Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы NXP / Philips

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Радиочастотные ВЧ и СВЧ транзисторы (45)

BFU520AR Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12 В Ток коллектора Макс.: 30 мА Мощность Макс.: 450 мВт Граничная частота: 10 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU520R Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10,5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT143-4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12V Ток коллектора Макс.: 30mA Мощность Макс.: 450mW Граничная частота: 10.5GHz

Сообщить о поступлении

BFU520WF Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12V Ток коллектора Макс.: 30mA

Сообщить о поступлении

Новинка

BFU520WX Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SC-70-3 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12V Ток коллектора Макс.: 30mA Мощность Макс.: 450mW Граничная частота: 10GHz

Сообщить о поступлении

BFU520YX Биполярный транзистор NPN 12В 30мА 450мВт Кус 60-200 10ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-363 Тип транзистора: 2 NPN Напряжение КЭ Макс.: 12 В Ток коллектора Макс.: 30 мА Мощность Макс.: 450 мВт Граничная частота: 10 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU530AR Биполярный транзистор NPN 12В 40мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 (TO-236AB)

Сообщить о поступлении

BFU530WX Биполярный транзистор NPN 12В 40мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12V Ток коллектора Макс.: 40mA Мощность Макс.: 450mW Граничная частота: 11GHz

Сообщить о поступлении

BFU550AR Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12V Ток коллектора Макс.: 50mA Мощность Макс.: 450mW Граничная частота: 11GHz

Сообщить о поступлении

BFU550WX Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-323

Сообщить о поступлении

BFU550XAR Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 450мВт Кус 60-200 11ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT143-4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 12V Ток коллектора Макс.: 50mA Мощность Макс.: 450mW Граничная частота: 11GHz

Сообщить о поступлении

BFU590G Биполярный транзистор NPN 12В 200мА 2Вт Кус 60-130 8,5ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-223 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 16V Ток коллектора Макс.: 0.3A

Сообщить о поступлении

Новинка

BFU590QX Биполярный транзистор NPN 12В 200мА 2Вт Кус 60-130 8ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-89-3

Сообщить о поступлении

BFU630F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 30мА 200мВт Кус 90-180 21ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 5.5 В Ток коллектора Макс.: 30 мА Мощность Макс.: 200 мВт Граничная частота: 21 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU660F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 60мА 225мВт Кус 90-180 21ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 5.5 В Ток коллектора Макс.: 60 мА Мощность Макс.: 225 мВт Граничная частота: 21 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU690F,115 Биполярный транзистор NPN 5,5В 100мА 490мВт Кус 90-180 18ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 5.5 В Ток коллектора Макс.: 100 мА Мощность Макс.: 230 мВт Граничная частота: 18 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU710F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 10мА 136мВт Кус 200-550 43ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 2.8 В Ток коллектора Макс.: 10 мА Мощность Макс.: 136 мВт Граничная частота: 43 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU725F/N1,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 40мА 136мВт Кус 160-400 55ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-343 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 2.8 В Ток коллектора Макс.: 40 мА Мощность Макс.: 136 мВт Граничная частота: 55 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU730F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 30мА 197мВт Кус 205-555 55ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 2.8 В Ток коллектора Макс.: 30 мА Мощность Макс.: 197 мВт Граничная частота: 55 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU730LXZ Биполярный транзистор NPN 3В 30мА 160мВт Кус 205-555 53ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 3 В Ток коллектора Макс.: 30 мА Мощность Макс.: 160 мВт Граничная частота: 53 ГГц

Сообщить о поступлении

BFU760F,115 Биполярный транзистор NPN 2,8В 70мА 220мВт Кус 150-505 45ГГц Производитель: NXP / Philips Корпус: DFP4 Тип транзистора: NPN Напряжение КЭ Макс.: 2.8 В Ток коллектора Макс.: 70 мА Мощность Макс.: 220 мВт Граничная частота: 45 ГГц

Сообщить о поступлении