Одиночные цифровые транзисторы NEXPERIA оптом и в розницу

PDTB113ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 1 кОм+1 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 1k Сопротивление резистора Э-База R2: 1k

Сообщить о поступлении

PDTB114ETR Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.32 Вт, 140 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 320mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTB114EUF TRANS PREBIAS PNP 0.425W Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323

Сообщить о поступлении

PDTB123ET,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k

Сообщить о поступлении

PDTB123TT,215 Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k

Сообщить о поступлении

PDTB123YUX Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.3 Вт, 140 МГц, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 300mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTB143ETR Цифровой биполярный транзистор PNP, 50 В, 0.5 А, 0.32 Вт, 140 МГц, 4.7 кОм+4.7 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: PNP - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 460mW Сопротивление резистора базы R1: 4.7k Сопротивление резистора Э-База R2: 4.7k

Сообщить о поступлении

PDTC114EE,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.15 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SC-75 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 150mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC114EM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC114ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC114EU,135 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 230 МГц, 10 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

9 990 шт

Цена от:

от 2,29₽

PDTC114TT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 10 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

3 038 шт

Цена от:

от 2,76₽

PDTC114YM,315 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 10 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-883 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 10k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Сообщить о поступлении

PDTC115EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 100 кОм+100 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 100k Сопротивление резистора Э-База R2: 100k

Сообщить о поступлении

Новинка

PDTC115TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 100 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 100k

Сообщить о поступлении

PDTC123EU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+2.2 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 2.2k

Сообщить о поступлении

PDTC123JT,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 2.2 кОм+47 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 47k

Наличие:

0 шт

Под заказ:

0 шт

Аналоги:

10 970 шт

Цена от:

от 2,51₽

PDTC123TT,215 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 2.2 кОм+ Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k

Сообщить о поступлении

PDTC123YU,115 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.2 Вт, 2.2 кОм+10 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT-323 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 200mW Сопротивление резистора базы R1: 2.2k Сопротивление резистора Э-База R2: 10k

Сообщить о поступлении

PDTC124ET,235 Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.25 Вт, 230 МГц, 22 кОм+22 кОм Производитель: NEXPERIA Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: NPN - Pre-Biased Напряжение КЭ Макс.: 50V Мощность Макс.: 250mW Сопротивление резистора базы R1: 22k Сопротивление резистора Э-База R2: 22k

Сообщить о поступлении