Одиночные цифровые транзисторы Diodes Incorporated

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Мощность Макс.
Сопротивление резистора базы R1
Сопротивление резистора Э-База R2
Одиночные цифровые транзисторы (60)
DDTC123JCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTC123TCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k
DDTC123YCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC124ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
DDTC124TE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 22 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 22k
DDTC143ECA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
DDTC143EE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
DDTC143EUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k
DDTC143TUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k
DDTC143XCA-7-F TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3 Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC143XE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC143XUA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTC143ZCA-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 250 МГц, 4.7 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTC144EE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 47 кОм+47 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k
DDTC144WE-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 250 МГц, 47 кОм+22 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-523 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 47k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k
DDTD113ZC-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 40V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTD113ZU-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 1 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTD123EC-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k
DDTD123YC-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k
DDTD142JU-7-F Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.5 А, 0.2 Вт, 200 МГц, 0.47 кОм+ Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-323
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице: