Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (44)
IRF7329TRPBF Транзистор полевой P-канальный 12В 9.2A 8-Pin SOIC лента на катушке Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 9.2A Тип транзистора: P-канал
Наличие:
1 325 шт

Под заказ:
0 шт
Аналоги:
158 шт
Цена от:
от 36,23
IRF7410TRPBF Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SOIC8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ Заряд затвора: 91нКл Входная емкость: 8676пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
4 847 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 83,46
IRLML6401TRPBF Транзистор полевой P-канальный 12В 4.3А 1.3Вт Производитель: Infineon Technologies Корпус: Micro3™ (SOT-23/TO-236AB) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4.3A Сопротивление открытого канала: 50 мОм Мощность макс.: 1.3Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 950mВ Заряд затвора: 15нКл Входная емкость: 830пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
2 195 шт

Под заказ:
34 600 шт
Аналоги:
113 645 шт
Цена от:
от 10,15
IRF7210TRPBF Транзистор полевой P-канальный 12В 16A Производитель: Infineon Technologies Корпус: SO-8 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 16A Сопротивление открытого канала: 7 мОм Мощность макс.: 2.5Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 600mВ Заряд затвора: 212нКл Входная емкость: 17179пФ Тип монтажа: Surface Mount
Наличие:
278 шт

Под заказ:
0 шт
Цена от:
от 73,69
CSD13202Q2 Полевой транзистор, N-канальный, 12 В, 76 А Производитель: Texas Instruments Корпус: SON6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 22A Сопротивление открытого канала: 9.3 мОм Мощность макс.: 2.7Вт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 6.6нКл Входная емкость: 997пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD13381F4 Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD13381F4T Транзистор полевой N-канальный 12В 2.1A Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.1A Сопротивление открытого канала: 180 мОм Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.1В Заряд затвора: 1.4нКл Входная емкость: 200пФ Тип монтажа: Surface Mount
CSD23202W10 Транзистор полевой P-канальный 12В 2.2A 4DSBGA Производитель: Texas Instruments Корпус: DSBGA4 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.2A(Ta) Сопротивление открытого канала: 53 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 1Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 900mВ @ 250 µA Заряд затвора: 3.8нКл @ 4.5В Входная емкость: 512пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount
CSD23280F3T Полевой транзистор P-канальный 12В 1.8A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 1.8A Тип транзистора: P-канал
CSD23285F5 Полевой транзистор P-канальный 12В 5.4A 3-Pin PicoStar Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 5.4A Тип транзистора: P-канал
CSD23381F4 Полевой транзистор P-канальный 12В 2.3A 3-Pin PicoStar лента на катушке Производитель: Texas Instruments Корпус: SON3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.3A(Ta) Сопротивление открытого канала: 175 мОм @ 500mА, 4.5В Мощность макс.: 500мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 1.2В @ 250 µA Заряд затвора: 1.14нКл @ 4.5В Входная емкость: 236пФ @ 6В Тип монтажа: Surface Mount
CSD83325L Транзистор полевой N-канальный 12В 8A Производитель: Texas Instruments Напряжение исток-сток макс.: 12В Тип транзистора: N-канал
DMN1019UFDE-7 Транзистор полевой N-канальный 12В 11A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: uDFN6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 11A Сопротивление открытого канала: 10 мОм Мощность макс.: 690мВт Тип транзистора: N-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: 800mВ Заряд затвора: 50.6нКл Входная емкость: 2425пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP1045U-7 Транзистор полевой P-канальный 12В 4A Производитель: Diodes Incorporated Корпус: SOT-23 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1357пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP1045UQ-7 Транзистор полевой P-канальный 12В 5.2A Aвтомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 4A Сопротивление открытого канала: 31 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Пороговое напряжение включения макс.: ±8В Заряд затвора: 15.8нКл Входная емкость: 1357пФ Тип монтажа: Surface Mount
DMP1555UFA-7B Транзистор полевой P-канальный 12В 0.2A 3-Pin X2-DFN лента на катушке Производитель: Diodes Incorporated Корпус: X2-DFN0806-3 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 200мА Сопротивление открытого канала: 800 мОм Мощность макс.: 360мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 0.84нКл Входная емкость: 55.4пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDC606P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: SSOT6 Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6A Сопротивление открытого канала: 26 мОм Мощность макс.: 800мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 25нКл Входная емкость: 1699пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDD306P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В, 6.7 А Производитель: ON Semiconductor Корпус: DPAK/TO-252AA Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 6.7A Сопротивление открытого канала: 28 мОм Мощность макс.: 1.6Вт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 21нКл Входная емкость: 1290пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDMA905P Полевой транзистор, P-канальный, 12 В Производитель: ON Semiconductor Корпус: 6-MLP (2x2) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 10A Сопротивление открытого канала: 16 мОм Мощность макс.: 900мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate Пороговое напряжение включения макс.: Заряд затвора: 29нКл Входная емкость: 3405пФ Тип монтажа: Surface Mount
FDN306P Транзистор полевой P-канальный 12В 2,6А 0.04 Ом, 0.5Вт Производитель: ON Semiconductor Корпус: SOT-23 (SuperSOT-3) Напряжение исток-сток макс.: 12В Ток стока макс.: 2.6A Сопротивление открытого канала: 40 мОм Мощность макс.: 460мВт Тип транзистора: P-канал Особенности: Logic Level Gate, 1.8V Drive Пороговое напряжение включения макс.: 1.5В Заряд затвора: 17нКл Входная емкость: 1138пФ Тип монтажа: Surface Mount
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.72 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России и Беларуси

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

Доставка в Беларусь — компанией DPD (до терминала или курьером до адреса).

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"