Транзисторы управляемые p-n переходом ON Semiconductor оптом и в розницу

MMBF4393LT3G Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBF5103 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1.2 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF5457 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 500 мВ Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF5458 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBF5458 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBF5461 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 40 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

MMBF5461 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23

Сообщить о поступлении

MMBF5462 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 40 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236)

Сообщить о поступлении

MMBFJ108 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 3 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ111 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 3 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ112 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ113 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 35 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 500 мВ Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ175 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBFJ175LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 3 В Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

Новинка

MMBFJ176 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ177 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT23-3

Сообщить о поступлении

MMBFJ177LT1G Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 0.225 Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 800 мВ Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ201 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 40 В, 350 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 300 мВ Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ202 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 800 мВ Мощность Макс.: 350 мВт

Сообщить о поступлении

MMBFJ270 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23-3 (TO-236) Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 500 мВ Мощность Макс.: 225 мВт

Сообщить о поступлении