Радиочастотные (RF FET) транзисторы NXP / Philips оптом и в розницу

Новинка

AFT05MS004NT1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 4-Pin(3+Tab) SOT-89A лента на катушке Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-89-3

Сообщить о поступлении

Новинка

AFT05MS031NR1 Транзистор полевой FET вымокочастотный 40В 520МГц TO-270-2 Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-270-2 Тип транзистора: LDMOS Напряжение сток-исток max: 40V Рабочая частота, Гц: 520MHz

Сообщить о поступлении

AFT09MS007NT1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 30В 3-Pin PLD-1.5W лента на катушке Производитель: NXP / Philips Корпус: PLD-1.5

Сообщить о поступлении

BF510,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 20 В Рабочая частота, Гц: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BF511,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 0,25Вт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 20 В Рабочая частота, Гц: 100 МГц

Сообщить о поступлении

Акция

BF512,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В, 30 мА, 0,25Вт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 20 В Рабочая частота, Гц: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BF513,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 20 В Рабочая частота, Гц: 100 МГц

Сообщить о поступлении

BF545A,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 30 В, 0.25 Вт, 6.5 мА Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Тип транзистора: N-канальный JFET Напряжение сток-исток max: 30 В

Сообщить о поступлении

BF545B,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 31 В, 0.25 Вт, 15 мА Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23

Сообщить о поступлении

BF992,215 Полевой транзистор N-канальный радиочастотный двухзатворный 20В 40мА 200мВт 200МГц Tj=150°C Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-143B

Сообщить о поступлении

BLF578,112 Полевой транзистор, радиочастотный Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT539A

Сообщить о поступлении

Новинка

MRF300AN Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

Новинка

MRF300BN Транзистор полевой MOSFET N-канальный радиочастотный 133В 3-Pin(3+Tab) TO-247 туба Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-247

Сообщить о поступлении

MRF6V12250HR5 MOSFET RF N-CH 250W 50V NI-780 Производитель: NXP / Philips Корпус: NI-780 Тип транзистора: LDMOS Напряжение сток-исток max: 100V Рабочая частота, Гц: 1.03GHz

Сообщить о поступлении

MRF6V2010NR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO270-2 Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-270-2 Тип транзистора: LDMOS Напряжение сток-исток max: 110V Рабочая частота, Гц: 220MHz

Сообщить о поступлении

MRFE6S9060NR1 Полевой транзистор RF N-канальный 14Вт TO270-2 Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-270-2

Сообщить о поступлении

MRFE6VP5300NR1 TRANS RF LDMOS 300W TO-270 Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-270 WB-4 Тип транзистора: LDMOS (Dual) Напряжение сток-исток max: 133V Рабочая частота, Гц: 230MHz

Сообщить о поступлении

MRFE6VP61K25NR6 Производитель: NXP / Philips

Сообщить о поступлении

MRFE6VS25GNR1 Полевой транзистор, радиочастотный, мощный, N-канальный, 133В 512МГц TO-270-2 GULL Производитель: NXP / Philips Корпус: TO-270-2 GULL

Сообщить о поступлении

MW6S004NT1 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 28V, 4W Производитель: NXP / Philips Корпус: PLD-1.5 Тип транзистора: LDMOS Напряжение сток-исток max: 68 В Рабочая частота, Гц: 1.96 ГГц

Сообщить о поступлении