8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:

Производитель

Корпус

Тип транзистора

Особенности

Напряжение исток-сток макс.

Ток стока макс.

Сопротивление открытого канала

Мощность макс.

Пороговое напряжение включения макс.

Заряд затвора

Входная емкость

Тип монтажа


123456>>>

  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
IRF630 IRF630  STM TO-220 от 20.52 руб 1970 51   от 18.69 руб. 27422 16 50 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 9 А, 74 Вт, 0.4 ОмMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением200 В9 А400 мОм75 Вт4 В45 нКл700 пФСквозной
STB100N10F7 STB100N10F7   STM D2PAK/TO263 - - -   от 92.63 руб. 995 30 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 80 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный100 В80 А8 мОм150 Вт4.5 В61 нКл4369 пФПоверхностный
STB11N52K3 STB11N52K3   STM D2PAK/TO263 от 22.25 руб 858 -   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 525 В, 10 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный525 В10 А510 мОм125 Вт4.5 В51 нКл1400 пФПоверхностный
STB11NK40ZT4 STB11NK40ZT4   STM D2PAK/TO263 от 44.65 руб 620 3   от 37.08 руб. 1000 1000 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 400 В, 9 А, 110ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный400 В9 А550 мОм110 Вт4.5 В32 нКл930 пФПоверхностный
STB11NK50ZT4 STB11NK50ZT4   STM D2PAK/TO263 от 43.47 руб 193 -   от 52.28 руб. 4800 50 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 10 А, 125 ВтMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный500 В10 А520 мОм125 Вт4.5 В68 нКл1390 пФПоверхностный
STB11NM80T4 STB11NM80T4   STM D2PAK/TO263 - - -   от 317.45 руб. 2 2 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 11 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный800 В11 А400 мОм150 Вт5 В43.6 нКл1630 пФПоверхностный
STB120N4LF6 STB120N4LF6   STM D2PAK/TO263 от 77.83 руб 269 20   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 80 АMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением40 В80 А4 мОм110 Вт3 В80 нКл4300 пФПоверхностный
STB120NF10T4 STB120NF10T4   STM D2PAK/TO263 от 51.51 руб 841 17   от 82.53 руб. 260 35 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 110 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный100 В110 А10.5 мОм312 Вт4 В233 нКл5200 пФПоверхностный
STB13N60M2 STB13N60M2   STM D2PAK/TO263 - - -   от 75.03 руб. 1001 2 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный600 В11 А380 мОм110 Вт4 В17 нКл580 пФПоверхностный
STB13NM60N STB13NM60N   STM D2PAK/TO263 - - -   от 71.41 руб. 1801 44 1 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 11 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный600 В11 А360 мОм90 Вт4 В30 нКл790 пФПоверхностный
STB140NF75T4 STB140NF75T4   STM D2PAK/TO263 от 53.20 руб 142 -   - - - 200 Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 120 А, 0.0065 ОмMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный75 В120 А7.5 мОм310 Вт4 В218 нКл5000 пФПоверхностный
STB14NK50ZT4 STB14NK50ZT4   STM D2PAK/TO263 от 41.49 руб 1100 90   от 62.93 руб. 1455 7 100 Полевой транзистор, N-канальный, 500 В, 14 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный500 В14 А380 мОм150 Вт4.5 В92 нКл2000 пФПоверхностный
STB150NF55T4 STB150NF55T4   STM D2PAK/TO263 - - -   от 89.81 руб. 1000 1000 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный55 В120 А6 мОм300 Вт4 В190 нКл4400 пФПоверхностный
STB155N3H6 STB155N3H6   STM D2PAK/TO263 - - -   от 95.79 руб. 1000 30 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 АMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением30 В80 А3 мОм110 Вт4 В62 нКл3650 пФПоверхностный
STB155N3LH6 STB155N3LH6   STM D2PAK/TO263 от 55.53 руб 1 1   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 80 АMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением30 В80 А3 мОм110 Вт2.5 В80 нКл3800 пФПоверхностный
STB15N80K5 STB15N80K5   STM D2PAK/TO263 - - -   от 170.50 руб. 1000 1000 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 800 В, 14 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный800 В14 А375 мОм190 Вт5 В32 нКл1100 пФПоверхностный
STB16N65M5 STB16N65M5   STM D2PAK/TO263 от 80.95 руб 2 -   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 12 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный650 В12 А299 мОм90 Вт5 В31 нКл1250 пФПоверхностный
STB16NF06LT4 STB16NF06LT4   STM D2PAK/TO263 - - -   от 20.87 руб. 6000 85 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 16 АMOSFET N-канальный, металл-оксидС логическим управлением60 В16 А90 мОм45 Вт1 В10 нКл345 пФПоверхностный
STB185N55F3 STB185N55F3   STM D2PAK/TO263 от 102.77 руб 95 26   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 55 В, 120 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный55 В120 А3.5 мОм330 Вт4 В100 нКл6800 пФПоверхностный
STB18N55M5 STB18N55M5   STM D2PAK/TO263 от 43.02 руб 334 32   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 550 В, 14 А, 0.240 ОмMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный550 В16 А192 мОм110 Вт5 В31 нКл1260 пФПоверхностный
STB18N60M2 STB18N60M2   STM D2PAK/TO263 - - -   от 96.84 руб. 955 30 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 600 ВMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный600 В13 А280 мОм110 Вт4 В21.5 нКл791 пФПоверхностный
STB18N65M5 STB18N65M5   STM D2PAK/TO263 - - -   от 12 521.90 руб. 1125 5 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 15 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный650 В15 А220 мОм110 Вт5 В31 нКл1240 пФПоверхностный
STB18NF25 STB18NF25   STM D2PAK/TO263 - - -   от 58.96 руб. 435 45 1000 MOSFET N-CH 250V 17A D2PAKMOSFET N-Channel, Metal OxideStandard250V17A (Tc)165 mOhm @ 8.5A, 10V110W4V @ 250 µA29.5nC @ 10V1000pF @ 25VSurface Mount
STB18NM60N STB18NM60N   STM D2PAK/TO263 от 82.26 руб 172 28   - - - 1000 Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 13 АMOSFET N-канальный, металл-оксидСтандартный600 В13 А285 мОм110 Вт4 В35 нКл1000 пФПоверхностный

123456>>>

сообщение об ошибке