Радиочастотные (RF FET) транзисторы ON Semiconductor

Фильтр
Фильтр
Корпус
Тип транзистора
Напряжение сток-исток max
Рабочая частота, Гц
Радиочастотные (RF FET) транзисторы (13)
2SK3557-7-TB-E Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 15V, 50MA Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 15 В
BF245C Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.3 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 30 В
Акция BF256B Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 30 В
MMBF4416 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
MMBF4416A Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 35 В Рабочая частота, Гц: 400 МГц
MMBF5484 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 25 В Рабочая частота, Гц: 400 МГц
MMBF5485 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 225мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 25 В Рабочая частота, Гц: 400 МГц
MMBF5486 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 25 В Рабочая частота, Гц: 400 МГц
MMBFJ309 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
MMBFJ309LT1G Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 25 В
Акция MMBFJ310 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.35Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3
MMBFJ310LT1G Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 25 В
MMBFJ310LT3G Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 25 В
На странице: