Транзисторы управляемые p-n переходом NXP / Philips

Фильтр
Фильтр
Корпус
Проводимость (N/P)
Напряжение Сток-Исток Макс
Напряжение отсечки (при токе)
Мощность Макс.
Транзисторы управляемые p-n переходом (18)
BF861B,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3
BF861B,235 JFET N-CH 25V 15MA SOT23 Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
BF861C,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25V, 10MA Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3
BF862,215 Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20 В Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23
BF862,235 JFET N-CH 20V 25MA SOT23 Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3
Акция BFR30,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Ток стока Макс: 10 мА Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 5 В Мощность Макс.: 250 мВт
Акция BFR31,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Ток стока Макс: 10 мА Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 2.5 В Мощность Макс.: 250 мВт
BFT46,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 10 мА, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23
BSR57,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3
BSR58,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 (TO-236AB) Напряжение Сток-Исток Макс: 40 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 800 мВ Мощность Макс.: 250 мВт
PMBF4391,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3
PMBF4393,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3
PMBFJ109,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
PMBFJ110,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT-23 (TO-236AB)
PMBFJ177,215 Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 300 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 30 В Проводимость (N/P): P-канальный Напряжение отсечки (при токе): 800 мВ Мощность Макс.: 300 мВт
PMBFJ308,215 Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 250 мВт
PMBFJ309,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 1 В Мощность Макс.: 250 мВт
Акция PMBFJ310,215 Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт Производитель: NXP / Philips Корпус: SOT23-3 Напряжение Сток-Исток Макс: 25 В Проводимость (N/P): N-канальный Напряжение отсечки (при токе): 2 В Мощность Макс.: 250 мВт
На странице: