNP, 40 В, 0.1 А Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 40 В
PUMZ2,115 Цифровой биполярный транзистор, сборка, NPN/PNP, 50 В, 0.15 А Производитель: NEXPERIA Корпус: 6-TSSOP Тип транзисторной сборки: NPN/PNP Напряжение колл.-эмитт. Макс: 50 В
На странице: