Транзисторы управляемые p-n переходом ON Semiconductor оптом и в розницу

Новинка

2N5638 JFET N-CH 30В 350мВт TO92 Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3

Сообщить о поступлении

BSR57 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 20 мА Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 2 В Мощность Макс.: 250 мВт

Сообщить о поступлении

BSR58 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 8 мА, 0.25Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 800 мВ Мощность Макс.: 250 мВт

Сообщить о поступлении

J105 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 4.5 В Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

J106 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 2 В Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

J109 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 2 В Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

J111 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 3 В Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

Новинка

J112 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

J112G Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

J112_D26Z Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

J113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 625 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 500 мВ Мощность Макс.: 625 мВт

Сообщить о поступлении

J176_D74Z Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: TO92-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF4117 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 600 мВ Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF4118 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236)

Сообщить о поступлении

MMBF4391 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 4 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF4391LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 4 В Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF4392 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBF4392LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 2 В Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF4393 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBF4393LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 500 мВ Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении