Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.
В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.
Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.
- Главная
- Каталог
- Транзисторы
- Полевые транзисторы
- Одиночные MOSFET транзисторы
Одиночные MOSFET транзисторы
-
Сортировать по:
BSS138
Транзистор полевой N-канальный 50В 0.2А 0.36Вт, 3.5 Ом
Производитель: Hottech Co. Ltd
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Тип транзистора: N-канал
BSS138BKW,115
Транзистор полевой N-канальный 60В 0,32А 0.31Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 260мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.6В
Заряд затвора: 0.7нКл
Входная емкость: 56пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSS138PW,115
Транзистор полевой N-канальный 60В 320мА 0.31Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 320мА
Сопротивление открытого канала: 1.6 Ом
Мощность макс.: 260мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В
Заряд затвора: 0.8нКл
Входная емкость: 50пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSS138W
Транзистор полевой N-канальный 50В 200мА, 0.2Вт
Производитель: SHIKUES
Корпус: SOT-323
BSS169H6327
Транзистор полевой N-канальный 100B, 0.17А 0.36Вт, 6 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 0.17A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BSS223PWH6327
Транзистор полевой N-канальный 20В 0.39A
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 20В
Ток стока макс.: 0.39A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
BSS295
Транзистор полевой N-канальный 50В 1.4A 0.3Ом TO92
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: TO92/formed lead
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 1.4A
Тип транзистора: N-канал
BSS315PH6327
Транзистор полевой P-канальный 30В 1.5A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT23-3
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.5A
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive
BSS316NH6327XTSA1
Транзистор полевой N-канальный 30В 1.4A
Производитель: Infineon Technologies
Напряжение исток-сток макс.: 30В
Ток стока макс.: 1.4A
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Automotive
BSS84
Транзистор полевой P-канальный 50В 130мА, 0.36Вт, 2.1-10 Ом
Производитель: Galaxy Microelectronics Co.,Ltd
Корпус: SOT-23
BSS84
Транзистор полевой P-канальный 60В 0.17А 0.36Вт, 8.0 Ом
Производитель: SHIKUES
Корпус: SOT-23
BSS84
МОП-транзистор SOT-23 P-канальный
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT23-3
BSS84AKW,115
Транзистор полевой P-канальный 50В 150мА, 0.31Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-323
Напряжение исток-сток макс.: 50В
Ток стока макс.: 150мА
Сопротивление открытого канала: 7.5 Ом
Мощность макс.: 260мВт
Тип транзистора: P-канал
Особенности: Automotive, Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В
Заряд затвора: 0.35нКл
Входная емкость: 36пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BSS84PH6327XTSA2
Транзистор полевой P-канальный 60В 0.17А 0.36Вт, 8.0 Ом
Производитель: Infineon Technologies
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 0.17A
Мощность макс.: 0.36Вт
Тип транзистора: P-канал
BST82,215
Транзистор полевой N-канальный 100В 190мА, 0.83Вт
Производитель: NEXPERIA
Корпус: SOT-23
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 190мА
Сопротивление открытого канала: 10 Ом
Мощность макс.: 830мВт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2В
Входная емкость: 40пФ
Тип монтажа: Surface Mount
BUK965R8-100E,118
Транзистор полевой N-канальный 100В 120A
Производитель: NEXPERIA
Корпус: D2Pak (TO-263)
Напряжение исток-сток макс.: 100В
Ток стока макс.: 120A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 5.8 мОм @ 25А, 5В
Мощность макс.: 357Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 133нКл @ 5В
Входная емкость: 17460пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
BUK9Y15-60E,115
Транзистор полевой N-канальный 60В 53A LFPAK
Производитель: NEXPERIA
Корпус: LFPAK56
Напряжение исток-сток макс.: 60В
Ток стока макс.: 53A(Tc)
Сопротивление открытого канала: 13 мОм @ 15А, 10В
Мощность макс.: 95Вт
Тип транзистора: N-канал
Особенности: Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.: 2.1В @ 1mA
Заряд затвора: 17.2нКл @ 5В
Входная емкость: 2603пФ @ 25В
Тип монтажа: Surface Mount
FDN306P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 1.5А 90мОм
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT23-3
FDN338P
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8А
Производитель: UMW Youtai Semiconductor
Корпус: SOT-23
Цена на Одиночные MOSFET транзисторы
Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.
Доставка по России и Беларуси
Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.
Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.
Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).
При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"
Данный товар имеет ограничение по заказу в связи с наличием классификационного номера экспортного контроля (ECCN) у выбранного склада.
Для оформления закза таких товаров с данного склада требуется один раз заполнить анкету (Civilian)
Заполнить?
Данный товар имеет ограничения по продаже в связи с Control Classification Number (ECCN). Оформления заказа таких товаров c данного склада для физических лиц недоступно.