8 800 1000 321 - контакт центр

Одиночные MOSFET транзисторы

Вид: 
Таблицой
Витриной
Выводить по:
  
Показывать:


  - Новинка      - На позицию действует специальное предложение по цене      - Позиция попадает под 'Распродажу', оптовая цена ниже цены производителя
Фото Наименование
Произ-ль Корпус Со склада В пути Под заказ Норм. упаковка Краткое описание
Тип транзистораОсобенностиНапряжение исток-сток макс.Ток стока макс.Сопротивление открытого каналаМощность макс.Пороговое напряжение включения макс.Заряд затвораВходная емкостьТип монтажа
Цена Всего Розн. маг. Цена Всего Мин. кол.
AOD442 AOD442   A&O D-Pak от 22.47 руб 223 223   от 15.51 руб. 7500 2500 100 Полевой транзистор, N-канальный, 60В 38АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V7A (Ta), 37A (Tc)20 mOhm @ 20A, 10V2.1W2.7V @ 250 µA68nC @ 10V2300pF @ 30VSurface Mount
AOD450 AOD450   A&O D-Pak от 15.33 руб 484 71   - - - 100 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 3.8 А, 12 ВтMOSFET N-Channel, Metal OxideStandard200V3.8A (Tc)700 mOhm @ 3.8A, 15V2.1W6V @ 250 µA3.82nC @ 10V215pF @ 25VSurface Mount
AOD478 AOD478   A&O D-Pak от 16.64 руб 109 74   - - - 400 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11 А, 23 ВтMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate100V2.5A (Ta), 11A (Tc)140 mOhm @ 4.5A, 10V2.1W2.8V @ 250 µA13nC @ 10V540pF @ 50VSurface Mount
AOD498 AOD498   A&O D-Pak от 35.38 руб 48 48   - - - 100 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 11 А, 23 ВтMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate100V2.5A (Ta), 11A (Tc)140 mOhm @ 4.5A, 10V2.1W2.3V @ 250 µA14nC @ 10V415pF @ 50VSurface Mount
FDMC2610 FDMC2610   ONS Power33 - - -   от 60.48 руб. 3000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 200 В, 2.2 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate200V2.2A (Ta), 9.5A (Tc)200 mOhm @ 2.2A, 10V2.1W4V @ 250 µA18nC @ 10V960pF @ 100VSurface Mount
FDMC2674 FDMC2674   ONS Power33 - - -   от 47.24 руб. 3000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 220 В, 1 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate220V1A (Ta), 7A (Tc)366 mOhm @ 1A, 10V2.1W4V @ 250 µA18nC @ 10V1180pF @ 100VSurface Mount
FDMC5614P FDMC5614P  ONS Power33 - - -   от 47.70 руб. 144000 3000 3000 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 5.7 АMOSFET P-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V5.7A (Ta), 13.5A (Tc)100 mOhm @ 5.7A, 10V2.1W3V @ 250 µA20nC @ 10V1055pF @ 30VSurface Mount
FDMC8878 FDMC8878   ONS Power33 - - -   от 48.57 руб. 15000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 9.6 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate30V9.6A (Ta), 16.5A (Tc)14 mOhm @ 9.6A, 10V2.1W3V @ 250 µA26nC @ 10V1230pF @ 15VSurface Mount
FQT13N06LTF FQT13N06LTF   ONS SOT-223 - - -   от 13.88 руб. 56000 4000 4000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.8 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate60V2.8A (Tc)110 mOhm @ 1.4A, 10V2.1W2.5V @ 250 µA6.4nC @ 5V350pF @ 25VSurface Mount
FQT13N06TF FQT13N06TF   ONS SOT-223 - - -   от 14.00 руб. 4000 4000 4000 Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 2.8 АMOSFET N-Channel, Metal OxideStandard60V2.8A (Tc)140 mOhm @ 1.4A, 10V2.1W4V @ 250 µA7.5nC @ 10V310pF @ 25VSurface Mount
IRF6614TRPBF IRF6614TRPBF   INF DIRECTFET[тм] ST - - -   от 70.09 руб. 4800 4800 4800 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 12.7 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate40V12.7A (Ta), 55A (Tc)8.3 mOhm @ 12.7A, 10V2.1W2.25V @ 250 µA29nC @ 4.5V2560pF @ 20VSurface Mount
IRF6811STRPBF IRF6811STRPBF   INF DIRECTFET[тм] SQ - - -   от 43.65 руб. 4862 44 1 Полевой транзистор, N-канальный, 25 В, 19 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate25V19A (Ta), 74A (Tc)3.7 mOhm @ 19A, 10V2.1W2.1V @ 35 µA17nC @ 4.5V1590pF @ 13VSurface Mount
IRFHS8242TRPBF IRFHS8242TRPBF   INF 6-PQFN (2x2) от 9.56 руб 717 -   от 10.16 руб. 8000 4000 4000 MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFNMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate25V9.9A (Ta), 21A (Tc)13 mOhm @ 8.5A, 10V2.1W2.35V @ 25 µA10.4nC @ 10V653pF @ 10VSurface Mount
IRFHS8342TRPBF IRFHS8342TRPBF   INF 6-PQFN (2x2) - - -   от 8.06 руб. 7000 31 4000 Полевой транзистор, N-канальный, 30 В, 8.8 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate30V8.8A (Ta), 19A (Tc)16 mOhm @ 8.5A, 10V2.1W2.35V @ 25 µA8.7nC @ 10V600pF @ 25VSurface Mount
IRLHS2242TRPBF IRLHS2242TRPBF   INF 6-PQFN (2x2) от 10.36 руб 570 -   от 10.90 руб. 21152 172 4000 Полевой транзистор, P-канальный, 20 В, 15 АMOSFET P-Channel, Metal OxideLogic Level Gate20V7.2A (Ta), 15A (Tc)31 mOhm @ 8.5A, 4.5V2.1W1.1V @ 10 µA12nC @ 10V877pF @ 10VSurface Mount
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3   VISHAY SOT-23-3 - - -   от 7.52 руб. 864000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 20 В, 6 АMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate20V6A (Tc)31.8 mOhm @ 5A, 4.5V2.1W1V @ 250 µA18nC @ 5V865pF @ 10VSurface Mount
SI2318CDS-T1-GE3 SI2318CDS-T1-GE3   VISHAY SOT-23-3 от 7.76 руб 2799 34   от 6.76 руб. 687000 3000 3000 Полевой транзистор, N-канальный, 40 В, 5.6 А, 1.25 ВтMOSFET N-Channel, Metal OxideLogic Level Gate40V5.6A (Tc)42 mOhm @ 4.3A, 10V2.1W2.5V @ 250 µA9nC @ 10V340pF @ 20VSurface Mount