Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр
Фильтр
Производители
Корпус
Тип транзистора
Особенности
Напряжение исток-сток макс.
Ток стока макс.
Сопротивление открытого канала
Мощность макс.
Пороговое напряжение включения макс.
Заряд затвора
Входная емкость
Тип монтажа
Одиночные MOSFET транзисторы (58)
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
SOIC8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
3.2 мОм
Мощность макс.:
6Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
95нКл
Входная емкость:
3545пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7738DP-T1-E3 SI7738DP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 150 В, 30 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
150В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
38 мОм
Мощность макс.:
96Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
53нКл
Входная емкость:
2100пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SI7852ADP-T1-E3 SI7852ADP-T1-E3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
17 мОм
Мощность макс.:
62.5Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
4.5В
Заряд затвора:
45нКл
Входная емкость:
1825пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIHG32N50D-E3 SIHG32N50D-E3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIHG32N50D-GE3 SIHG32N50D-GE3 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
150 мОм
Мощность макс.:
390Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
96нКл
Входная емкость:
2550пФ
Тип монтажа:
Through Hole
SIR424DP-T1-GE3 SIR424DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 20В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
20В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
5.5 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
35нКл
Входная емкость:
1250пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
Акция
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
40В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
10.5 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
31нКл
Входная емкость:
1160пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® SO-8
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
7.9 мОм
Мощность макс.:
41.7Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
30нКл
Входная емкость:
1155пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS468DN-T1-GE3 SIS468DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 80 В, 30 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
80В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
19.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
28нКл
Входная емкость:
780пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SIS890DN-T1-GE3 SIS890DN-T1-GE3 Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 30 А
Производитель:
Vishay
Корпус:
PowerPAKВ® 1212-8
Напряжение исток-сток макс.:
100В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
23.5 мОм
Мощность макс.:
52Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
29нКл
Входная емкость:
802пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
SPD30P06PG SPD30P06PG Полевой транзистор P-канальный 60В 30A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK
Производитель:
Infineon Technologies
Корпус:
P-TO252-3
Напряжение исток-сток макс.:
60В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
P-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
48нКл
Входная емкость:
1535пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STB38N65M5 STB38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
D2PAK/TO263
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STD30NF03LT4 STD30NF03LT4 Транзистор полевой N-канальный 30В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Напряжение исток-сток макс.:
30В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
25 мОм
Мощность макс.:
50Вт
Тип транзистора:
N-канал
Особенности:
Logic Level Gate
Пороговое напряжение включения макс.:
2.5В
Заряд затвора:
18нКл
Входная емкость:
830пФ
Тип монтажа:
Surface Mount
STF38N65M5 STF38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220F
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
35Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP30NF20 STP30NF20 Транзистор полевой N-канальный 200В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220AB
Напряжение исток-сток макс.:
200В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
75 мОм
Мощность макс.:
125Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
38нКл
Входная емкость:
1597пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STP38N65M5 STP38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-220
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW26NM50 STW26NM50 Транзистор полевой N-канальный 500В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
500В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
120 мОм
Мощность макс.:
313Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
106нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
STW38N65M5 STW38N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 30A
Производитель:
ST Microelectronics
Корпус:
TO-247
Напряжение исток-сток макс.:
650В
Ток стока макс.:
30A
Сопротивление открытого канала:
95 мОм
Мощность макс.:
190Вт
Тип транзистора:
N-канал
Пороговое напряжение включения макс.:
Заряд затвора:
71нКл
Входная емкость:
3000пФ
Тип монтажа:
Through Hole
  • 1
  • 2
  • 3
  • Далее
На странице:

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"