Одиночные MOSFET транзисторы

Фильтр

Все товары
В наличии
Спецпредложения
Новинки
Екатеринбург, Розничный магазин

Тип монтажа

Through Hole (1888)
Surface Mount (3511)
Chassis Mount (4)

Умный фильтр

Показать

Сортировать по:

Рекомендуем

Наименование

В продаже

Цена

Одиночные MOSFET транзисторы (45)

IPD65R660CFDATMA1 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(2+Tab) DPAK лента на катушке

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

660 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IPP65R660CFD Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 6A автомобильного применения 3-Pin(3+Tab) TO-220 туба

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

TO-220

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

660 мОм

Мощность макс.:

62.5Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Automotive

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

615пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

Акция

IRF730APBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF730ASPBF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 400В 5.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

400В

Ток стока макс.:

5.5A

Сопротивление открытого канала:

1 Ом

Мощность макс.:

74Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRF7422D2PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 4.3A

Производитель:

Infineon Technologies

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

20В

Ток стока макс.:

4.3A

Сопротивление открытого канала:

90 мОм

Мощность макс.:

2Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Diode (Isolated)

Пороговое напряжение включения макс.:

700mВ

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

610пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Акция

IRF9620PBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5А 40Вт, 1.5 Ом

Производитель:

Vishay

Корпус:

TO-220AB

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

40Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

IRF9620STRLPBF Транзистор полевой MOSFET P-канальный 200В 3.5A

Производитель:

Vishay

Корпус:

D2Pak (TO-263)

Напряжение исток-сток макс.:

200В

Ток стока макс.:

3.5A

Сопротивление открытого канала:

1.5 Ом

Мощность макс.:

3Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

350пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

IRFM120ATF Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 2.3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223-3

Напряжение исток-сток макс.:

100В

Ток стока макс.:

2.3A

Сопротивление открытого канала:

200 мОм

Мощность макс.:

2.4Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

480пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NDS9407 Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SO-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

150 мОм

Мощность макс.:

1Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

732пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTD18N06LT4G Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 18A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

DPAK-3

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

18A

Сопротивление открытого канала:

65 мОм

Мощность макс.:

55Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

2В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

675пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

NTF3055-100T1G Транзистор полевой N-канальный 60В 3A

Производитель:

ON Semiconductor

Корпус:

SOT-223

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

110 мОм

Мощность макс.:

1.3Вт

Тип транзистора:

N-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

4В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

455пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI7309DN-T1-E3 Полевой транзистор, P-канальный, 60 В, 8 А

Производитель:

Vishay

Корпус:

PowerPAKВ® 1212-8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

115 мОм

Мощность макс.:

19.8Вт

Тип транзистора:

P-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-E3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

SI9407BDY-T1-GE3 Транзистор полевой P-канальный 60В 4.7A

Производитель:

Vishay

Корпус:

SOIC8

Напряжение исток-сток макс.:

60В

Ток стока макс.:

4.7A

Сопротивление открытого канала:

120 мОм

Мощность макс.:

5Вт

Тип транзистора:

P-канал

Особенности:

Logic Level Gate

Пороговое напряжение включения макс.:

3В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

600пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STB10N95K5 Транзистор полевой N-канальный 950В 8A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

D2PAK/TO263

Напряжение исток-сток макс.:

950В

Ток стока макс.:

Сопротивление открытого канала:

800 мОм

Мощность макс.:

130Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

630пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD12N65M5 Транзистор полевой MOSFET N-канальный 650В 8.5A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

8.5A

Сопротивление открытого канала:

430 мОм

Мощность макс.:

70Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

900пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STD15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

DPAK/TO-252AA

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

340 мОм

Мощность макс.:

85Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

816пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

STF15N65M5 Транзистор полевой N-канальный 650В 11A

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

11A

Сопротивление открытого канала:

340 мОм

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

816пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STF4N62K3 Полевой транзистор, N-канальный, 620 В, 3.8 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TO-220F

Напряжение исток-сток макс.:

620В

Ток стока макс.:

3.8A

Сопротивление открытого канала:

2 Ом

Мощность макс.:

25Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

4.5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

550пФ

Тип монтажа:

Through Hole

Сообщить о поступлении

STL15N65M5 Полевой транзистор, N-канальный, 650 В, 10 А

Производитель:

ST Microelectronics

Корпус:

TDSON-8 FL

Напряжение исток-сток макс.:

650В

Ток стока макс.:

10A

Сопротивление открытого канала:

375 мОм

Мощность макс.:

52Вт

Тип транзистора:

N-канал

Пороговое напряжение включения макс.:

5В

Заряд затвора:

22нКл

Входная емкость:

816пФ

Тип монтажа:

Surface Mount

Сообщить о поступлении

Полевые транзисторы со структурой металл-диэлектрик (оксид)-полупроводник – самые распространённые полевые транзисторы в наше время. Возможно, Вам больше знаком термин MOSFET: Metal Oxide Field Effect Transistor. MOSFET превосходят биполярные транзисторы по токам утечки, а JFET – по входному сопротивлению, но несколько более уязвимы для электростатических разрядов. МОП-транзисторы в настоящее время изготавливают как с затворами МОП, так и с затворами Шоттки, а иногда меняют материал на карбид кремния.

В обширном каталоге интернет-магазина «Промэлектроника» Вы точно найдёте подходящий MOSFET-транзистор. У нас представлена продукция лучших компаний-производителей электроники: Hitachi, Matsushita и др. В наличии самые разные MOSFET: от малосигнальных, автомобильных и т.д. до силовых.

Купить MOSFET-транзисторы возможно прямо через интерфейс интернет-магазина «Промэлектроника». Также Вы можете связаться с нашим отделом продаж по E-mail или телефону, указанным на сайте. Заказ возможен как оптовый, так и розничный. Доставка электронных компонентов осуществляется по России, Беларуси, Казахстану. Доступен самовывоз в Москве и Екатеринбурге.

Цена на Одиночные MOSFET транзисторы

Интернет-магазин «Промэлектроники» предлагает купить Одиночные MOSFET транзисторы в розницу или оптом по доступной цене. Мы продаем только оригинальную сертифицированную продукцию. Стоимость на Одиночные MOSFET транзисторы - от 0.71808 рублей. Оформить заказ можно через сайт или написать в отдел продаж по электронной почте, указанной в списке контактов.

Доставка по России

Посмотреть Одиночные MOSFET транзисторы в магазине или забрать заказ самовывозом можно в Екатеринбурге.

Осуществляем доставку по России. Наш интернет-магазин сотрудничает с большинством ведущих транспортных компаний: Почта-России, Деловые линии, Экспресс-авто, EMS, Boxberry, DPD. Сроки и стоимость доступны при оформлении заказа или на странице товара.

При заказе Одиночные MOSFET транзисторы в города: Москва, Санкт-Петербург, Белгород, Владимир, Волгоград, Вологда, Воронеж, Гомель, Екатеринбург, Ижевск, Казань, Калуга, Кемерово, Краснодар, Красноярск, Курск, Липецк, Минск, Набережные Челны, Нижний Новгород, Новосибирск, Омск, Орёл, Пермь, Псков, Ростов-на-Дону, Рязань, Самара, Саратов, Смоленск, Ставрополь, Тверь, Томск, Тула, Тюмень, Уфа, Челябинск, Ярославль, Тольятти, Барнаул, Ульяновск, Иркутск, Хабаровск, Ярославль, Владивосток, Махачкала, Томск, Оренбург, Кемерово, Новокузнецк, Астрахань, Пенза, Липецк, Киров, Чебоксары, Калининград, Курск, Улан-Удэ, Ставрополь, Сочи, Иваново, Брянск, Белгород, Сургут, Владимир, Нижний Тагил, Архангельск, Чита, Смоленск, Курган, Орёл, Владикавказ, Грозный, Мурманск, Тамбов, Петрозаводск, Кострома, Нижневартовск, Новороссийск, Йошкар-Ола и др. номер квитанции отобразится в личном кабинете. Подробнее о способах доставки Вы можете узнать на странице "Способы доставки"