8 800 1000 321 - контакт центр

Транзисторы управляемые p-n переходом

Вид: 
Таблицой
Витриной
Показывать: 
по:

Производитель

Корпус

Проводимость (N/P)

Напряжение Сток-Исток Макс

Напряжение отсечки (при токе)

Ток стока Макс

Мощность Макс.


123>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
КупитьПроводимость (N/P)Напряжение Сток-Исток МаксНапряжение отсечки (при токе)Ток стока МаксМощность Макс.
Цены, руб. Всего Розн. маг. Всего Мин. цена Мин. кол.
для заказа
2SK208-R(TE85L,F) 2SK208-R(TE85L,F)   TOS S-Mini
1:
12.95

500:
10.56

3000:
9.96
- -   - - - 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 50 В, 0.1 Вт
2SK212 2SK212   SANYO TO92S
1:
28.39

25:
21.29

100:
18.37
17 17   - - - 500 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 20 В, 10 мА
2SK212 2SK212   SANYO TO92S
1:
17.34

50:
13.01

200:
11.22
449 449   - - - 100 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 20 В, 10 мА
2SK212 F 2SK212 F   SANYO TO92S
1:
19.47

25:
12.39

100:
10.62
600 600   - - - 500 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 20 В, 10 мА
2SK246 BL 2SK246 BL   TOS TO-92
1:
72.51

50:
60.43

200:
53.17
381 381   - - - 500 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный
2SK3357 2SK3357   NEC TO-3P
1:
200.23

5:
175.21

15:
157.33
47 47   - - - 30 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 60 В, 75 А
BF861B,235 BF861B,235   NXP SOT-23 - - -   20000 14.76 руб. 10000 10000 JFET N-CH 25V 15MA SOT23
BF861C,215 BF861C,215   NXP SOT-23 - - -   30000 17.39 руб. 3000 3000 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25V, 10MA
BF862,215 BF862,215   NXP SOT-23
1:
18.16

50:
13.62

200:
11.75
2273 104   23023 11.87 руб. 276 3000 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В
BF862,235 BF862,235   NXP SOT-23 - - -   100000 12.65 руб. 10000 10000 JFET N-CH 20V 25MA SOT23
BFR30,215 BFR30,215   NXP SOT-23
1:
16.54

200:
10.75

1200:
9.10
792 -   79900 8.77 руб. 300 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт
N-канальный5 В10 мА250 мВт
BFR31,215 BFR31,215   NXP SOT-23
1:
14.46

200:
10.33

1200:
8.68
2386 94   42059 8.64 руб. 335 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт
N-канальный2.5 В10 мА250 мВт
BFT46,215 BFT46,215   NXP SOT-23
1:
16.46

100:
13.17

600:
11.52
310 40   11552 9.84 руб. 304 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт
N-канальный1.2 В10 мА250 мВт
BSR56 BSR56   ONS SOT-23 - - -   6000 3.47 руб. 6000 3000 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт
N-канальный40 В4 В250 мВт
BSR58 BSR58   ONS SOT-23
1:
3.51

500:
3.25

3000:
3.01
2244 50   - - - 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА
N-канальный40 В800 мВ250 мВт
J112 J112   ONS TO-92
1:
3.30

400:
3.07

2000:
2.83
- -   600 8.22 руб. 42 2000 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
N-канальный35 В1 В625 мВт
J112G J112G   ONS TO-92
1:
3.53

250:
3.28

1000:
3.03
868 68   3777 4.24 руб. 780 1000 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
N-канальный35 В1 В350 мВт
J113 J113   ONS TO-92
1:
4.35

200:
4.04

1000:
3.74
952 62   900 7.33 руб. 47 1000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт
N-канальный35 В500 мВ625 мВт
LS3954A LS3954A   LSI TO-71
1:
330.40

5:
289.10

25:
259.60
14 14   - - - 25 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный
LU1014D LU1014D   Lovoltech IPAK
1:
84.21

5:
70.17

25:
61.75
58 58   - - - - Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 24 В, 50 А
MMBF4117 MMBF4117   ONS SOT-23 - - -   102000 2.25 руб. 6000 3000 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт
N-канальный40 В600 мВ225 мВт
MMBF4119 MMBF4119   ONS SOT-23 - - -   6000 5.00 руб. 3000 3000 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт
N-канальный40 В2 В225 мВт
MMBF4391LT1G MMBF4391LT1G   ONS SOT-23
1:
7.19

500:
4.67

3000:
3.96
1915 30   213000 4.39 руб. 3000 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
N-канальный30 В4 В225 мВт
MMBF4392LT1G MMBF4392LT1G   ONS SOT-23
1:
4.32

500:
4.01

3000:
3.79
1621 79   33000 4.39 руб. 3000 3000 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
N-канальный30 В2 В225 мВт

123>>>

сообщение об ошибке